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原子氢辅助分子束外延生长对GaAs材料性能的改善 被引量:3
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作者 王海龙 朱海军 +4 位作者 宁东 汪辉 王晓东 郭忠圣 封松林 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2000年第3期191-193,共3页
利用深能级瞬态谱 (DL TS)研究了常规分子束外延和原子氢辅助分子束外延生长的掺杂 Si和 Be的 Ga As同质结构样品中缺陷的电学特性 .发现原子氢辅助分子束外延生长的样品中缺陷的浓度与常规分子束外延生长的样品相比有明显的降低 。
关键词 原子氢辅助分子束外延生长 砷化镓 DLTS
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基于分子束外延技术可控制备Bi原子团簇的研究
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作者 马玉麟 郭祥 丁召 《原子与分子物理学报》 CAS 北大核心 2025年第2期79-84,共6页
本研究基于分子束外延(MBE)技术在Si(111)衬底表面成功制备金属Bi原子团簇.首先,分别在100℃、125℃、150℃、175℃、200℃的生长温度下,制备了大小均一、密度不同的Bi原子团簇.实验结果表明,可以通过改变生长温度来精细控制Bi原子团簇... 本研究基于分子束外延(MBE)技术在Si(111)衬底表面成功制备金属Bi原子团簇.首先,分别在100℃、125℃、150℃、175℃、200℃的生长温度下,制备了大小均一、密度不同的Bi原子团簇.实验结果表明,可以通过改变生长温度来精细控制Bi原子团簇的密度,当温度升高100℃,密度从1.05×10^(11)cm^(-2)降低至2.5×10^(7)cm^(-2),实现对团簇密度4个数量级的可控调节,并且发现Bi原子团簇密度对生长温度的依赖性符合经典成核理论.其次,分别在10 s、15 s、20 s的沉积时长下,制备了密度相同、尺寸各异的Bi原子团簇.实验结果表明,可以通过改变沉积时长来精细控制Bi原子团簇的尺寸:当沉积时长增加10 s,高度和直径分别从8.5 nm和65 nm增大到13.7 nm和100 nm,实现对团簇尺寸在10 nm高度、80 nm直径范围的可控调节,并且发现Bi原子团簇尺寸对沉积时长的依赖性符合晶体生长动力学.与分子束外延制备传统的Ⅲ族(Al,Ga,In)原子团簇做对比,这些结果可以为制备Ⅴ族原子团簇提供实验参考和指导,从而促进纳米级含Bi材料的制备. 展开更多
关键词 分子外延 Bi原子团簇 生长温度 沉积时长 经典成核理论 晶体生长动力学
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原子氢辅助分子束外延GaAs(331)A表面形貌演化(英文)
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作者 牛智红 任正伟 贺振宏 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第6期1107-1111,共5页
研究了GaAs高指数面(331)A在原子氢辅助下分子束外延形貌的演化.原子力显微镜测试表明:在常规分子束外延情况下,GaAs外延层台阶的厚度和台面的宽度随衬底温度的升高而增加,增加外延层厚度会导致台阶的密度和台面的宽度增加然后饱和.而... 研究了GaAs高指数面(331)A在原子氢辅助下分子束外延形貌的演化.原子力显微镜测试表明:在常规分子束外延情况下,GaAs外延层台阶的厚度和台面的宽度随衬底温度的升高而增加,增加外延层厚度会导致台阶的密度和台面的宽度增加然后饱和.而在原子氢辅助分子束外延情况下,当GaAs淀积量相同时GaAs外延层台阶的密度增大宽度减小.认为这是由于原子氢的作用导致Ga原子迁移长度的减小.在GaAs(331)A台阶基底上生长出InAs自组织纳米线,用光荧光测试研究了其光学各项异性特征. 展开更多
关键词 原子 分子外延 高指数面
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用等离子体辅助分子束外延生长氧化锌单晶薄膜 被引量:9
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作者 梁红伟 颜建锋 +7 位作者 吕有明 申德振 刘益春 赵东旭 李炳辉 张吉英 范希武 范景田 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第2期147-150,共4页
利用等离子体辅助分子束外延(P-MBE)方法,通过优化生长条件,在c平面蓝宝石(Al_2O_3)上生长出氧化锌(ZnO)单晶薄膜。使用反射式高能衍射仪(RHEED)原位监测到样品表面十分平整,X射线摇摆曲线(XRC)测得ZnO薄膜的<002>取向半峰全宽为0... 利用等离子体辅助分子束外延(P-MBE)方法,通过优化生长条件,在c平面蓝宝石(Al_2O_3)上生长出氧化锌(ZnO)单晶薄膜。使用反射式高能衍射仪(RHEED)原位监测到样品表面十分平整,X射线摇摆曲线(XRC)测得ZnO薄膜的<002>取向半峰全宽为0.20°,证实为ZnO单晶薄膜。室温下吸收谱(ABS)和光致发光(PL)谱显示了较强的激子吸收和发射,且无深能级(DL)发光。电学性能测量表明,生长的ZnO为n型半导体,室温下载流于浓度为7×10^(16) cm^(-3),与体单晶ZnO中的载流子浓度相当。 展开更多
关键词 氧化锌单晶薄膜 薄膜生长 分子外延 等离子体辅助 蓝宝石衬底 反射式高能衍射仪 光电材料
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激光分子束外延及其在原子水平生长BaTiO_3薄膜中的应用 被引量:4
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作者 崔大复 王会生 +5 位作者 马昆 陈正豪 周岳亮 吕惠宾 李林 杨国桢 《量子电子学》 CSCD 1996年第5期404-404,共1页
激光分子束外延及其在原子水平生长BaTiO_3薄膜中的应用崔大复,王会生,马昆,陈正豪,周岳亮,吕惠宾,李林,杨国桢(中国科学院物理研究所北京100080)原子水平微观尺度的科学与技术领域的研究促进了制造和技术的进步... 激光分子束外延及其在原子水平生长BaTiO_3薄膜中的应用崔大复,王会生,马昆,陈正豪,周岳亮,吕惠宾,李林,杨国桢(中国科学院物理研究所北京100080)原子水平微观尺度的科学与技术领域的研究促进了制造和技术的进步与革命,这是当代科学技术的重要发展... 展开更多
关键词 激光分子外延 薄膜 原子水平生长 钛酸钡
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Ge/Si超导型和Ge_xSi_(1-x)/Si合金型超晶格的分子束外延生长和特性研究
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作者 盛篪 俞鸣人 王迅 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 1990年第3期142-150,共9页
用分子束外延(MBE)技术生长了Ge/Si超薄型超晶格和Ge_xSi_(1-x)/Si合金型超晶格。用RHEED强度振荡技术生长出了非常陡峭和平整的Si/Ge异质结界面。在Si(001)上生长的一个单原子层Ge和一个单原子层Si的多层结构是可以得到的最薄的超晶格... 用分子束外延(MBE)技术生长了Ge/Si超薄型超晶格和Ge_xSi_(1-x)/Si合金型超晶格。用RHEED强度振荡技术生长出了非常陡峭和平整的Si/Ge异质结界面。在Si(001)上生长的一个单原子层Ge和一个单原子层Si的多层结构是可以得到的最薄的超晶格。合金型超晶格的厚度可满足器件制造的要求并避免了失配位错的产生。用XTEM、RBS及X射线衍射对外延晶体质量作了签定,用Raman谱和电调制反射谱对超晶格的光学特性进行了研究。 展开更多
关键词 GE/SI 超晶格 Ge_xSi 反射谱 分子外延生长 失配位错 多层结构 合金层 原子 异质结
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分子束外延生长轻掺杂SiGaAs的光致发光
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作者 师庆华 《液晶与显示》 CAS CSCD 1990年第4期30-33,共4页
用具有调制源的分子束外延(MBE)轻掺杂Si生长出GaAs层,并利用低温光致发光测定了它的特性。在光致发光光谱的近带边区观察到了自由激子和束缚激子发射。与杂质有关的发射在光谱特性上发生改变,这可归因于MBE生长中Si分子束的调制发生了... 用具有调制源的分子束外延(MBE)轻掺杂Si生长出GaAs层,并利用低温光致发光测定了它的特性。在光致发光光谱的近带边区观察到了自由激子和束缚激子发射。与杂质有关的发射在光谱特性上发生改变,这可归因于MBE生长中Si分子束的调制发生了变化。在MBE生长过程中,根据提供As源期间内供Si的时间,掺入的硅原子既可成为施主,也可成为受主。通过改变供Si时间,在定域格位上完成了Si掺杂。 展开更多
关键词 光致发光 SiGaAs 分子外延生长 带边 缚激子 光谱特性 格位 电子跃迁 原子 半导体材料
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分子束外延技术及其进展 被引量:1
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作者 周均铭 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 1991年第5期281-293,共13页
由于高频、高速光电子器件发展的需要,器件工作层的厚度及尺寸愈来愈小,已经较成熟的液相外延、汽相外延、真空淀积等薄膜制备方法已不能满足要求。许多新发展起来的多层异质器件,在某些场合希望组分和掺杂有较陡的分布。
关键词 分子外延技术 液相外延 真空淀积 共淀积 光电子器件 薄膜制备 原子 汽相外延 高能电子衍射仪 生长速率
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钙钛矿氧化物薄膜和异质结的外延生长与物性研究
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作者 杨国桢 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2004年第2期181-187,共7页
用激光分子束外延,原子尺度控制的外延生长出多种钙钛矿氧化物薄膜和异质结。原子力显微镜和高分辨透射电镜测量结果表明,薄膜与异质结的表面和界面均达到原子尺度的光滑。制备出在可见光波段透过率大于85%的导电氧化物薄膜;物性研究... 用激光分子束外延,原子尺度控制的外延生长出多种钙钛矿氧化物薄膜和异质结。原子力显微镜和高分辨透射电镜测量结果表明,薄膜与异质结的表面和界面均达到原子尺度的光滑。制备出在可见光波段透过率大于85%的导电氧化物薄膜;物性研究结果表明,随着含氧量的不同, BaTiO3薄膜具有绝缘体、半导体和导体的不同特性。BaTiO3/SrTiO3超晶格的光学非线性效应比BaTiO3体材增大23倍。首次在La0.9Sr0.1MnO3/srNb0.01Ti0.99O3(LSMO/SNTO)异质结上,观测到全氧化物p—n结电流和电压的磁调制与正磁电阻效应。在255K条件下,当外加磁场分别为5和1000 Oe时, LSMO/SNTO p-n结的磁电阻变化率R/R0达到: .46.7%和83.4%;在外加磁场为3T时,在100 K条件下,在LSMO/SNTO多层p-n异质结上观测515%的正磁电阻变化率。 展开更多
关键词 薄膜光学 钙钛矿氧化物 异质结 外延生长 激光分子外延 原子尺度控制
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利用P-MBE方法在(400)Si衬底上生长ZnO薄膜 被引量:12
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作者 梁红伟 吕有明 +4 位作者 申德振 刘益春 李炳辉 张吉英 范希武 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第3期275-278,共4页
利用等离子体辅助分子束外延(P MBE)方法在(400)Si衬底上生长ZnO薄膜。为改善生长后样品的质量,把样品解理成三块后,在不同温度下氧气气氛中退火。通过X射线衍射(XRD)谱和光致发光(PL)谱进行表征,讨论了用P MBE方法在Si基上生长的ZnO的... 利用等离子体辅助分子束外延(P MBE)方法在(400)Si衬底上生长ZnO薄膜。为改善生长后样品的质量,把样品解理成三块后,在不同温度下氧气气氛中退火。通过X射线衍射(XRD)谱和光致发光(PL)谱进行表征,讨论了用P MBE方法在Si基上生长的ZnO的室温光致发光发光峰的可能原因。 展开更多
关键词 P-MBE ZNO薄膜 氧化锌薄膜 等离子体辅助分子外延 X射线衍射 光致发光 薄膜生长 硅衬底
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Si基Si_(1-x-y)Ge_xC_y合金生长中C的影响
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作者 刘夏冰 臧岚 +4 位作者 朱顺明 程雪梅 韩平 罗志云 郑有炓 《高技术通讯》 EI CAS CSCD 2001年第12期84-86,共3页
报道了Si基Si1 x yGexCy 合金生长中C对Ge组分和生长速率的抑制作用 ,提出一个Si、Ge、C原子的排列构型 ,从理论上给出了C对Ge组分的抑制度和Ge/C原子比的关系 ,并指出在富Ge情况下C对Ge的抑制作用会趋向于饱和。
关键词 集成电路 生长速率 光电功能材料 SI1-X-YGEXCY 硅基 原子排列 抑制作用 硅锗碳三元化合物 分子外延生长
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薄膜光学理论与膜系设计
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《中国光学》 EI CAS 2002年第3期64-66,共3页
O484.1 2002032055Ge薄层异质结构的同步辐射X射线反射法研究=Study of Ge thin heterostructures by synchrotronradiation X-ray reflection[刊,中]/郑文莉,贾全杰,姜晓明(中科院高能物理所.北京(100039)),蒋最敏(复旦大学应用表面物... O484.1 2002032055Ge薄层异质结构的同步辐射X射线反射法研究=Study of Ge thin heterostructures by synchrotronradiation X-ray reflection[刊,中]/郑文莉,贾全杰,姜晓明(中科院高能物理所.北京(100039)),蒋最敏(复旦大学应用表面物理国家重点实验室.上海(200433))//高能物理与核物理.-2001,25(12).-1231-1237用X射线反射方法研究了分子束外延生长的Si中Ge薄层异质结构的Ge原子分布特性。根据X射线反射理论Parratt数值计算方法对实验反射曲线的模拟,得到不同厚度的Ge薄层异质结构样品中Ge原子的深度分布为非对称指数形式,且分布形式与Ge原子层的厚度无关。讨论了不同结构参数对样品低角反射曲线的影响。图3表2参12(李瑞琴)O484.1 2002032056掺氨对类金刚石薄膜场发射的影响=Effect of nitrogenaddition on field emission of diamond-likecarbon films[刊,中]/马会中。 展开更多
关键词 异质结构 染料薄膜 射线反射 国家重点实验室 分子外延生长 方法研究 同步辐射 原子 分子动力学模拟 薄膜场发射
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薄膜光学 制膜技术与装置
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《中国光学》 CAS 2005年第1期59-61,共3页
O484.1 2005010443 热退火对ZnO薄膜表面形貌与椭偏特性的影响=Thermal annealing effect on characteristics of surface morphology and ellipsometric of zinc oxide film[刊,中]/刘磁辉(中国科学技术大学物理系.安徽,合肥(23002... O484.1 2005010443 热退火对ZnO薄膜表面形貌与椭偏特性的影响=Thermal annealing effect on characteristics of surface morphology and ellipsometric of zinc oxide film[刊,中]/刘磁辉(中国科学技术大学物理系.安徽,合肥(230026)).林碧霞…∥发光学报.-2004,25(2).-151-155 利用原子力显微镜(AFM)和椭偏仪对溅射制备的硅基ZnO薄膜的热退火表面形貌与椭偏特性进行了研究。 展开更多
关键词 原子力显微镜 发光学 表面形貌 等离子体辅助分子外延 载流子浓度 晶粒尺寸分布 光致发光 多层结构 薄膜材料 沉积速率
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