检索结果-维普期刊中文期刊服务平台

NEA GaN和GaAs光电阴极激活机理对比研究被引量：6: 1; 作者乔建良常本康 +2 位作者牛军杨智邹继军《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第2期115-118,共4页; 本文结合激活过程中光电流变化规律和成功激活后阴极表面模型,研究了NEA GaN和GaAs光电阴极激活机理的异同。实验表明:NEA GaN激活过程中光电流不象GaAs那样按近似指数规律的包络慢速循环上升,而是在约1min之内就可达到峰值,Cs/O激活时... 展开更多; 关键词 NEA GAN GAAS 激活双偶极层模型; 在线阅读下载PDF 职称材料

负电子亲和势GaN光电阴极铯吸附机理研究被引量：5: 2; 作者乔建良徐源 +2 位作者高有堂牛军常本康《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第4期76-81,共6页; 为了得到铯吸附与阴极电子亲和势变化之间的定量关系,利用NEA光电阴极激活评估实验系统对GaN光电阴极进行了铯激活.根据半导体光电发射理论和双偶极层模型,通过对电子亲和势随铯覆盖度变化的实验结果进行拟合运算,得到电子亲和势与铯覆... 展开更多; 关键词半导体材料负电子亲和势双偶极层模型 GAN 光电阴极光电流铯吸附; 在线阅读下载PDF 职称材料

NEA GaN光电阴极光电发射机理研究被引量：1: 3; 作者乔建良黄大勇 +1 位作者牛军常本康《红外技术》 CSCD 北大核心 2008年第10期611-614,共4页; 围绕GaN光电阴极NEA特性的成因,结合激活过程中光电流变化规律和成功激活后阴极表面模型,研究了NEA GaN光电阴极光电发射机理。实验表明:NEA GaN激活过程中光电流在约1 min之内就可达到峰值,Cs/O激活时引入O后光电流的增长幅度不大。根... 展开更多; 关键词 NEA GAN 激活量子产额双偶极层模型; 在线阅读下载PDF 职称材料

NEA光电阴极电子表面逸出几率的计算和应用: 4; 作者宗志园钱芸生 +1 位作者富容国常本康《南京理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第6期641-644,669,共5页; 该文介绍了计算NEA光电阴极电子表面逸出几率的新方法 ,选用双偶极层表面模型 ,计算了GaAs :Cs -ONEA光电阴极的电子表面逸出几率 ,比较了 2种双偶极层模型的异同点 ,计算结果显示电子表面逸出几率受第一偶极层的影响较大。; 关键词 NEA 电子表面逸出几率计算光电阴极偶极子双偶极层模型光电子学; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名NEA GaN和GaAs光电阴极激活机理对比研究被引量：6: 1; 作者乔建良常本康牛军杨智邹继军; 机构南京理工大学电子工程与光电技术学院南阳理工学院电子与电气工程系; 出处《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第2期115-118,共4页; 基金国家自然科学基金(No.60871012)资助课题; 文摘本文结合激活过程中光电流变化规律和成功激活后阴极表面模型,研究了NEA GaN和GaAs光电阴极激活机理的异同。实验表明:NEA GaN激活过程中光电流不象GaAs那样按近似指数规律的包络慢速循环上升,而是在约1min之内就可达到峰值,Cs/O激活时引入O后光电流的增长幅度不大,NEA特性仅在Cs激活时即可获得。GaAs光电阴极激活过程中O的引入是获得NEA特性的必要条件,也是真空能级下降的重要转折点,O引入后光电流幅值有较大幅度的增长。采用双偶极层模型可以解释GaN和GaAs光电阴极Cs/O激活后表面势垒的降低,但偶极层在降低表面势垒的程度方面有较大差异,GaN光电阴极降得更低。; 关键词 NEA GAN GAAS 激活双偶极层模型; Keywords NEA, GaN, GaAs, Activation, Double dipole layer model; 分类号 TN219 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名负电子亲和势GaN光电阴极铯吸附机理研究被引量：5: 2; 作者乔建良徐源高有堂牛军常本康; 机构南阳理工学院电子与电气工程学院南京理工大学电子工程与光电技术学院; 出处《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第4期76-81,共6页; 基金国家自然科学基金(No.61371058)资助~~; 文摘为了得到铯吸附与阴极电子亲和势变化之间的定量关系,利用NEA光电阴极激活评估实验系统对GaN光电阴极进行了铯激活.根据半导体光电发射理论和双偶极层模型,通过对电子亲和势随铯覆盖度变化的实验结果进行拟合运算,得到电子亲和势与铯覆盖度之间的函数关系式.分析了铯的吸附机理,得到激活过程中铯的吸附过程与GaN材料有效电子亲和势下降之间的关系.实验表明:负电子亲和势GaN光电阴极材料在铯激活时光电流随着铯覆盖度的增加而从本底值增为极大值,激活过程中GaN电子能量分布曲线低动能截止点的位置决定于铯的覆盖度.当铯的覆盖度从0、1/2、2/3到1个单层变化时,低动能截止点依次向左移动,当覆盖度从0增加到1个单层时,低动能截止点向左移动了约3eV的距离.研究表明,低动能截止点左移本质上是由于对电子逸出起促进作用的有效偶极子[GaN(Mg):Cs]数量的增多造成的,有效偶极子数量的增多带来了材料表面真空能级的下降.; 关键词半导体材料负电子亲和势双偶极层模型 GAN 光电阴极光电流铯吸附; Keywords Semiconductor material Negative electron affinity Double dipole layer model GaN Photocathode Photocurrent Cs adsorption; 分类号 TN219 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名NEA GaN光电阴极光电发射机理研究被引量：1: 3; 作者乔建良黄大勇牛军常本康; 机构南阳理工学院电子与电气工程系南京理工大学电子工程与光电技术学院; 出处《红外技术》 CSCD 北大核心 2008年第10期611-614,共4页; 基金教育部高等学校博士点基金资助课题(20050288010); 文摘围绕GaN光电阴极NEA特性的成因,结合激活过程中光电流变化规律和成功激活后阴极表面模型,研究了NEA GaN光电阴极光电发射机理。实验表明:NEA GaN激活过程中光电流在约1 min之内就可达到峰值,Cs/O激活时引入O后光电流的增长幅度不大。根据Spicer光电发射理论,给出了反射模式NEA GaN光电阴极量子产额理论公式,激活成功后GaN光电阴极NEA特性的成因可以用双偶极层模型[GaN(Mg):Cs]:Cs-O解释。; 关键词 NEA GAN 激活量子产额双偶极层模型; Keywords NEA GaN activation quantum yield double dipole layer model; 分类号 TN219 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名NEA光电阴极电子表面逸出几率的计算和应用: 4; 作者宗志园钱芸生富容国常本康; 机构南京理工大学电子工程与光电技术学院; 出处《南京理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第6期641-644,669,共5页; 文摘该文介绍了计算NEA光电阴极电子表面逸出几率的新方法 ,选用双偶极层表面模型 ,计算了GaAs :Cs -ONEA光电阴极的电子表面逸出几率 ,比较了 2种双偶极层模型的异同点 ,计算结果显示电子表面逸出几率受第一偶极层的影响较大。; 关键词 NEA 电子表面逸出几率计算光电阴极偶极子双偶极层模型光电子学; Keywords photocathodes,electrons,probability,dipoles; 分类号 O462.3 [理学—电子物理学] TN201 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	NEA GaN和GaAs光电阴极激活机理对比研究	乔建良常本康牛军杨智邹继军	《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2009	6	在线阅读下载PDF 职称材料
2	负电子亲和势GaN光电阴极铯吸附机理研究	乔建良徐源高有堂牛军常本康	《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2016	5	在线阅读下载PDF 职称材料
3	NEA GaN光电阴极光电发射机理研究	乔建良黄大勇牛军常本康	《红外技术》 CSCD 北大核心	2008	1	在线阅读下载PDF 职称材料
4	NEA光电阴极电子表面逸出几率的计算和应用	宗志园钱芸生富容国常本康	《南京理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2002	0	在线阅读下载PDF 职称材料