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高密度电容器件的制备及其可靠性
1
作者
商庆杰
王敬轩
+2 位作者
董春晖
宋洁晶
杨志
《电子工艺技术》
2024年第3期13-16,共4页
介绍了一种基于微机械加工技术(MicroElectronMechanical System,MEMS)的硅基高密度电容芯片的制备方法。该电容芯片采用了深孔刻蚀、介质淀积生长以及原位掺杂多晶硅等工艺技术,实现了高击穿电压(50V@1μA)、高电容密度(38.8~39.5nF/mm...
介绍了一种基于微机械加工技术(MicroElectronMechanical System,MEMS)的硅基高密度电容芯片的制备方法。该电容芯片采用了深孔刻蚀、介质淀积生长以及原位掺杂多晶硅等工艺技术,实现了高击穿电压(50V@1μA)、高电容密度(38.8~39.5nF/mm^(2))的电容芯片制备。
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关键词
微系统芯片
高密度电容
深孔刻蚀
原位掺杂多晶硅
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职称材料
题名
高密度电容器件的制备及其可靠性
1
作者
商庆杰
王敬轩
董春晖
宋洁晶
杨志
机构
中国电子科技集团公司第十三研究所
出处
《电子工艺技术》
2024年第3期13-16,共4页
文摘
介绍了一种基于微机械加工技术(MicroElectronMechanical System,MEMS)的硅基高密度电容芯片的制备方法。该电容芯片采用了深孔刻蚀、介质淀积生长以及原位掺杂多晶硅等工艺技术,实现了高击穿电压(50V@1μA)、高电容密度(38.8~39.5nF/mm^(2))的电容芯片制备。
关键词
微系统芯片
高密度电容
深孔刻蚀
原位掺杂多晶硅
Keywords
microsystem chips
high capacitance density capacitor
deep trench etching
in-situ doped poly silicon
分类号
TN304 [电子电信—物理电子学]
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作者
出处
发文年
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1
高密度电容器件的制备及其可靠性
商庆杰
王敬轩
董春晖
宋洁晶
杨志
《电子工艺技术》
2024
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