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基于65 nm体硅CMOS技术的DICE-DFF和TMR-DFF SEU辐射硬化方法分析
被引量：
2
1
作者
李海松
杨博
+2 位作者
蒋轶虎
高利军
杨靓
《电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2022年第3期458-463,共6页
基于65 nm体硅CMOS工艺,采用移位寄存器链方式对普通触发器(DFF)、2种双互锁触发器(DICE-DFF,FDICE-DFF)、普通触发器空间三模冗余(TMR-DFF)和2种普通触发器时间三模冗余(TTMR-DFF300,TTMR-DFF600)这6种结构进行单粒子翻转(SEU)性能试...
基于65 nm体硅CMOS工艺,采用移位寄存器链方式对普通触发器(DFF)、2种双互锁触发器(DICE-DFF,FDICE-DFF)、普通触发器空间三模冗余(TMR-DFF)和2种普通触发器时间三模冗余(TTMR-DFF300,TTMR-DFF600)这6种结构进行单粒子翻转(SEU)性能试验评估。利用Ti、Cu、Br、I、Au和Bi这6种离子对被测电路进行轰击,试验结果表明,普通触发器单粒子翻转截面最大,约为3.5×10^(−8)~1.7×10^(−7) cm^(2)/bit;时钟间隔时间600 ps的时间三模冗余结构触发器单粒子翻转截面最小,约为5×10^(−11)~7×10^(−10)cm^(2)/bit,仅为普通触发器的0.1%左右。同时,针对6种触发器单元,从速度、面积、晶体管数量以及抗SEU性能多方面进行综合分析,为后续超大规模集成电路抗SEU设计提供了一定的指导意义。
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关键词
翻转截面
触发器
双互锁触发器
单粒子翻转
三模冗余
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职称材料
题名
基于65 nm体硅CMOS技术的DICE-DFF和TMR-DFF SEU辐射硬化方法分析
被引量：
2
1
作者
李海松
杨博
蒋轶虎
高利军
杨靓
机构
西安微电子技术研究所
出处
《电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2022年第3期458-463,共6页
文摘
基于65 nm体硅CMOS工艺,采用移位寄存器链方式对普通触发器(DFF)、2种双互锁触发器(DICE-DFF,FDICE-DFF)、普通触发器空间三模冗余(TMR-DFF)和2种普通触发器时间三模冗余(TTMR-DFF300,TTMR-DFF600)这6种结构进行单粒子翻转(SEU)性能试验评估。利用Ti、Cu、Br、I、Au和Bi这6种离子对被测电路进行轰击,试验结果表明,普通触发器单粒子翻转截面最大,约为3.5×10^(−8)~1.7×10^(−7) cm^(2)/bit;时钟间隔时间600 ps的时间三模冗余结构触发器单粒子翻转截面最小,约为5×10^(−11)~7×10^(−10)cm^(2)/bit,仅为普通触发器的0.1%左右。同时,针对6种触发器单元,从速度、面积、晶体管数量以及抗SEU性能多方面进行综合分析,为后续超大规模集成电路抗SEU设计提供了一定的指导意义。
关键词
翻转截面
触发器
双互锁触发器
单粒子翻转
三模冗余
Keywords
cross section
DFF
DICE-DFF
SEU
TMR
分类号
TN492 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于65 nm体硅CMOS技术的DICE-DFF和TMR-DFF SEU辐射硬化方法分析
李海松
杨博
蒋轶虎
高利军
杨靓
《电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2022
2
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