谈谈反射式高能电子衍射的应用

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作者 朱兴国 《浙江大学学报（理学版）》 CAS CSCD 1995年第S1期143-145,共3页

本文介绍了应用反射式高能电子衍射(RHEED)对Mn在GaAs(001)面上的分子束外延结果的实时观察分析,不仅给GaAs(001)清洁表面的衍射图样以解释.而且对RHEED反映的体结构信息进行了观察分析,从而初步判定常温下亚稳态γ-Mn的结构.

关键词 高能电子衍射 反射式 布拉菲点阵 晶格常数 RHEED GAAS 面心立方 观察屏 分子束外延 点间距

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分子束外延反射式高能电子衍射的强度振荡采集系统及其应用

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作者 张晓秋 朱战萍 +4 位作者 孙殿照 孔梅影 曾一平 郑海群 阎春辉 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 1990年第3期205-207,共3页

在分子束外延(MBE)设备上设计和装配了一套反射式高能电子衍射(RHEED)强度振荡的采集系统。用本系统在MBE生产GaAs和Al_xGa_(1-x)As材料时观察了RHEED强度振荡现象。并“在位”得到GaAs和Al_xGa_(1-x)As材料的生长速率和Al_xGa_(1-x)As... 在分子束外延(MBE)设备上设计和装配了一套反射式高能电子衍射(RHEED)强度振荡的采集系统。用本系统在MBE生产GaAs和Al_xGa_(1-x)As材料时观察了RHEED强度振荡现象。并“在位”得到GaAs和Al_xGa_(1-x)As材料的生长速率和Al_xGa_(1-x)As材料的AlAs摩尔分数,即x值。 展开更多

关键词 高能电子衍射 分子束外延 采集系统 反射式 振荡现象 外延层 采集记录 摩尔分数 杂散光 超晶格

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反射式高能电子衍射强度振荡的自动测量系统

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作者 周铁城 陈可明 盛篪 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 1990年第4期265-268,共4页

本文介绍一套测量反射式高能电子衍射强度振荡的简单而有效的系统,并以此对Si(111)衬底上同质外延Si时的RHEED强度振荡特性进行了观测。

关键词 高能电子衍射 自动测量系统 反射式 同质外延 外延层 分子束外延生长 石英晶振 象素点 HEED 表面覆盖率

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微束斑RHEED类平行束电子枪设计

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作者 赵伟霞 史丽娜 +2 位作者 刘俊标 殷伯华 韩立 《光学精密工程》 北大核心 2025年第12期1876-1888,共13页

针对高分辨率反射式高能电子衍射仪(RHEED)在微电子制造与表面分析领域的应用需求,而且长工作距离、微束斑、小束半角的电子枪是实现RHEED高分辨检测的关键核心部件,研制了微束斑的RHEED类平行束电子枪,分析了电子枪的电子光学系统特性... 针对高分辨率反射式高能电子衍射仪(RHEED)在微电子制造与表面分析领域的应用需求,而且长工作距离、微束斑、小束半角的电子枪是实现RHEED高分辨检测的关键核心部件,研制了微束斑的RHEED类平行束电子枪,分析了电子枪的电子光学系统特性,采用电子光学仿真软件仿真设计了低像差聚焦透镜;搭建了实验平台对研制的电子枪进行了束斑直径、束流和束半角性能测试与高定向热解石墨(HOPG)样品的衍射成像测试。实验结果表明:在工作距离500 mm下,RHEED类平行束电子枪的束斑直径为47.1μm(加速电压30 kV),发射束流与束半角分别为144.96μA,0.289 mrad(加速电压15 kV),在HOPG样品上获得了清晰的强度与晶体结构因子相对应的衍射斑点。 展开更多

关键词 电子光学 反射式高能电子衍射 电子枪 类平行电子束

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高压强下外延生长的差分RHEED原位监测 被引量：1

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作者 雷震霖 杨乃恒 +4 位作者 于卓 成步文 李代宗 余金中 王启明 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 1998年第6期470-474,共5页

给出了能在较高压强（10（-1）Pa）下进行原位监控生长的差分RHEED系统的设计思想、结构性能等，同时给出了在LMBE技术中实际应用的结果，包括随着氧压强的增加衍射条纹所发生的变化。阐述了产生这一现象的原因，提出了需要进一步研究... 给出了能在较高压强（10（-1）Pa）下进行原位监控生长的差分RHEED系统的设计思想、结构性能等，同时给出了在LMBE技术中实际应用的结果，包括随着氧压强的增加衍射条纹所发生的变化。阐述了产生这一现象的原因，提出了需要进一步研究和改进的问题。 展开更多

关键词 反射式 高能电子衍射 外延生长 激光 薄膜

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生长温度和化学剂量比对MgZnO合金薄膜相结构的影响

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作者 吴春霞 申德振 范希武 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2008年第6期671-675,共5页

利用等离子辅助分子束外延技术,在蓝宝石c-平面上外延生长了ZnO单晶薄膜。原位反射式高能电子衍射结果表明,在650℃时样品为平整的表面。但X射线衍射测量表明,在此温度下添加Mg源生长的MgxZn1-xO合金薄膜,随Mg量的增加很快经历了六角相... 利用等离子辅助分子束外延技术,在蓝宝石c-平面上外延生长了ZnO单晶薄膜。原位反射式高能电子衍射结果表明,在650℃时样品为平整的表面。但X射线衍射测量表明,在此温度下添加Mg源生长的MgxZn1-xO合金薄膜,随Mg量的增加很快经历了六角相-混合相-立方相的相结构转变,这与扫描电子显微照片的直观结果相对应。分析指出该结果是由生长温度和Ⅱ、Ⅵ族元素的化学剂量比共同决定的。 展开更多

关键词 等离子辅助分子束外延 MgZnO合金 原位反射式高能电子衍射 X射线光电子能谱

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超高真空中SrTiO_3薄膜同质外延生长的过程研究 被引量：8

7

作者 李金隆 张鹰 +3 位作者 邓新武 刘兴钊 陶伯万 李言荣 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第1期63-66,共4页

在超高真空下利用激光分子束外延 (LMBE)方法基于SrTiO3 (10 0 )单晶基片同质外延SrTiO3 薄膜。通过反射式高能电子衍射 (RHEED)对生长过程进行原位监测 ,发现对基片的预热处理明显有利于改善其晶面结构 ,当在其上同质外延Sr TiO3 薄膜... 在超高真空下利用激光分子束外延 (LMBE)方法基于SrTiO3 (10 0 )单晶基片同质外延SrTiO3 薄膜。通过反射式高能电子衍射 (RHEED)对生长过程进行原位监测 ,发现对基片的预热处理明显有利于改善其晶面结构 ,当在其上同质外延Sr TiO3 薄膜时 ,容易实现单晶层状生长模式 ,并得到原子级平整度的铁电薄膜。 展开更多

关键词 超高真空 SRTIO3薄膜 同质外延生长 激光分子束外延法 LMBE 反射式高能电子衍射 铁电薄膜

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PLD方法生长ZnO/Si异质外延薄膜的研究 被引量：4

8

作者 赵杰 胡礼中 +4 位作者 王兆阳 李银丽 王志俊 张贺秋 赵宇 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第12期1879-1882,共4页

用脉冲激光沉积法在Si(111)衬底上制备了ZnO薄膜。RHEED和XRD测试表明,直接沉积在Si衬底上的ZnO薄膜为多晶薄膜,且薄膜的结晶质量随衬底温度的升高而下降。相比之下,生长在一低温同质缓冲层上的ZnO薄膜则展现出规则的斑点状RHEED图像,... 用脉冲激光沉积法在Si(111)衬底上制备了ZnO薄膜。RHEED和XRD测试表明,直接沉积在Si衬底上的ZnO薄膜为多晶薄膜,且薄膜的结晶质量随衬底温度的升高而下降。相比之下,生长在一低温同质缓冲层上的ZnO薄膜则展现出规则的斑点状RHEED图像,说明它们都是外延生长的高质量ZnO薄膜。XRD与室温PL谱分析表明,外延ZnO薄膜的质量随衬底温度的升高得到明显的改善。在650℃生长的样品具有最好的结构和发光特性,其(002)衍射峰的半高宽为0.185°,UV峰的半高宽仅为86meV。 展开更多

关键词 ZNO薄膜 反射式高能电子衍射 X射线衍射 光致发光

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应力对LaAlO_3/BaTiO_3超晶格结构及性能的影响 被引量：3

9

作者 李燕 郝兰众 +2 位作者 邓宏 张鹰 姬红 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第3期399-402,共4页

采用激光脉冲分子束外延技术,在(100)取向SrTiO3或Nb:SrTiO3单晶基片上成功外延生长不同结构的LaAlO3/BaTiO3超晶格。利用高能电子衍射技术和X射线衍射技术对LaAlO3/BaTiO3超晶格的生长过程和微结构进行了表征。发现由于LaAlO3和BaTiO3... 采用激光脉冲分子束外延技术,在(100)取向SrTiO3或Nb:SrTiO3单晶基片上成功外延生长不同结构的LaAlO3/BaTiO3超晶格。利用高能电子衍射技术和X射线衍射技术对LaAlO3/BaTiO3超晶格的生长过程和微结构进行了表征。发现由于LaAlO3和BaTiO3晶格常数的不匹配,在LaAlO3/BaTiO3超晶格中存在应变,该应变又对超晶格的铁电性能具有很大的影响。而不同的结构存在的应变不同,非对称结构的LaAlO3/BaTiO3超晶格的应变随每个周期中LaAlO3层厚度的增加、BaTiO3层厚度的减少而增大,其剩余极化强度不仅未减少,反而增加。 展开更多

关键词 超晶格 反射式高能电子衍射 X射线衍射 剩余极化

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衬底温度对PLD法制备ZnO薄膜结构及发光特性的影响 被引量：4

10

作者 赵杰 胡礼中 +1 位作者 宫爱玲 刘维峰 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第5期724-726,729,共4页

在60Pa的高氧压气氛中，用脉冲激光沉积法以Si（111）为衬底在不同温度下制备了ZnO薄膜。RHEED和XRD结果表明，所有样品都是c轴高度择优取向的多晶ZnO薄膜。随衬底温度的升高，ZnO薄膜（002）衍射峰的半高宽不断减小，从0．227～0．185&... 在60Pa的高氧压气氛中，用脉冲激光沉积法以Si（111）为衬底在不同温度下制备了ZnO薄膜。RHEED和XRD结果表明，所有样品都是c轴高度择优取向的多晶ZnO薄膜。随衬底温度的升高，ZnO薄膜（002）衍射峰的半高宽不断减小，从0．227～0．185°。对（002）衍射峰的2θ值分析表明，650℃下生长的ZnO薄膜几乎处于元应力的状态，而在较低或较高温度下生长的薄膜中都存在着一定程度的c轴压应力。室温PL谱测试说明在650℃生长的ZnO薄膜具有最强的紫外发射峰和最窄的UV峰半高宽（83meV）。在700℃得到的样品PL谱中，检测到一个位于3．25eV处的低能发射峰。经分析，该峰可能是来自于施主-受主对（DAP）的跃迁。 展开更多

关键词 ZNO薄膜 反射式高能电子衍射 X射线衍射 光致发光

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GaSb薄膜生长的RHEED研究 被引量：3

11

作者 李林 王勇 +2 位作者 刘国军 李梅 王晓华 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期139-142,共4页

采用分子束外延技术,在GaAs衬底上生长GaSb薄膜时,利用反射式高能电子衍射仪(RHEED)对衬底表面清洁状况、外延层厚度等进行在线监控。通过RHEED讨论低温缓冲层对GaSb薄膜表面结构和生长机制的作用,可以估算衬底温度,并能计算出薄膜的生... 采用分子束外延技术,在GaAs衬底上生长GaSb薄膜时,利用反射式高能电子衍射仪(RHEED)对衬底表面清洁状况、外延层厚度等进行在线监控。通过RHEED讨论低温缓冲层对GaSb薄膜表面结构和生长机制的作用,可以估算衬底温度,并能计算出薄膜的生长速率。实验测量GaSb的生长周期为1.96 s,每秒沉积0.51单分子层。低温缓冲层提高了在GaAs衬底上外延GaSb薄膜的生长质量。 展开更多

关键词 GaSb薄膜 反射式高能电子衍射仪 分子束外延 低温缓冲层 表面结构

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分子束外延用碲锌镉(211)B衬底湿化学预处理技术研究 被引量：3

12

作者 吴亮亮 王丛 +3 位作者 高达 王经纬 刘铭 周立庆 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2019年第5期571-576,共6页

主要分析了不同溴甲醇溶液腐蚀方法对分子束外延用碲锌镉(211)B衬底表面粗糙度及反射式高能电子衍射(RHEED)图样的影响。实验发现化学抛光后未使用溴甲醇腐蚀的CZT(211)B衬底虽然表面粗糙度较小(小于1.0 nm),但表面RHEED衍射图样无任何... 主要分析了不同溴甲醇溶液腐蚀方法对分子束外延用碲锌镉(211)B衬底表面粗糙度及反射式高能电子衍射(RHEED)图样的影响。实验发现化学抛光后未使用溴甲醇腐蚀的CZT(211)B衬底虽然表面粗糙度较小(小于1.0 nm),但表面RHEED衍射图样无任何衍射点或者条纹;采用0.05%溴体积比的溴甲醇溶液腐蚀CZT(211)B衬底时,即使腐蚀极短的时间,衬底表面粗糙度也达到2.0 nm以上,且表面存在高密度的柱状物,衬底表面RHEED图样呈圆点状或条纹较粗且存在亮点;采用0.01%溴体积比的溴甲醇溶液腐蚀CZT(211)B衬底,表面粗糙度可控制在1.0 nm左右,同时RHEED图样为特征的CZT(211)B晶面短条纹衍射图样,条纹清晰,同时多片衬底重复实验结果一致。同时在其上分子束外延的未优化的中波碲镉汞材料半峰宽为(49.1±5.9)arcsec,组分为0.3083±0.0003,厚度为6.54±0.019μm。 展开更多

关键词 碲锌镉 溴甲醇 表面粗糙度 反射式高能电子衍射 碲镉汞

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外延薄膜生长的实时监测分析研究 被引量：2

13

作者 李金隆 张鹰 +3 位作者 邓新武 刘兴钊 陶伯万 李言荣 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第2期265-266,270,共3页

　利用反射式高能电子衍射(RHEED)在超高真空中对SrTiO3(100)、LaAlO3(100)、Si(100)单晶基片进行分析,讨论了衍射花样与晶体表面结构的对应关系,计算出表面的晶体学参数,同时采用激光分子束外延技术同质外延生长SrTiO3薄膜,根据RHEED... 　利用反射式高能电子衍射(RHEED)在超高真空中对SrTiO3(100)、LaAlO3(100)、Si(100)单晶基片进行分析,讨论了衍射花样与晶体表面结构的对应关系,计算出表面的晶体学参数,同时采用激光分子束外延技术同质外延生长SrTiO3薄膜,根据RHEED衍射图样及强度振荡曲线实时监控薄膜的生长。 展开更多

关键词 薄膜生长 实时监测 RHEED 反射式高能电子衍射 外延生长

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激光分子束外延BaTiO_3/SrTiO_3超晶格的晶格应变研究 被引量：2

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作者 姜斌 蒋书文 +2 位作者 李燕 张鹰 李言荣 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第3期196-199,共4页

采用脉冲激光分子束外延(PLMBE)方法,通过优化的工艺参数,在SrTiO3(100)单晶基片上外延结构为(8/8)的BaTiO3/SrTiO3超晶格薄膜。综合利用反射式高能电子衍射系统(RHEED)、高分辨率X射线衍射(HRXRD)以及高分辨率透射电镜选区电子衍射(SA... 采用脉冲激光分子束外延(PLMBE)方法,通过优化的工艺参数,在SrTiO3(100)单晶基片上外延结构为(8/8)的BaTiO3/SrTiO3超晶格薄膜。综合利用反射式高能电子衍射系统(RHEED)、高分辨率X射线衍射(HRXRD)以及高分辨率透射电镜选区电子衍射(SAED)技术,研究超晶格薄膜的晶格应变现象和规律。研究结果表明,在制备的BaTiO3/SrTiO3超晶格薄膜中,BaTiO3晶胞面外晶格增大,面内晶格减小;而SrTiO3晶胞面内及面外方向晶格都被拉伸,但面外晶格拉伸程度较大,SrTiO3晶胞产生了与BaTiO3晶胞方向一致的四方相转变。 展开更多

关键词 晶格应变 超晶格 脉冲激光分子束外延 反射式高能电子衍射

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PLD工艺制备高质量ZnO／Si异质外延薄膜 被引量：2

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作者 赵杰 胡礼中 王维维 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第6期956-958,共3页

采用脉冲激光沉积工艺在不同条件下以Si(111)为衬底制备了ZnO薄膜。通过对不同氧压下(0～50Pa)沉积的样品的室温PL谱测试表明,氧气氛显著地提高了薄膜的发光质量,在50Pa氧气中沉积的ZnO薄膜具有最强的近带边UV发射。XRD测试说明在氧气... 采用脉冲激光沉积工艺在不同条件下以Si(111)为衬底制备了ZnO薄膜。通过对不同氧压下(0～50Pa)沉积的样品的室温PL谱测试表明,氧气氛显著地提高了薄膜的发光质量,在50Pa氧气中沉积的ZnO薄膜具有最强的近带边UV发射。XRD测试说明在氧气氛中得到的薄膜结晶质量较差,没有单一的(002)取向。利用一低温(500℃)沉积的ZnO薄膜作缓冲层,得到了高质量的ZnO外延膜。与直接沉积的ZnO膜相比,生长在缓冲层上的ZnO膜展现出规则的斑点状衍射花样,而且拥有更强的UV发射和更窄的UV峰半高宽(98meV)。对不同温度下沉积的缓冲层进行了RHEED表征,结果表明,在600～650℃之间生长缓冲层,有望进一步改善ZnO外延膜的质量。 展开更多

关键词 ZNO薄膜 光致发光 X射线衍射 反射式高能电子衍射

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In_(0.14)Ga_(0.86)As/GaAs(4×3)表面的RHEED及STM分析 被引量：5

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作者 尚林涛 罗子江 +5 位作者 周勋 郭祥 张毕禅 何浩 贺业全 丁召 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第3期256-262,共7页

以在UHV/MBE-STM联合系统上生长的19ML的InGaAs/GaAs样品为研究对象,先在GaAs(001)衬底上外延生长0.37μm的GaAs缓冲层,再外延生长19ML的InGaAs,通过样品生长速率大致确定其组分为In0.14Ga0.86As,通过反射式高能电子衍射(RHEED)及扫描... 以在UHV/MBE-STM联合系统上生长的19ML的InGaAs/GaAs样品为研究对象,先在GaAs(001)衬底上外延生长0.37μm的GaAs缓冲层,再外延生长19ML的InGaAs,通过样品生长速率大致确定其组分为In0.14Ga0.86As,通过反射式高能电子衍射(RHEED)及扫描隧道显微镜分析发现其表面主要由占大多数的4×3及少量的α2(2×4)重构混合而成,并用软件模拟RHEED对实验结果进行了验证。 展开更多

关键词 反射式高能电子衍射分子束外延扫描隧道显微镜InGaAs表面重构模拟

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RHEED在计算Al_2O_3晶面间距中的应用 被引量：2

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作者 王兆阳 胡礼中 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第1期73-75,共3页

反射式高能电子衍射仪(RHEED)是一种表面分析工具,以往都是用来对晶体进行定性观察,以研究晶体的结晶状况,很少用来进行晶体结构的定量计算。在分析RHEED的工作原理的基础上,研究了Al2O3衍射条纹宽度、电子束入射方向和晶面方向之间的关... 反射式高能电子衍射仪(RHEED)是一种表面分析工具,以往都是用来对晶体进行定性观察,以研究晶体的结晶状况,很少用来进行晶体结构的定量计算。在分析RHEED的工作原理的基础上,研究了Al2O3衍射条纹宽度、电子束入射方向和晶面方向之间的关系,并尝试利用RHEED来分析和计算Al2O3(0001)面上两个重要方向上的晶面间距,得到了理想的结果。由于RHEED是一种原位监测仪器,所以可对薄膜的生长进行实时原位监测。在测晶面间距等常数时,与对样品要求极高的透射电子显微镜相比,RHEED更方便。 展开更多

关键词 反射式高能电子衍射仪 晶面间距 氧化铝

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GaAs同质外延生长过程的RHEED分析

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作者 熊政伟 王学敏 +3 位作者 张伟斌 姜帆 吴卫东 孙卫国 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第11期831-835,共5页

采用激光分子束外延方法(L-MBE),在GaAs(001)衬底上同质外延GaAs薄膜。利用反射式高能电子衍射(RHEED)研究了材料沉积过程中的各级条纹及其强度的变化,进而得出GaAs薄膜外延生长的适宜激光能量和沉积温度分别为500 mJ和570℃。RHEED强... 采用激光分子束外延方法(L-MBE),在GaAs(001)衬底上同质外延GaAs薄膜。利用反射式高能电子衍射(RHEED)研究了材料沉积过程中的各级条纹及其强度的变化,进而得出GaAs薄膜外延生长的适宜激光能量和沉积温度分别为500 mJ和570℃。RHEED强度随时间的变化曲线表明,GaAs为良好的层状外延生长模式,并随着沉积时间延长,层状生长模式逐渐向岛状模式转变。实验研究还表明层状生长的GaAs薄膜经表面弛豫后,可以得到更好的平整表面,并出现GaAs(001)-(2×4)的表面重构。原位X射线光电子能谱仪(XPS)研究表明沿(001)面外延的GaAs薄膜表面Ga∶As化学计量比约为52∶48,出现Ga的聚集。 展开更多

关键词 激光分子束外延 反射式高能电子衍射 生长模式 表面驰豫 表面重构

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GaAs(001)_β2(2×4)表面RHEED图谱的虚拟设计

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作者 崔英善 张正平 《计算机工程与应用》 CSCD 北大核心 2009年第6期82-84,88,共4页

为了保证有关国内一流大型仪器设备的实验教学质量,同时还能节省高校的实验耗费,在LabVIEW8.2开发环境下,通过对反射式高能电子衍射仪(RHEED)原理、样品砷化镓GaAs(001)_β2(2×4)表面原子结构及相关固体物理学知识的深入探究,运用... 为了保证有关国内一流大型仪器设备的实验教学质量,同时还能节省高校的实验耗费,在LabVIEW8.2开发环境下,通过对反射式高能电子衍射仪(RHEED)原理、样品砷化镓GaAs(001)_β2(2×4)表面原子结构及相关固体物理学知识的深入探究,运用图形化编程语言,采用数据流编程方式,设计实现了理论情况下的GaAs(001)_β2(2×4)表面原子结构RHEED图谱。该阶段性成果使得虚拟RHEED实验系统的研究开发有了突破性进展。 展开更多

关键词 虚拟仪器 虚拟仪器开发平台(LabVIEW) 砷化镓(GaAs) 反射式高能电子衍射仪(RHEED)图谱

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脉冲激光沉积法在蓝宝石衬底上制备a轴取向YSZ薄膜 被引量：1

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作者 经晶 朱俊 +2 位作者 罗文博 张鹰 李言荣 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第2期144-148,共5页

采用脉冲激光沉积方法,通过金红石相TiO2(200)纳米诱导层在蓝宝石衬底上生长了(200)取向的萤石相钇稳定氧化锆(YSZ)薄膜。通过反射式高能电子衍射对薄膜生长过程进行原位监测;用XRD分析进行后位的薄膜结构表征;使用原子力显微镜来观测... 采用脉冲激光沉积方法,通过金红石相TiO2(200)纳米诱导层在蓝宝石衬底上生长了(200)取向的萤石相钇稳定氧化锆(YSZ)薄膜。通过反射式高能电子衍射对薄膜生长过程进行原位监测;用XRD分析进行后位的薄膜结构表征;使用原子力显微镜来观测薄膜的形貌及晶粒大小。结果表明,我们成功地在蓝宝石衬底上外延了具有三重旋转织构的a轴取向萤石相YSZ薄膜,其外延关系为YSZ(200)∥TiO2(200)∥Al2O3(0001);YSZ[010]∥TiO2[001]∥Al2O3[11-20]。 展开更多

关键词 YSZ薄膜 外延生长 脉冲激光沉积 反射式高能电子衍射

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