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基于双椭球模型的双星系统稳定性研究: 1; 作者蓝磊杨墨《深空探测学报》 2017年第2期196-200,共5页; 太阳系中存在着数量众多的双星系统。研究双星系统对于认识小行星的起源和演化有着重要意义。本文以双椭球模型,使用Joshua推导的四阶精度相互势,对双互锁双星系统进行研究。并通过KTC定理证明其稳定性。研究结果验证了卫星和主星存在... 展开更多; 关键词双星系统双互锁双椭球稳定性; 在线阅读下载PDF 职称材料

中子单粒子效应TCAD仿真被引量：4: 2; 作者解磊代刚 +1 位作者李顺梁堃《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第8期193-198,共6页; 分析了核裂变与聚变情况下,典型能量的中子与半导体器件反应,所产生的次级粒子及其能谱分布。根据中子所能导致的最恶劣情况,讨论了65nm工艺尺寸下,半导体静态存储器的单粒子效应,并给出了TCAD仿真的结果。结果显示,商用6管单元难以避... 展开更多; 关键词中子单粒子效应随机静态存储器双互锁存储单元; 在线阅读下载PDF 职称材料

基于65 nm体硅CMOS技术的DICE-DFF和TMR-DFF SEU辐射硬化方法分析被引量：2: 3; 作者李海松杨博 +2 位作者蒋轶虎高利军杨靓《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第3期458-463,共6页; 基于65 nm体硅CMOS工艺,采用移位寄存器链方式对普通触发器(DFF)、2种双互锁触发器(DICE-DFF,FDICE-DFF)、普通触发器空间三模冗余(TMR-DFF)和2种普通触发器时间三模冗余(TTMR-DFF300,TTMR-DFF600)这6种结构进行单粒子翻转(SEU)性能试... 展开更多; 关键词翻转截面触发器双互锁触发器单粒子翻转三模冗余; 在线阅读下载PDF 职称材料

DICE型D触发器三模冗余实现及辐照实验验证被引量：5: 4; 作者张丹丹杨海钢 +3 位作者李威黄志洪高丽江李天文《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第7期495-500,共6页; 分析了三模冗余(TMR)型D触发器和双互锁存储单元(DICE)型D触发器各自的优点和缺点,基于三模冗余和双互锁存储单元技术的(TMR&DICE)相融合方法,设计实现了基于双互锁存储单元技术的三模冗余D触发器。从电路级研究了TMR&DICE型D... 展开更多; 关键词抗单粒子翻转(SEU) 三模冗余(TMR) 双互锁存储单元(DICE) 触发器辐照实验; 在线阅读下载PDF 职称材料

抗单粒子翻转的高可靠移位寄存器设计被引量：1: 5; 作者苏梦瑶陈旭斌 +6 位作者邱仅朋王志宇刘家瑞陈华尚永衡刘东栋郁发新《浙江大学学报（工学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第4期792-798,共7页; 为了提高传统移位寄存器的可靠性和耐辐射性,提出抗单粒子翻转(SEU)的高可靠移位寄存器.该设计基于TSMC 0.18μm 1.8V1P5M工艺,利用双边复位、位线分离和三模冗余技术,设计双边上电复位(POR)和SEU加固双互锁存储单元(DICE)结构.从原理... 展开更多; 关键词单粒子翻转双边上电复位位线分离三模冗余双互锁存储单元; 在线阅读下载PDF 职称材料

一种超低功耗、容错的静态随机存储器设计被引量：2: 6; 作者吴璇陈立 +1 位作者杨晋生肖谧《现代电子技术》 2012年第8期167-170,共4页; 为了减轻辐射环境中静态随机存储器(SRAM)受单粒子翻转(SEU)的影响以及解决低功耗和稳定性的问题,采用TSMC 90nm工艺,设计了一款可应用于辐射环境中的超低功耗容错静态随机存储器。该SRAM基于双互锁存储单元(DICE)结构,以同步逻辑实现... 展开更多; 关键词静态随机存储器双互锁存储单元单粒子翻转电路设计; 在线阅读下载PDF 职称材料

基于130 nm PD-SOI工艺存储单元电路的抗辐射加固设计被引量：1: 7; 作者张宇飞余超 +2 位作者常永伟单毅董业民《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第5期335-340,400,共7页; 基于130 nm部分耗尽绝缘体上硅（SOI）CMOS工艺,设计并开发了一款标准单元库。研究了单粒子效应并对标准单元库中存储单元电路进行了抗单粒子辐射的加固设计。提出了一种基于三模冗余（TMR）的改进的抗辐射加固技术,可以同时验证非加固... 展开更多; 关键词标准单元库单粒子效应(SEE) 双互锁存储单元(DICE) 抗辐射加固设计(RHBD) 绝缘体上硅(SOI); 在线阅读下载PDF 职称材料

一种8位高精度、低功耗DAC设计: 8; 作者许波颜永红 +2 位作者江晓山李怀申王娜《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第2期134-137,151,共5页; 该设计的DAC为芯片内甄别器提供了一个可调的阈值,要求具有较高的精度,较低的功耗。基于chartered 0.35μm工艺,采用Spectre进行了仿真设计,非线性误差DNL<0.025 LSB,INL<0.17LSB,功耗低于3 mW。文章描述了R-2R型DAC的电路结构,... 展开更多; 关键词数模转换器 R-2R 双互锁存储单元锁存器积分非线性差分非线性匹配; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于双椭球模型的双星系统稳定性研究: 1; 作者蓝磊杨墨; 机构清华大学航天航空学院; 出处《深空探测学报》 2017年第2期196-200,共5页; 基金国家自然科学基金资助项目(11572166 11372150); 文摘太阳系中存在着数量众多的双星系统。研究双星系统对于认识小行星的起源和演化有着重要意义。本文以双椭球模型,使用Joshua推导的四阶精度相互势,对双互锁双星系统进行研究。并通过KTC定理证明其稳定性。研究结果验证了卫星和主星存在相对滚转角速度是双互锁系统的一种可能的绕转方式。; 关键词双星系统双互锁双椭球稳定性; Keywords binary system doubly synchronous two triaxial ellipsoids stability; 分类号 V529.2 [航空宇航科学与技术—人机与环境工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名中子单粒子效应TCAD仿真被引量：4: 2; 作者解磊代刚李顺梁堃; 机构中国工程物理研究院电子工程研究所; 出处《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第8期193-198,共6页; 基金中国工程物理研究院发展基金重点项目(2014A05011); 文摘分析了核裂变与聚变情况下,典型能量的中子与半导体器件反应,所产生的次级粒子及其能谱分布。根据中子所能导致的最恶劣情况,讨论了65nm工艺尺寸下,半导体静态存储器的单粒子效应,并给出了TCAD仿真的结果。结果显示,商用6管单元难以避免中子单粒子效应的发生。双互锁存储单元(DICE)结构在高密度设计时,也由于电荷共享效应,发生了单粒子翻转。由于电荷共享效应难以用SPICE仿真的方法得到,TCAD仿真更适用于中子单粒子免疫的SRAM设计验证。最后,讨论了65nm工艺下,中子单粒子免疫的SRAM设计,指出6管单元加电容的方式,可能是更有竞争力的方案。; 关键词中子单粒子效应随机静态存储器双互锁存储单元; Keywords neutron single event effect static random access memory DICE; 分类号 TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于65 nm体硅CMOS技术的DICE-DFF和TMR-DFF SEU辐射硬化方法分析被引量：2: 3; 作者李海松杨博蒋轶虎高利军杨靓; 机构西安微电子技术研究所; 出处《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第3期458-463,共6页; 文摘基于65 nm体硅CMOS工艺,采用移位寄存器链方式对普通触发器(DFF)、2种双互锁触发器(DICE-DFF,FDICE-DFF)、普通触发器空间三模冗余(TMR-DFF)和2种普通触发器时间三模冗余(TTMR-DFF300,TTMR-DFF600)这6种结构进行单粒子翻转(SEU)性能试验评估。利用Ti、Cu、Br、I、Au和Bi这6种离子对被测电路进行轰击,试验结果表明,普通触发器单粒子翻转截面最大,约为3.5×10^(−8)~1.7×10^(−7) cm^(2)/bit;时钟间隔时间600 ps的时间三模冗余结构触发器单粒子翻转截面最小,约为5×10^(−11)~7×10^(−10)cm^(2)/bit,仅为普通触发器的0.1%左右。同时,针对6种触发器单元,从速度、面积、晶体管数量以及抗SEU性能多方面进行综合分析,为后续超大规模集成电路抗SEU设计提供了一定的指导意义。; 关键词翻转截面触发器双互锁触发器单粒子翻转三模冗余; Keywords cross section DFF DICE-DFF SEU TMR; 分类号 TN492 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名DICE型D触发器三模冗余实现及辐照实验验证被引量：5: 4; 作者张丹丹杨海钢李威黄志洪高丽江李天文; 机构中国科学院电子学研究所中国科学院大学中国电子科技集团公司第五十研究所; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第7期495-500,共6页; 基金国家科技重大专项资助项目(2013ZX03006004) 国家自然科学基金课题资助项目(61271149) +1 种基金中国科学院国家外国专家局创新团队国际合作伙伴计划资助项目; 文摘分析了三模冗余(TMR)型D触发器和双互锁存储单元(DICE)型D触发器各自的优点和缺点,基于三模冗余和双互锁存储单元技术的(TMR&DICE)相融合方法,设计实现了基于双互锁存储单元技术的三模冗余D触发器。从电路级研究了TMR&DICE型D触发器抗单粒子翻转的性能,与其他传统类型电路结构的D触发器进行了抗单粒子翻转性能比较,并通过电路仿真和辐照实验进行了验证。仿真结果表明,TMR&DICE型D触发器的抗单粒子翻转性能明显优于传统的普通D触发器、TMR型D触发器和DICE型D触发器。辐照实验结果表明,TMR&DICE型D触发器具有最小的翻转截面。; 关键词抗单粒子翻转(SEU) 三模冗余(TMR) 双互锁存储单元(DICE) 触发器辐照实验; Keywords single event upset（SEU） tolerance triple modular redundancy（TMR） dual interlocked storage cell（DICE） flip-flop radiation experiment; 分类号 TN43 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名抗单粒子翻转的高可靠移位寄存器设计被引量：1: 5; 作者苏梦瑶陈旭斌邱仅朋王志宇刘家瑞陈华尚永衡刘东栋郁发新; 机构浙江大学航空航天学院; 出处《浙江大学学报（工学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第4期792-798,共7页; 基金国家自然科学基金资助项目(61401395) 中央高校基本科研业务费专项资助项目(2014QNA4033); 文摘为了提高传统移位寄存器的可靠性和耐辐射性,提出抗单粒子翻转(SEU)的高可靠移位寄存器.该设计基于TSMC 0.18μm 1.8V1P5M工艺,利用双边复位、位线分离和三模冗余技术,设计双边上电复位(POR)和SEU加固双互锁存储单元(DICE)结构.从原理图和版图两个层面,对传统移位寄存器结构进行全面SEU加固.为了模拟单粒子效应,在电路敏感节点注入不同线性能量传输(LET)的瞬态电流脉冲,利用Spectre仿真器及BSIM3v3物理模型,结合瞬态电路分析理论,对所设计的移位寄存器进行抗单粒子翻转性能仿真验证.仿真结果表明,提出的双边复位POR和SEU加固DICE电路在LET为100MeV·cm2/mg时不发生翻转.与传统的移位寄存器相比,设计的移位寄存器的抗单粒子翻转能力有显著的提高,具备高可靠性和辐射耐受性,可以用于航天领域的CMOS芯片设计.; 关键词单粒子翻转双边上电复位位线分离三模冗余双互锁存储单元; Keywords single event upset bilateral power on reset bit-line segregation tri-mode redundancy dual interlocked storage cell; 分类号 TN402 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名一种超低功耗、容错的静态随机存储器设计被引量：2: 6; 作者吴璇陈立杨晋生肖谧; 机构天津大学电子信息工程学院加拿大萨斯卡彻温大学电子与计算机工程学院; 出处《现代电子技术》 2012年第8期167-170,共4页; 基金 NSERC DG:加拿大国家自然科学发展基金(1-406865) NSERC CRD:加拿大国家科学合作研究与发展基金(1-412390); 文摘为了减轻辐射环境中静态随机存储器(SRAM)受单粒子翻转(SEU)的影响以及解决低功耗和稳定性的问题,采用TSMC 90nm工艺,设计了一款可应用于辐射环境中的超低功耗容错静态随机存储器。该SRAM基于双互锁存储单元(DICE)结构,以同步逻辑实现并具有1KB(1K×8b)的容量,每根位线上有128个标准存储单元,同时具有抗SEU特性,提高并保持了SRAM在亚阈值状态下的低功耗以及工作的稳定性。介绍了这种SRAM存储单元的电路设计及其功能仿真,当电源电压VDD为0.3V时,该SRAM工作频率最大可达到2.7MHz,此时功耗仅为0.35μW;而当VDD为1V时,最大工作频率为58.2MHz,功耗为83.22μW。; 关键词静态随机存储器双互锁存储单元单粒子翻转电路设计; Keywords SRAM DICE SEU circuit design; 分类号 TN710-34 [电子电信—电路与系统]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于130 nm PD-SOI工艺存储单元电路的抗辐射加固设计被引量：1: 7; 作者张宇飞余超常永伟单毅董业民; 机构中国科学院上海微系统与信息技术研究所中国科学院大学; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第5期335-340,400,共7页; 基金中国科学院重点部署项目(KGFZD-135-16-015); 文摘基于130 nm部分耗尽绝缘体上硅（SOI）CMOS工艺,设计并开发了一款标准单元库。研究了单粒子效应并对标准单元库中存储单元电路进行了抗单粒子辐射的加固设计。提出了一种基于三模冗余（TMR）的改进的抗辐射加固技术,可以同时验证非加固与加固单元的翻转情况并定位翻转单元位置。对双互锁存储单元（DICE）加固、非加固存储单元电路进行了性能及抗辐射能力的测试对比。测试结果显示,应用DICE加固的存储单元电路在99.8 MeV·cm^2·mg^（-1）的线性能量转移（LET）阈值下未发生翻转,非加固存储单元电路在37.6 MeV·cm^2·mg^（-1）和99.8 MeV·cm^2·mg^（-1）两个LET阈值下测试均发生了翻转,试验中两个版本的基本单元均未发生闩锁。结果证明,基于SOI CMOS工艺的抗辐射加固设计（RHBD）可以显著提升存储单元电路的抗单粒子翻转能力。; 关键词标准单元库单粒子效应(SEE) 双互锁存储单元(DICE) 抗辐射加固设计(RHBD) 绝缘体上硅(SOI); Keywords standard cell library single event effect （SEE） dual interlocked storage cell （DICE） radiation hardened by design （RHBD） silicon on insulator （SOI）; 分类号 TN402 [电子电信—微电子学与固体电子学] TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名一种8位高精度、低功耗DAC设计: 8; 作者许波颜永红江晓山李怀申王娜; 机构湖南大学物理与微电子科学学院核探测与核电子学国家重点实验室中国科学院高能物理研究所; 出处《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第2期134-137,151,共5页; 文摘该设计的DAC为芯片内甄别器提供了一个可调的阈值,要求具有较高的精度,较低的功耗。基于chartered 0.35μm工艺,采用Spectre进行了仿真设计,非线性误差DNL<0.025 LSB,INL<0.17LSB,功耗低于3 mW。文章描述了R-2R型DAC的电路结构,主要介绍了电阻网络,抗单粒子翻转的DICE锁存器等的设计。最后给出了版图和后仿结果,满足设计的要求。; 关键词数模转换器 R-2R 双互锁存储单元锁存器积分非线性差分非线性匹配; Keywords DAC R-2 R DICE latch INL DNL match; 分类号 TN492 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	基于双椭球模型的双星系统稳定性研究	蓝磊杨墨	《深空探测学报》	2017	0	在线阅读下载PDF 职称材料
2	中子单粒子效应TCAD仿真	解磊代刚李顺梁堃	《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心	2015	4	在线阅读下载PDF 职称材料
3	基于65 nm体硅CMOS技术的DICE-DFF和TMR-DFF SEU辐射硬化方法分析	李海松杨博蒋轶虎高利军杨靓	《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2022	2	在线阅读下载PDF 职称材料
4	DICE型D触发器三模冗余实现及辐照实验验证	张丹丹杨海钢李威黄志洪高丽江李天文	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2014	5	在线阅读下载PDF 职称材料
5	抗单粒子翻转的高可靠移位寄存器设计	苏梦瑶陈旭斌邱仅朋王志宇刘家瑞陈华尚永衡刘东栋郁发新	《浙江大学学报（工学版）》 EI CAS CSCD 北大核心	2016	1	在线阅读下载PDF 职称材料
6	一种超低功耗、容错的静态随机存储器设计	吴璇陈立杨晋生肖谧	《现代电子技术》	2012	2	在线阅读下载PDF 职称材料
7	基于130 nm PD-SOI工艺存储单元电路的抗辐射加固设计	张宇飞余超常永伟单毅董业民	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2018	1	在线阅读下载PDF 职称材料
8	一种8位高精度、低功耗DAC设计	许波颜永红江晓山李怀申王娜	《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心	2014	0	在线阅读下载PDF 职称材料