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检测薄膜压电形变的双光束探测干涉仪的设计 被引量:2
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作者 黄傲 施柏煊 陈王丽华 《光电工程》 CAS CSCD 北大核心 2002年第5期45-48,共4页
为了检测压电薄膜的在电场作用下的微小形变,同时避免基底弯曲效应的影响,设计了一 种双光束探测干涉仪,通过反馈控制和锁相检测技术,实现了高稳定度、高分辨力的目标,最小可探测形变可达到0.001nm。系统采用计算机控制测量和数据处理,... 为了检测压电薄膜的在电场作用下的微小形变,同时避免基底弯曲效应的影响,设计了一 种双光束探测干涉仪,通过反馈控制和锁相检测技术,实现了高稳定度、高分辨力的目标,最小可探测形变可达到0.001nm。系统采用计算机控制测量和数据处理,使测量更加便捷、准确。 展开更多
关键词 双光束干涉仪 压电效应 弯曲效应 压电薄膜 变形测量
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