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原子位置驰豫对ZnS(110)表面电子结构的影响
1
作者
马丙现
贾瑜
+1 位作者
申三国
范希庆
《郑州大学学报（自然科学版）》
CAS
1998年第3期34-39,共6页
用总能量最小方法，确定了ＺｎＳ（１１０）表面的原子几何结构，得到与弹性低能电子衍射实验相符的结果．利用格林函数的散射理论方法，计算了ＺｎＳ（１１０）表面的电子结构．在此基础上，讨论了晶格弛豫对表面电子特性的影响．
关键词
驰
豫
电子结构
原子位置驰豫
硫化锌
半导体
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职称材料
题名
原子位置驰豫对ZnS(110)表面电子结构的影响
1
作者
马丙现
贾瑜
申三国
范希庆
机构
郑州大学材料物理重点实验室
出处
《郑州大学学报（自然科学版）》
CAS
1998年第3期34-39,共6页
基金
河南省自然科学基金
文摘
用总能量最小方法，确定了ＺｎＳ（１１０）表面的原子几何结构，得到与弹性低能电子衍射实验相符的结果．利用格林函数的散射理论方法，计算了ＺｎＳ（１１０）表面的电子结构．在此基础上，讨论了晶格弛豫对表面电子特性的影响．
关键词
驰
豫
电子结构
原子位置驰豫
硫化锌
半导体
Keywords
relaxation
surface state
scattering theory
electronic structure
ZnS(110)
分类号
TN304.25 [电子电信—物理电子学]
O472.1 [理学—半导体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
原子位置驰豫对ZnS(110)表面电子结构的影响
马丙现
贾瑜
申三国
范希庆
《郑州大学学报（自然科学版）》
CAS
1998
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