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题名ISSG及其氮化工艺对栅氧化层性能的改善
被引量：1
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作者
张红伟
高剑琴
曹永峰
彭树根
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机构
上海华力微电子有限公司
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2014年第2期124-127,141,共5页
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基金
国家重大科技资助项目(2011ZX02501)
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文摘
栅氧化层的击穿和漏电是阻碍半导体集成电路发展的重要因素,提高栅氧化层的均匀性可极大地改善栅氧化层的性能。通过引入N2等惰性气体,在高温下对原位水汽氧化法形成的栅氧化层进行实时退火处理。实验结果表明:与没有经过高温N2实时退火处理的栅氧化层相比,经过高温N2实时退火处理的栅氧化层表面均匀度可提高40%左右,栅氧界面态总电荷可减少一个数量级。PMOS器件负偏压不稳定性(NBTI)测试中0.1%样品失效时间(t0.1%)和50%样品失效时间(t50%)分别提高28.6%和40.7%。
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关键词
原位水汽生成(issg)
氮化工艺
栅氧化层
界面态
负偏压不稳定性(NBTI)
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Keywords
in-sltu stream generation （issg）
nitridation process
gate oxide
interface state
negative bias temperature instability （NBTI）
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分类号
TN305.5
[电子电信—物理电子学]
TN305.2
[电子电信—物理电子学]
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题名栅介质氧化层缺失缺陷的形成原因及解决方案
被引量：2
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作者
张红伟
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机构
上海华力微电子有限公司
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2015年第3期205-210,共6页
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基金
国家重大科技02专项资助项目(2011ZX02501)
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文摘
氮氧化技术是45 nm及以下技术节点栅介质制备的关键工艺,严格控制由氮氧化工艺所诱发的界面缺陷是提高栅介质质量的重点。研究了形成栅介质氧化层缺失缺陷的原因,并提出了解决方案。结果表明,原位水蒸气生成(ISSG)热氧化形成栅介质氧化层后的实时高温纯惰性氮化热处理工艺是形成栅介质氧化层缺失缺陷的主要原因;在实时高温纯惰性氮化热处理工艺中引入适量的O2,可以消除栅介质氧化层的缺失缺陷。数据表明,引入适量O2后,栅介质氧化层的界面陷阱密度(Dit)和界面总电荷密度(ΔQtot)分别减少了12.5%和26.1%;p MOS器件负偏压不稳定性(NBTI)测试中0.1%样品失效时间(t0.1%)和50%样品失效时间(t50%)分别提高了18%和39%;32 MB静态随机存储器(SRAM)在正常工作电压和最小工作电压分别提高了9%和13%左右。
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关键词
原位水蒸气生成(issg)
栅介质氧化层缺失
界面态
负偏压不稳定性(NBTI)
静态随机存储器(SRAM)成品率
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Keywords
in-situ stream generation（issg）
gate dielectric oxide missing
interface state
negative bias temperature instability（NBTI）
static random access memory（SRAM） yield
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分类号
TN305.2
[电子电信—物理电子学]
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