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题名氧化剂浓度对4H-SiC化学机械抛光效果的影响
被引量：4
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作者
高飞
李晖
徐永宽
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机构
中国电子科技集团公司第四十六研究所
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出处
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016年第10期10189-10192,共4页
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文摘
以4H-SiC(0001)面为研究对象,采用原子力显微镜和X光电子能谱研究了抛光晶片表面的形貌和成分,讨论了氧化剂浓度对SiC化学机械抛光去除速率以及微观形貌的影响。结果表明,在化学机械抛光过程中SiC晶片的表面会生成二氧化硅,抛光液中氧化剂的浓度直接影响SiC的氧化进程,增大氧化剂的浓度可以显著提高抛光去除速率,当氧化剂浓度为0.15mol/L时,抛光去除速率可以达到约1 200nm/h,同时可以获得一个无划痕、超光滑、具有原子台阶构型的抛光表面,表面粗糙度值Ra低至0.0853nm。
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关键词
碳化硅
化学机械抛光
氧化剂浓度
原子台阶构型
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Keywords
silicon carbide （SiC ）
chemical mechanical polishing （CMP ）
oxidant concentration
atomic step structure
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分类号
O786
[理学—晶体学]
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