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制作光纤光栅的相移掩模-双光束干涉曝光方法
被引量:
1
1
作者
冯伯儒
张锦
+1 位作者
宗德蓉
蒋世磊
《光电工程》
CAS
CSCD
北大核心
2003年第1期5-7,共3页
介绍将无铬相移掩模技术和双光束干涉曝光技术用于制作纳米级图形光纤光栅的基本原 理和实验系统设计。提出一种用可移动反射镜使写入光束扫描固定在一起的相移掩模和光纤组合体制作光纤光栅的方法,既便于系统调整,增强曝光能量,又可方...
介绍将无铬相移掩模技术和双光束干涉曝光技术用于制作纳米级图形光纤光栅的基本原 理和实验系统设计。提出一种用可移动反射镜使写入光束扫描固定在一起的相移掩模和光纤组合体制作光纤光栅的方法,既便于系统调整,增强曝光能量,又可方便制作高分辨力、长尺寸光纤光栅,无论是周期光栅,还是非周期光栅。
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关键词
光纤光栅
相移
掩模
双
曝光
技术
干涉
光刻
PSM
微
光刻
技术
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职称材料
双光束双曝光与四光束单曝光干涉光刻方法的比较
被引量:
4
2
作者
张锦
冯伯儒
郭永康
《光电工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第12期21-24,62,共5页
双光束双曝光和四光束单曝光是无掩模激光干涉光刻的两种典型方法,都容易利用现有光刻工艺,在不需掩模和高精度光刻物镜的情况下,用简单廉价光学系统在大视场和深曝光场内形成孔阵、点阵或锥阵等周期性图形。双光束双曝光法得到的阵列...
双光束双曝光和四光束单曝光是无掩模激光干涉光刻的两种典型方法,都容易利用现有光刻工艺,在不需掩模和高精度光刻物镜的情况下,用简单廉价光学系统在大视场和深曝光场内形成孔阵、点阵或锥阵等周期性图形。双光束双曝光法得到的阵列图形周期极限为λ/2;四光束单曝光的周期略大,为前者的2倍。模拟和实验结果表明,通过控制曝光和显影工艺,双光束双曝光较四光束单曝光能更灵活地得到孔阵或点阵,而四光束单曝光得到的图形孔与孔之间没有鞍点,较双光束双曝光形成的孔侧壁更陡。这两种方法在需要在大面积范围内形成孔或点这类周期阵列图形的微电子和光电子器件的制造领域有很好的应用前景。
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关键词
干涉
光刻
无掩模
双
光束
双
曝光
四
光束
单曝光
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职称材料
还原氧化石墨烯/Au复合微电极阵列的制备及光电特性
被引量:
2
3
作者
季津海
闻雪梅
+1 位作者
陈洋
毕宴钢
《高等学校化学学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016年第10期1826-1832,共7页
利用双光束干涉-无掩模光刻技术制备了周期性氧化石墨烯微结构阵列,利用肼蒸气对氧化石墨烯脱氧还原,然后蒸镀超薄Au薄膜制备了还原氧化石墨烯/Au复合微电极阵列(R-GO/Au).对复合电极在可见光波段的透过率和表面电阻进行了表征,结果表明...
利用双光束干涉-无掩模光刻技术制备了周期性氧化石墨烯微结构阵列,利用肼蒸气对氧化石墨烯脱氧还原,然后蒸镀超薄Au薄膜制备了还原氧化石墨烯/Au复合微电极阵列(R-GO/Au).对复合电极在可见光波段的透过率和表面电阻进行了表征,结果表明,R-GO/Au复合微电极阵列具有良好的光电特性.将R-GO/Au复合微电极阵列引入到有机太阳电池中作为半透明阳极,器件的光电转化效率可达3.43%.
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关键词
还原氧化石墨烯/Au复合电极
微电极阵列
双光束干涉-无掩模光刻技术
肼蒸气还原
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职称材料
题名
制作光纤光栅的相移掩模-双光束干涉曝光方法
被引量:
1
1
作者
冯伯儒
张锦
宗德蓉
蒋世磊
机构
中国科学院光电技术研究所微细加工光学技术国家重点实验室
四川大学物理系
出处
《光电工程》
CAS
CSCD
北大核心
2003年第1期5-7,共3页
基金
国家自然科学基金(60076019#)资助。
文摘
介绍将无铬相移掩模技术和双光束干涉曝光技术用于制作纳米级图形光纤光栅的基本原 理和实验系统设计。提出一种用可移动反射镜使写入光束扫描固定在一起的相移掩模和光纤组合体制作光纤光栅的方法,既便于系统调整,增强曝光能量,又可方便制作高分辨力、长尺寸光纤光栅,无论是周期光栅,还是非周期光栅。
关键词
光纤光栅
相移
掩模
双
曝光
技术
干涉
光刻
PSM
微
光刻
技术
Keywords
Phase
-
shifting mask
Two
-
beam exposure
Gratings in fibers
Interference lithography
分类号
TN305.7 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
双光束双曝光与四光束单曝光干涉光刻方法的比较
被引量:
4
2
作者
张锦
冯伯儒
郭永康
机构
中国科学院光电技术研究所微细加工光学技术国家重点实验室
四川大学物理系
出处
《光电工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第12期21-24,62,共5页
基金
国家自然科学基金资助项目(60276043#)
文摘
双光束双曝光和四光束单曝光是无掩模激光干涉光刻的两种典型方法,都容易利用现有光刻工艺,在不需掩模和高精度光刻物镜的情况下,用简单廉价光学系统在大视场和深曝光场内形成孔阵、点阵或锥阵等周期性图形。双光束双曝光法得到的阵列图形周期极限为λ/2;四光束单曝光的周期略大,为前者的2倍。模拟和实验结果表明,通过控制曝光和显影工艺,双光束双曝光较四光束单曝光能更灵活地得到孔阵或点阵,而四光束单曝光得到的图形孔与孔之间没有鞍点,较双光束双曝光形成的孔侧壁更陡。这两种方法在需要在大面积范围内形成孔或点这类周期阵列图形的微电子和光电子器件的制造领域有很好的应用前景。
关键词
干涉
光刻
无掩模
双
光束
双
曝光
四
光束
单曝光
Keywords
Interferometric lithography
Maskless
Double exposure with two laser beams interference
Single exposure with four laser beams interference
分类号
TN305.7 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
还原氧化石墨烯/Au复合微电极阵列的制备及光电特性
被引量:
2
3
作者
季津海
闻雪梅
陈洋
毕宴钢
机构
吉林大学电子科学与工程学院
出处
《高等学校化学学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016年第10期1826-1832,共7页
基金
国家自然科学基金(批准号:61322402)资助~~
文摘
利用双光束干涉-无掩模光刻技术制备了周期性氧化石墨烯微结构阵列,利用肼蒸气对氧化石墨烯脱氧还原,然后蒸镀超薄Au薄膜制备了还原氧化石墨烯/Au复合微电极阵列(R-GO/Au).对复合电极在可见光波段的透过率和表面电阻进行了表征,结果表明,R-GO/Au复合微电极阵列具有良好的光电特性.将R-GO/Au复合微电极阵列引入到有机太阳电池中作为半透明阳极,器件的光电转化效率可达3.43%.
关键词
还原氧化石墨烯/Au复合电极
微电极阵列
双光束干涉-无掩模光刻技术
肼蒸气还原
Keywords
Reduced
-
graphene
-
oxide/Au composite electrode
Microelectrode array
Two beam interference holographic lithography technique
Hydrazine vapor reduction
分类号
O646 [理学—物理化学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
制作光纤光栅的相移掩模-双光束干涉曝光方法
冯伯儒
张锦
宗德蓉
蒋世磊
《光电工程》
CAS
CSCD
北大核心
2003
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
双光束双曝光与四光束单曝光干涉光刻方法的比较
张锦
冯伯儒
郭永康
《光电工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005
4
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
还原氧化石墨烯/Au复合微电极阵列的制备及光电特性
季津海
闻雪梅
陈洋
毕宴钢
《高等学校化学学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016
2
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职称材料
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