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原位水汽生长栅介质界面态特性和可靠性研究
被引量：
3
1
作者
孙凌
高超
杨华岳
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第9期803-806,共4页
介绍了基于原位水汽生长工艺的超薄栅介质膜的可靠性研究。通过电荷泵测试,对工艺参数与界面态密度的关系进行了定性的分析,然后通过热载流子退化和经时击穿的测试对原位水汽生长栅介质膜的可靠性进行了研究。通过测试发现,提高生长温...
介绍了基于原位水汽生长工艺的超薄栅介质膜的可靠性研究。通过电荷泵测试,对工艺参数与界面态密度的关系进行了定性的分析,然后通过热载流子退化和经时击穿的测试对原位水汽生长栅介质膜的可靠性进行了研究。通过测试发现,提高生长温度或减小氢气在反应气体中的比重可以获得更好的界面特性和可靠性,原位水汽生长工艺存在进一步提高的空间。
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关键词
原位水汽生长
热载流子注入
经时击穿
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职称材料
题名
原位水汽生长栅介质界面态特性和可靠性研究
被引量：
3
1
作者
孙凌
高超
杨华岳
机构
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
上海宏力半导体制造有限公司
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第9期803-806,共4页
文摘
介绍了基于原位水汽生长工艺的超薄栅介质膜的可靠性研究。通过电荷泵测试,对工艺参数与界面态密度的关系进行了定性的分析,然后通过热载流子退化和经时击穿的测试对原位水汽生长栅介质膜的可靠性进行了研究。通过测试发现,提高生长温度或减小氢气在反应气体中的比重可以获得更好的界面特性和可靠性,原位水汽生长工艺存在进一步提高的空间。
关键词
原位水汽生长
热载流子注入
经时击穿
Keywords
ISSG
HCI
TDDB
分类号
TN305.5 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
原位水汽生长栅介质界面态特性和可靠性研究
孙凌
高超
杨华岳
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008
3
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