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聚甲基丙烯酸对STI CMP中SiO_(2)和Si_(3)N_(4)去除速率选择比的影响: 1; 作者李相辉张祥龙 +3 位作者孟妮聂申奥邱宇轩何彦刚《半导体技术》北大核心 2024年第2期131-137,共7页; 在浅沟槽隔离(STI)化学机械抛光(CMP)中,需要保证极低的Si_(3)N_(4)去除速率,以及相对较高的SiO_(2)去除速率,并且要达到SiO_(2)与Si_(3)N_(4)的去除速率选择比大于30的要求。在CeO_(2)磨料质量分数为0.25%,抛光液pH=4的前提下,研究了... 展开更多; 关键词浅沟槽隔离(STI) 化学机械抛光(CMP) 二氧化硅(SiO_(2)) 氮化硅(Si_(3)N_(4)) 聚甲基丙烯酸(PMAA) 去除速率选择比; 在线阅读下载PDF 职称材料

聚二烯丙基二甲基氯化铵对钨和SiO_(2)去除速率选择性的影响: 2; 作者李丁杰周建伟 +4 位作者罗翀王辰伟孙纪元杨云点冯鹏《润滑与密封》 CAS CSCD 北大核心 2024年第11期102-108,共7页; 为了提高钨(W)和SiO_(2)在化学机械抛光(CMP)过程中的去除速率选择比,提出将绿色环保的聚二烯丙基二甲基氯化铵(PDADMAC)作为SiO_(2)去除速率的抑制剂;以普通硅溶胶为磨料,研究酸性抛光液中不同PDADMAC添加量对W和SiO_(2)去除速率以及... 展开更多; 关键词化学机械抛光去除速率选择性表面粗糙度聚二烯丙基二甲基氯化铵; 在线阅读下载PDF 职称材料

磷酸和酒石酸在GSI阻挡层CMP抛光液中的应用被引量：1: 3; 作者张晓强刘玉岭 +1 位作者王辰伟杨立兵《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第3期188-191,共4页; 在阻挡层的化学机械平坦化(CMP)过程中,Cu与阻挡层去除速率的一致性是保证平坦化的关键问题之一。低k介质材料的引入要求阻挡层在低压力下用弱碱性抛光液进行CMP,这给抛光液对不同材料的选择性提出了新的挑战。研究了低压2 psi,(1 psi=6... 展开更多; 关键词化学机械平坦化(CMP) 磷酸酒石酸阻挡层去除速率选择比; 在线阅读下载PDF 职称材料

化学添加剂提高钴化学机械抛光性能的研究进展被引量：3: 4; 作者高鹏程檀柏梅 +4 位作者高宝红牛新环刘孟瑞孙晓琴刘玉岭《半导体技术》 CAS 北大核心 2020年第1期58-65,共8页; 钴(Co)具有电阻率低、电子迁移率高、对铜(Cu)等金属的黏附性好以及沉积性能好等优势,在集成电路制程中作为Cu互连阻挡层或新型互连材料具有巨大的应用潜力,而金属互连化学机械抛光(CMP)是决定Co在集成电路应用中可靠性的关键工艺。概... 展开更多; 关键词钴(Co) 化学机械抛光(CMP) 化学添加剂去除速率选择比电偶腐蚀; 在线阅读下载PDF 职称材料

硅通孔阻挡层抛光液的研究现状和发展趋势: 5; 作者刘彬王如 +4 位作者何彦刚郑晴平王帅赵群谢顺帆《半导体技术》 CAS 北大核心 2022年第6期421-428,共8页; 硅通孔(TSV)阻挡层化学机械抛光(CMP)是实现TSV晶圆全局平坦化的关键技术之一,配置多功能、高效率的抛光液是提升CMP效果的重要环节。总结了目前国内外TSV阻挡层抛光液的研究现状;研究了TSV Ta基阻挡层抛光过程中Cu、Ta和氧化层的去除... 展开更多; 关键词硅通孔(TSV) 化学机械抛光(CMP) 阻挡层去除速率选择比表面质量; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名聚甲基丙烯酸对STI CMP中SiO_(2)和Si_(3)N_(4)去除速率选择比的影响: 1; 作者李相辉张祥龙孟妮聂申奥邱宇轩何彦刚; 机构河北工业大学电子信息工程学院天津市电子材料与器件重点实验室; 出处《半导体技术》北大核心 2024年第2期131-137,共7页; 基金国家科技重大专项(2016ZX02301003-004-007) 河北省自然科学基金(F2018202133)。; 文摘在浅沟槽隔离(STI)化学机械抛光(CMP)中,需要保证极低的Si_(3)N_(4)去除速率,以及相对较高的SiO_(2)去除速率,并且要达到SiO_(2)与Si_(3)N_(4)的去除速率选择比大于30的要求。在CeO_(2)磨料质量分数为0.25%,抛光液pH=4的前提下,研究了聚甲基丙烯酸(PMAA)对SiO_(2)与Si_(3)N_(4)去除速率以及二者去除速率选择比的影响,分析了PMAA在影响SiO_(2)与Si_(3)N_(4)去除速率过程中的作用机理。结果表明,PMAA的加入可以降低SiO_(2)与Si_(3)N_(4)的去除速率,当PMAA的质量分数为120×10^(-6)时,SiO_(2)和Si_(3)N_(4)的去除速率分别为185.4 nm/min和3.0 nm/min,去除速率选择比为61。抛光后SiO_(2)与Si_(3)N_(4)晶圆表面有较好的表面粗糙度,分别为0.290 nm和0.233 nm。; 关键词浅沟槽隔离(STI) 化学机械抛光(CMP) 二氧化硅(SiO_(2)) 氮化硅(Si_(3)N_(4)) 聚甲基丙烯酸(PMAA) 去除速率选择比; Keywords shallow trench isolation(STI) chemical mechanical polishing(CMP) silica(SiO_(2)) silicon nitride(Si_(3)N_(4)) polymethacrylic acid(PMAA) removal rate selectivity; 分类号 TN305.2 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名聚二烯丙基二甲基氯化铵对钨和SiO_(2)去除速率选择性的影响: 2; 作者李丁杰周建伟罗翀王辰伟孙纪元杨云点冯鹏; 机构河北工业大学电子信息工程学院天津市电子材料与器件重点实验室北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司; 出处《润滑与密封》 CAS CSCD 北大核心 2024年第11期102-108,共7页; 基金国家自然科学基金项目(62074049)。; 文摘为了提高钨(W)和SiO_(2)在化学机械抛光(CMP)过程中的去除速率选择比,提出将绿色环保的聚二烯丙基二甲基氯化铵(PDADMAC)作为SiO_(2)去除速率的抑制剂;以普通硅溶胶为磨料,研究酸性抛光液中不同PDADMAC添加量对W和SiO_(2)去除速率以及表面粗糙度的影响,并探究PDADMAC在CMP过程中对W和SiO_(2)的不同作用机制。结果表明:随着PDADMAC添加量的增加,W的去除速率小幅度下降,SiO_(2)的去除速率大幅度下降,从而提高了W和SiO_(2)之间的去除速率选择比;PDADMAC会在W表面发生静电吸引作用和在SiO_(2)表面发生吸附作用,这些作用会明显增加W和SiO_(2)的去除速率选择比和改善W和SiO_(2)镀膜片的表面质量;以PDADMAC为抑制剂,使用普通硅溶胶为磨料即可实现较高的W去除速率和较高的W和SiO_(2)去除速率选择比。; 关键词化学机械抛光去除速率选择性表面粗糙度聚二烯丙基二甲基氯化铵; Keywords chemical mechanical polishing removal rate selectivity surface roughness poly dimethyl diallyl ammonium chloride; 分类号 TH117.1 [机械工程—机械设计及理论] TG175 [金属学及工艺—金属表面处理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名磷酸和酒石酸在GSI阻挡层CMP抛光液中的应用被引量：1: 3; 作者张晓强刘玉岭王辰伟杨立兵; 机构河北工业大学微电子研究所; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第3期188-191,共4页; 基金国家中长期科技发展规划02科技重大专项(2009ZX02308); 文摘在阻挡层的化学机械平坦化(CMP)过程中,Cu与阻挡层去除速率的一致性是保证平坦化的关键问题之一。低k介质材料的引入要求阻挡层在低压力下用弱碱性抛光液进行CMP,这给抛光液对不同材料的选择性提出了新的挑战。研究了低压2 psi,(1 psi=6.89 kPa)CMP条件下,磷酸和酒石酸作为阻挡层抛光液pH调节剂对Cu和Ta的络合作用。实验结果表明,酒石酸对Cu和Ta有一定的络合作用,能够提高它们的去除速率;磷酸能提高Ta的去除速率,而对Cu的去除有抑制作用。最终在加入磷酸浓度为2×10-2mol/L,酒石酸浓度为1×10-2mol/L,H2O2体积分数为0.3%,pH=8.5时,Cu/Ta/SiO2介质的去除速率选择比达到了1∶1∶1,去除速率约为58 nm/min;同时,磷酸和酒石酸的加入能够有效改善Cu的表面状态。; 关键词化学机械平坦化(CMP) 磷酸酒石酸阻挡层去除速率选择比; Keywords chemical mechanical planarization （CMP） phosphoric acid tartaric acid barrier layer removal rate selectivity ratio; 分类号 TN305.2 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名化学添加剂提高钴化学机械抛光性能的研究进展被引量：3: 4; 作者高鹏程檀柏梅高宝红牛新环刘孟瑞孙晓琴刘玉岭; 机构河北工业大学电子信息工程学院天津市电子材料与器件重点实验室; 出处《半导体技术》 CAS 北大核心 2020年第1期58-65,共8页; 基金国家科技重大专项资助项目(2016ZX02301003-004-007) 国家自然科学基金青年科学基金资助项目(61704046) 河北省自然科学基金资助项目(F2018202174); 文摘钴(Co)具有电阻率低、电子迁移率高、对铜(Cu)等金属的黏附性好以及沉积性能好等优势,在集成电路制程中作为Cu互连阻挡层或新型互连材料具有巨大的应用潜力,而金属互连化学机械抛光(CMP)是决定Co在集成电路应用中可靠性的关键工艺。概述了抛光液中的不同化学添加剂提高Co抛光性能的研究进展,重点介绍了氧化剂、络合剂、腐蚀抑制剂等化学添加剂对Co阻挡层和Co互连CMP的材料去除速率(MRR)、静态腐蚀速率(SER)、去除速率选择比以及电偶腐蚀的影响。讨论了化学添加剂对提高Co抛光性能的作用机理,并分析了加入不同化学添加剂的抛光液的优势与不足。此外,展望了Co阻挡层和互连材料CMP工艺中仍需进一步研究的问题。; 关键词钴(Co) 化学机械抛光(CMP) 化学添加剂去除速率选择比电偶腐蚀; Keywords cobalt(Co) chemical mechanical polishing(CMP) chemical additive removal rate selectivity galvanic corrosion; 分类号 TN305.2 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名硅通孔阻挡层抛光液的研究现状和发展趋势: 5; 作者刘彬王如何彦刚郑晴平王帅赵群谢顺帆; 机构河北工业大学电子信息工程学院天津市电子材料与器件重点实验室; 出处《半导体技术》 CAS 北大核心 2022年第6期421-428,共8页; 基金国家科技重大专项资助项目(2016ZX02301003-004-007) 天津市自然科学基金资助项目(16JCYBJC16100,18JCTPJC57000)。; 文摘硅通孔(TSV)阻挡层化学机械抛光(CMP)是实现TSV晶圆全局平坦化的关键技术之一,配置多功能、高效率的抛光液是提升CMP效果的重要环节。总结了目前国内外TSV阻挡层抛光液的研究现状;研究了TSV Ta基阻挡层抛光过程中Cu、Ta和氧化层的去除速率选择比及抛光后晶圆的表面质量;通过改变TSV阻挡层抛光液中络合剂、氧化剂和缓蚀剂等成分,可以控制Cu、Ta和氧化层的去除速率选择比,修正Cu层上的碟形坑,实现TSV晶圆的全局平坦化;最后指出开发新型的Co基和Ru基阻挡层抛光液,研制绿色环保的Ta基阻挡层抛光液产品,将成为TSV阻挡层抛光液未来研究的主要方向。; 关键词硅通孔(TSV) 化学机械抛光(CMP) 阻挡层去除速率选择比表面质量; Keywords through silicon via(TSV) chemical mechanical polishing(CMP) barrier layer removal rate selection ratio surface quality; 分类号 TN305.2 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	聚甲基丙烯酸对STI CMP中SiO_(2)和Si_(3)N_(4)去除速率选择比的影响	李相辉张祥龙孟妮聂申奥邱宇轩何彦刚	《半导体技术》北大核心	2024	0	在线阅读下载PDF 职称材料
2	聚二烯丙基二甲基氯化铵对钨和SiO_(2)去除速率选择性的影响	李丁杰周建伟罗翀王辰伟孙纪元杨云点冯鹏	《润滑与密封》 CAS CSCD 北大核心	2024	0	在线阅读下载PDF 职称材料
3	磷酸和酒石酸在GSI阻挡层CMP抛光液中的应用	张晓强刘玉岭王辰伟杨立兵	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2012	1	在线阅读下载PDF 职称材料
4	化学添加剂提高钴化学机械抛光性能的研究进展	高鹏程檀柏梅高宝红牛新环刘孟瑞孙晓琴刘玉岭	《半导体技术》 CAS 北大核心	2020	3	在线阅读下载PDF 职称材料
5	硅通孔阻挡层抛光液的研究现状和发展趋势	刘彬王如何彦刚郑晴平王帅赵群谢顺帆	《半导体技术》 CAS 北大核心	2022	0	在线阅读下载PDF 职称材料