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题名铜CMP中温度与质量传递对速率均匀性的影响
被引量：2
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作者
尹康达
王胜利
刘玉岭
王辰伟
岳红维
郑伟艳
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机构
河北工业大学微电子研究所
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2012年第10期768-771,共4页
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基金
国家科技重大专项(2009ZX02308)
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文摘
随着集成电路布线层数的增加以及特征尺寸的减小,对材料表面平整度的要求越来越高,如何保证化学机械平坦化(CMP)过程中的速率均匀性是实现高平整的关键。温度和质量传递是影响化学反应速率的主要因素,CMP过程中晶圆表面的温度分布和反应物及产物的质量传递不均匀,会导致去除速率分布不均匀。通过分析抛光速率分布随环境温度的变化规律,来研究晶圆表面温度与质量传递之间的关系,给出了调整CMP均匀性的方法。研究结果表明,环境温度为24℃,工作压力为103 mdaN/cm2(1 kPa=10 mdaN/cm2),背压为93 mdaN/cm2时,片内非均匀性为3.28%,抛光速率为709.8 nm/min,满足工业应用要求。
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关键词
温度
质量传递
均匀性
铜化学机械平坦化
去除速率分布
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Keywords
temperature
mass transfer
uniformity
copper chemical mechanical planarization
removal rate profile
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分类号
TN305.2
[电子电信—物理电子学]
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