期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
共找到67篇文章
< 1 2 … 4 >
每页显示 20 50 100
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
原子层分子束外延技术
1
作者 宋登元 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 1991年第8期47-48,F003,9,共4页
本文概述了Ⅲ-Ⅴ族化合物分子束外延的新进展——原子层分子束外延(ALMBE).介绍了它的基本原理、生长方法和应用.
关键词 原子层分子束外延技术 化学气相淀积技术 薄膜生产 异质结构 Ⅲ-Ⅴ族半导体化合物
全文增补中
基于分子束外延技术可控制备Bi原子团簇的研究
2
作者 马玉麟 郭祥 丁召 《原子与分子物理学报》 CAS 北大核心 2025年第2期79-84,共6页
本研究基于分子束外延(MBE)技术在Si(111)衬底表面成功制备金属Bi原子团簇.首先,分别在100℃、125℃、150℃、175℃、200℃的生长温度下,制备了大小均一、密度不同的Bi原子团簇.实验结果表明,可以通过改变生长温度来精细控制Bi原子团簇... 本研究基于分子束外延(MBE)技术在Si(111)衬底表面成功制备金属Bi原子团簇.首先,分别在100℃、125℃、150℃、175℃、200℃的生长温度下,制备了大小均一、密度不同的Bi原子团簇.实验结果表明,可以通过改变生长温度来精细控制Bi原子团簇的密度,当温度升高100℃,密度从1.05×10^(11)cm^(-2)降低至2.5×10^(7)cm^(-2),实现对团簇密度4个数量级的可控调节,并且发现Bi原子团簇密度对生长温度的依赖性符合经典成核理论.其次,分别在10 s、15 s、20 s的沉积时长下,制备了密度相同、尺寸各异的Bi原子团簇.实验结果表明,可以通过改变沉积时长来精细控制Bi原子团簇的尺寸:当沉积时长增加10 s,高度和直径分别从8.5 nm和65 nm增大到13.7 nm和100 nm,实现对团簇尺寸在10 nm高度、80 nm直径范围的可控调节,并且发现Bi原子团簇尺寸对沉积时长的依赖性符合晶体生长动力学.与分子束外延制备传统的Ⅲ族(Al,Ga,In)原子团簇做对比,这些结果可以为制备Ⅴ族原子团簇提供实验参考和指导,从而促进纳米级含Bi材料的制备. 展开更多
关键词 分子束外延 Bi原子团簇 生长温度 沉积时长 经典成核理论 晶体生长动力学
在线阅读 下载PDF
原子氢辅助分子束外延生长对GaAs材料性能的改善 被引量：3
3
作者 王海龙 朱海军 +4 位作者 宁东 汪辉 王晓东 郭忠圣 封松林 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2000年第3期191-193,共3页
利用深能级瞬态谱 (DL TS)研究了常规分子束外延和原子氢辅助分子束外延生长的掺杂 Si和 Be的 Ga As同质结构样品中缺陷的电学特性 .发现原子氢辅助分子束外延生长的样品中缺陷的浓度与常规分子束外延生长的样品相比有明显的降低 。
关键词 原子氢辅助分子束外延生长 砷化镓 DLTS
在线阅读 下载PDF
分子束外延HgCdTe薄膜的CdTe缓冲层特性研究 被引量：3
4
作者 宋立媛 唐利斌 +2 位作者 李艳辉 孔令德 陈雪梅 《红外技术》 CSCD 北大核心 2009年第11期628-630,633,共4页
CdTe是GaAs衬底上分子束外延(MBE)HgCdTe薄膜时的缓冲层,引入缓冲层的目的是减小失配位错,CdTe缓冲层的生长直接影响到后续HgCdTe薄膜的制备质量,然而目前现有文献鲜有报道CdTe缓冲层的最佳厚度。采用X射线双晶衍射、位错腐蚀坑密度(EPD... CdTe是GaAs衬底上分子束外延(MBE)HgCdTe薄膜时的缓冲层,引入缓冲层的目的是减小失配位错,CdTe缓冲层的生长直接影响到后续HgCdTe薄膜的制备质量,然而目前现有文献鲜有报道CdTe缓冲层的最佳厚度。采用X射线双晶衍射、位错腐蚀坑密度(EPD)、FT-IR和椭圆偏振光谱的方法,从CdTe缓冲层厚度对位错密度的影响入手,分析并确定了理想的CdTe缓冲层厚度。 展开更多
关键词 分子束外延 CdTe缓冲层 位错密度
在线阅读 下载PDF
激光分子束外延及其在原子水平生长BaTiO_3薄膜中的应用 被引量：4
5
作者 崔大复 王会生 +5 位作者 马昆 陈正豪 周岳亮 吕惠宾 李林 杨国桢 《量子电子学》 CSCD 1996年第5期404-404,共1页
激光分子束外延及其在原子水平生长ＢａＴｉＯ＿３薄膜中的应用崔大复，王会生，马昆，陈正豪，周岳亮，吕惠宾，李林，杨国桢（中国科学院物理研究所北京１０００８０）原子水平微观尺度的科学与技术领域的研究促进了制造和技术的进步... 激光分子束外延及其在原子水平生长ＢａＴｉＯ＿３薄膜中的应用崔大复，王会生，马昆，陈正豪，周岳亮，吕惠宾，李林，杨国桢（中国科学院物理研究所北京１０００８０）原子水平微观尺度的科学与技术领域的研究促进了制造和技术的进步与革命，这是当代科学技术的重要发展... 展开更多
关键词 激光分子束外延 薄膜 原子水平生长 钛酸钡
在线阅读 下载PDF
应用原子层外延技术分析Turbo-Disk MOCVD外延生长模式
6
作者 王浩 廖常俊 +7 位作者 范广涵 刘颂豪 郑树文 李述体 郭志友 孙慧卿 陈贵楚 陈炼辉 《液晶与显示》 CAS CSCD 2004年第2期128-133,共6页
应用原子层外延与分子层外延的理论研究了Turbo DiskMOCVD外延生长过程 ,发现生长主要发生在衬底表面的台阶处 ,当通过控制生长参数达到优质外延时 ,实际上是一种亚原子外延过程 。
关键词 原子层外延法 分子层外延法 金属有机化学气相淀积 参数调整 外延设备 ALE反应装置
在线阅读 下载PDF
分子束外延低温生长GaAs缓冲层
7
作者 张允强 彭正夫 +2 位作者 高翔 曹苏榕 孙娟 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1992年第4期379-380,共2页
在低的衬底温度(约300℃)下生长的GaAs层具有较高的电阻率,较小的光敏特性。低温生长的GaAs层用于MESFET作缓冲层,能够消除背栅效应,改善光敏特性等。国外研究结果表明,低温GaAs缓冲层为富砷结。 用国产MBE—Ⅲ型分子束外延设备进行低... 在低的衬底温度(约300℃)下生长的GaAs层具有较高的电阻率,较小的光敏特性。低温生长的GaAs层用于MESFET作缓冲层,能够消除背栅效应,改善光敏特性等。国外研究结果表明,低温GaAs缓冲层为富砷结。 用国产MBE—Ⅲ型分子束外延设备进行低温生长GaAs层的研究。半绝缘GaAs衬底温度约580℃,生长约50nm GaAs层。反射高能电子衍射(RHEED)的衍射图样为(2×4)结构。 展开更多
关键词 分子束外延 生长 砷化镓 缓冲层
在线阅读 下载PDF
分子束外延具有GaAs/AlGaAs超晶格缓冲层的量子阱材料
8
作者 宋珂 张福厚 +1 位作者 邢建平 曾一平 《科技通报》 1997年第6期369-372,共4页
采用分子束外延技术（ＭＢＥ）生长了具有ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ超晶格缓冲层的单量子阱和多量子阱材料．采用ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ超晶格缓冲层掩埋衬底缺陷，获得的量子阱结构材料被成功地用于制作量子阱激光器．波长为７７８ｎｍ... 采用分子束外延技术（ＭＢＥ）生长了具有ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ超晶格缓冲层的单量子阱和多量子阱材料．采用ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ超晶格缓冲层掩埋衬底缺陷，获得的量子阱结构材料被成功地用于制作量子阱激光器．波长为７７８ｎｍ的激光器，最低阈值电流为３０ｍＡ，室温下线性光功率大于２０ｍＷ． 展开更多
关键词 分子束外延 缓冲层 量子阱 超晶格 半导体激光器
在线阅读 下载PDF
新型全固源分子束外延技术及其在器件制作中的应用
9
作者 郝智彪 卢京辉 +1 位作者 周丹 罗毅 《电子产品世界》 1999年第3期68-70,共3页
关键词 外延生长 分子束外延技术 半导体材料
在线阅读 下载PDF
几种改进的分子束外延(MBE)技术
10
作者 郭宝增 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1990年第6期1-5,共5页
本文介绍了最近几年来发展的几种改进的分子束外延(MBE)生长技术,包括间隔生长技术、温度开关技术、迁移增强外延(MEE)、气源分子束外延(GSMBE)等。比较详细地介绍了它们的原理,并给出了主要实验结果。
关键词 分子束外延 MBH 生长技术 半导体
在线阅读 下载PDF
半导体原子层外延技术的现状和展望
11
作者 陈幼松 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1991年第2期6-9,共4页
物质减薄到和原子差不多的厚度时,将出现许多新的特性。利用它可以开发出各种新的半导体元件和各种人工材料。原子层外延技术便是实现物质这种减薄的方法,本文将介绍它的现状和展望。
关键词 半导体 原子层 外延技术 异质薄膜
在线阅读 下载PDF
激光技术在分子束外延中的应用
12
作者 宋登元 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 1997年第4期228-230,共3页
激光具有波长选择范围宽，强度高和方向性好等优点，已在许多科学技术领域发挥了重要的作用。近年来，激光又被用于分子束外延（MBE）技术中，并取得了很大进展。本文论述了在MBE薄膜生长中，激光气体离化原位分子束组分监测，激光溅射... 激光具有波长选择范围宽，强度高和方向性好等优点，已在许多科学技术领域发挥了重要的作用。近年来，激光又被用于分子束外延（MBE）技术中，并取得了很大进展。本文论述了在MBE薄膜生长中，激光气体离化原位分子束组分监测，激光溅射产生外延分子束源以及这些新技术在材料生长中的应用。 展开更多
关键词 分子束外延 薄膜生长 激光技术
在线阅读 下载PDF
在含有InSb非晶过渡层的GaAs衬底上用分子束外延生长InSb薄膜
13
作者 郑焕东 《红外与激光技术》 CSCD 1994年第5期17-20,59,共5页
在（１００）取向半绝缘ＧａＡｓ衬底上，采用独特的含有ＩｎＳｂ非晶过渡层的两步分子束外延（ＭＢＥ）生长了异质外延ＩｎＳｂ薄膜。ＩｎＳｂ外延层表面为平滑镜面，外延层厚度约为６μｍ，导电类型为ｎ型，室温（３００Ｋ）和液氮（... 在（１００）取向半绝缘ＧａＡｓ衬底上，采用独特的含有ＩｎＳｂ非晶过渡层的两步分子束外延（ＭＢＥ）生长了异质外延ＩｎＳｂ薄膜。ＩｎＳｂ外延层表面为平滑镜面，外延层厚度约为６μｍ，导电类型为ｎ型，室温（３００Ｋ）和液氮（７７Ｋ）霍尔载流子浓度分别为ｎ＿（３００Ｋ）：２．０×１０￣（１６）ｃｍ￣（－３）和ｎ＿（７７Ｋ）：２．４×１０￣（１５）ｃｍ￣（－３）；电子迁移率分别为μ＿（３００Ｋ）：４１０００ｃｍ￣２Ｖ￣（－１）Ｓ＿（－１）和μ＿（７７Ｋ）：５１２００ｃｍ￣２Ｖ￣（－１）Ｓ￣（－１）。ＩｎＳｂ外延层双晶衍射半峰宽为１９８ａｒｃｓ，最好的ＩｎＳｂ外延层的半峰宽小于１５０ａｒｃｓ。采用ＩｎＳｂ非晶过渡层有效地降低了外延层中的位错密度，改善了ＩｎＳｂ外延层的质量。 展开更多
关键词 分子束外延 非昌过渡层 锑化铟 红外探测器
在线阅读 下载PDF
俄罗斯用分子束外延技术制备32×32元HgCdTe单片红外探测器
14
作者 高国龙 《红外》 CAS 2010年第12期42-43,共2页
俄罗斯科学院半导体物理研究所西伯利亚分所已利用分子束外延技术在32×32元读出集成电路上制备出一个HgCdTe单片红外探测器。该单片探测器基于一种HgCdTe/CdTe/ZnTe/Si光敏异质结构,它是通过该研究所开发的一种既可保护读出集成电... 俄罗斯科学院半导体物理研究所西伯利亚分所已利用分子束外延技术在32×32元读出集成电路上制备出一个HgCdTe单片红外探测器。该单片探测器基于一种HgCdTe/CdTe/ZnTe/Si光敏异质结构,它是通过该研究所开发的一种既可保护读出集成电路元件又能生长高质量HgCdTe膜层的预外延制备技术制备的，其具体制备过程如下： 展开更多
关键词 分子束外延技术 HGCDTE 俄罗斯科学院 红外探测器 制备技术 单片 读出集成电路 物理研究所
在线阅读 下载PDF
分子束外延HgCdTe薄膜As掺杂P型激活研究(英文) 被引量：9
15
作者 吴俊 徐非凡 +3 位作者 巫艳 陈路 于梅芳 何力 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期81-83,共3页
报道了利用As4 作为掺杂源获得原位As掺杂MBEHgCdTe材料的研究结果.利用高温退火技术激活As使其占据Te位形成受主.对原位As掺杂MBEHgCdTe材料进行SIMS及Hall测试,证实利用原位As掺杂及高温退火可获得P型MBEHgCdTe材料.
关键词 HGCDTE薄膜 分子束外延 掺杂 As HGCDTE材料 激活 P型 MBE 退火技术 研究结果 SIMS 高温退火 原位
在线阅读 下载PDF
Si基碲镉汞分子束外延工艺优化研究 被引量：9
16
作者 王经纬 巩锋 +3 位作者 刘铭 强宇 常米 周立庆 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2012年第10期1161-1164,共4页
报道了Si基碲镉汞(MCT)分子束外延(MBE)的最新研究进展,通过使用反射式高能电子衍射(RHEED)、高温计的在线测量建立和优化了3 in Si基碲镉汞生长温度曲线;通过二次缓冲层的生长进一步降低了界面能,获得的Si基HgCdTe材料在8μm的厚度下... 报道了Si基碲镉汞(MCT)分子束外延(MBE)的最新研究进展,通过使用反射式高能电子衍射(RHEED)、高温计的在线测量建立和优化了3 in Si基碲镉汞生长温度曲线;通过二次缓冲层的生长进一步降低了界面能,获得的Si基HgCdTe材料在8μm的厚度下半峰宽达到90.72 arcsec,原生片位错密度(EPD)小于1×107 cm-2;采用此材料成功制备出了高性能的中波Si基1280×1024碲镉汞探测器。 展开更多
关键词 硅基碲镉汞 分子束外延 工艺优化 RHEED CdTe二次缓冲层
在线阅读 下载PDF
HgCdTe分子束外延薄膜的应变弛豫 被引量：3
17
作者 方维政 王元樟 +4 位作者 巫艳 刘从峰魏彦锋 王庆学 杨建荣 何力 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第5期325-328,332,共5页
对不同衬底上外延生长的HgCdTe薄膜进行了倒易点二维图测试 ,分析了外延层与衬底之间的结构取向关系以及晶格常数的失配现象 .通过测定Cd1-yZnyTe衬底上的HgCdTe外延层的应变弛豫状况 ,获得了晶格匹配条件时衬底Zn组分的准确值 .实验结... 对不同衬底上外延生长的HgCdTe薄膜进行了倒易点二维图测试 ,分析了外延层与衬底之间的结构取向关系以及晶格常数的失配现象 .通过测定Cd1-yZnyTe衬底上的HgCdTe外延层的应变弛豫状况 ,获得了晶格匹配条件时衬底Zn组分的准确值 .实验结果还表明 :HgCdTe外延层与晶格失配的衬底之间存在着倾角 ,该倾角随失配度的增大而增大 ;当衬底失配度较小时 ,非对称倒易点二维图显示外延层并不处于全应变状态 ,而是处于应力部分释放状态 ;相反 ,当外延层晶格失配产生的应力全部释放时 ,外延层包含着较大的失配位错 ,摇摆曲线半峰宽展宽较大 . 展开更多
关键词 外延层 衬底 晶格失配 分子束外延 晶格匹配 外延生长 二维 弛豫 配位 CDTE薄膜
在线阅读 下载PDF
GaAs基分子束外延材料的市场和产业化
18
作者 孔梅影 曾一平 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2002年第2期244-248,共5页
评述了当前高速发展的信息技术对化合物半导体的市场 ,特别是对分子束外延材料市场的推动。介绍了实验室研制的高性能 MBE二维材料及其器件的应用结果。讨论了我国 MBE Ga
关键词 市场 产业化 分子束外延 砷化镓基材料 信息技术 化合物半导体
在线阅读 下载PDF
GaAs(331)A衬底上分子束外延生长自组织InAs纳米结构形貌演化机制
19
作者 苗振华 龚政 +2 位作者 方志丹 倪海侨 牛智川 《红外》 CAS 2004年第9期1-5,共5页
采用分子束外延方法在GaAs(331)A高指数衬底上制备自对齐InAs量子线(QWR)或者三维(3D)岛状结构。InAs量子线(QWR)选择性生长在GaAs层的台阶边缘。通过原子力显微镜(AFM)仔细研究了InAs纳米微结构的表面形貌,发现不同的生长条件如衬底温... 采用分子束外延方法在GaAs(331)A高指数衬底上制备自对齐InAs量子线(QWR)或者三维(3D)岛状结构。InAs量子线(QWR)选择性生长在GaAs层的台阶边缘。通过原子力显微镜(AFM)仔细研究了InAs纳米微结构的表面形貌,发现不同的生长条件如衬底温度、生长速率和InAs层厚度等,对InAs表面形貌有很大的影响。低温更容易导致线状纳米微结构的形成,而高温更利于3D岛状结构形成。表面形貌的转变归结于表面能同应变能之间的竞争。 展开更多
关键词 分子束外延 砷化镓 砷化铟 纳米结构 原子力显微镜
在线阅读 下载PDF
用分子束外延在Si(100)衬底上生长CdTe和HgCdTe
20
作者 高凯平 《液晶与显示》 CAS CSCD 1990年第4期33-36,共4页
用分子束外延在Si(100)衬底上生长出CdTc。可以得到两种取向:当CdTe直接沉积在Si(100)衬底上时,所得到的取向为(100)B CdTe;当首先生长ZnTe中间层时,所得到的取向为(100)CdTe。(111)B取向层由旋转90°的两个畴组成,仅具有一个畴的... 用分子束外延在Si(100)衬底上生长出CdTc。可以得到两种取向:当CdTe直接沉积在Si(100)衬底上时,所得到的取向为(100)B CdTe;当首先生长ZnTe中间层时,所得到的取向为(100)CdTe。(111)B取向层由旋转90°的两个畴组成,仅具有一个畴的取向层能够在取向偏差8°的Si(100)上生长。为达此目地,还需要发现其最佳取向偏差。用反射高能电子衍射,光致发光光谱,扫描电子显微镜和x射线研究了这些取向层的特性。利用分子束外延技术,在(111)B CdTe层上还生长出Hg_(1-x)Cd_xTe;而前者被沉积在Si(100)衬底上。 展开更多
关键词 HGCDTE Si 光致发光光谱 扫描电子显微镜 分子束外延 外延层 顶端生长 红外探测器 中间层 扫描电镜照片
在线阅读 下载PDF
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
上一页 1 2 … 4 下一页 到第 页
关于我们 | 版权声明 | 联系我们 | 帮助中心| 意见反馈
主办单位：上海市教育委员会
技术支持：重庆维普资讯有限公司
渝公网安备 50019002500403号
使用帮助 返回顶部