期刊导航
期刊开放获取
上海教育软件发展有限公..
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
1
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
CMP后清洗技术的研究进展
被引量：
21
1
作者
雷红
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第5期369-373,共5页
化学机械抛光(CMP)技术是目前广泛采用的几乎唯一的高精度全局平面化技术,抛光后表面的清洗质量直接关系到CMP技术水平的高低。介绍了各种机械、物理及化学清洗方法与工艺技术优缺点,指出了清洗剂、清洗方式是CMP后清洗技术中的关键要...
化学机械抛光(CMP)技术是目前广泛采用的几乎唯一的高精度全局平面化技术,抛光后表面的清洗质量直接关系到CMP技术水平的高低。介绍了各种机械、物理及化学清洗方法与工艺技术优缺点,指出了清洗剂、清洗方式是CMP后清洗技术中的关键要素。综述了CMP后清洗技术的发展现状,分析了CMP后清洗存在的问题,并对其发展趋势进行了展望。
展开更多
关键词
化学机械抛光
原子级精度表面
清洗技术
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
CMP后清洗技术的研究进展
被引量：
21
1
作者
雷红
机构
上海大学纳米科学与技术研究中心
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第5期369-373,共5页
基金
国家自然科学基金资助项目(60773080)
上海市教委第五期重点学科资助项目(J50102)
文摘
化学机械抛光(CMP)技术是目前广泛采用的几乎唯一的高精度全局平面化技术,抛光后表面的清洗质量直接关系到CMP技术水平的高低。介绍了各种机械、物理及化学清洗方法与工艺技术优缺点,指出了清洗剂、清洗方式是CMP后清洗技术中的关键要素。综述了CMP后清洗技术的发展现状,分析了CMP后清洗存在的问题,并对其发展趋势进行了展望。
关键词
化学机械抛光
原子级精度表面
清洗技术
Keywords
CMP
atom-scale planarization surface
cleaning technology
分类号
TN305 [电子电信—物理电子学]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
CMP后清洗技术的研究进展
雷红
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008
21
在线阅读
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部
