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对异型硅岛实现的厚膜全耗尽SOI MOSFET的模拟研究
1
作者
杨胜齐
何进
+1 位作者
黄如
张兴
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第11期1605-1608,共4页
本文提出了用异型硅岛实现的厚膜全耗尽 (FD)SOIMOSFET的新结构 ,并分析了其性能与结构参数的关系 .通过在厚膜SOIMOSFET靠近背栅的界面形成一个相反掺杂的硅岛 ,从而使得厚膜SOIMOSFET变成全耗尽器件 .二维模拟显示 ,通过对异型硅岛的...
本文提出了用异型硅岛实现的厚膜全耗尽 (FD)SOIMOSFET的新结构 ,并分析了其性能与结构参数的关系 .通过在厚膜SOIMOSFET靠近背栅的界面形成一个相反掺杂的硅岛 ,从而使得厚膜SOIMOSFET变成全耗尽器件 .二维模拟显示 ,通过对异型硅岛的宽度、厚度、掺杂浓度以及在沟道中位置的分析与设计 ,厚膜SOIMOSFET不仅实现了全耗尽 ,从而克服了其固有的Kink效应 ,而且驱动电流也大大增加 ,器件速度明显提高 ,同时短沟性能也得到改善 .模拟结果证明 :优化的异型硅岛应该位于硅膜的底部中央处 ,整个宽度约为沟道长度的五分之三 ,厚度大约等于硅膜厚度的一半 ,掺杂浓度只要高出硅膜的掺杂浓度即可 .重要的是 ,异型硅岛的设计允许其厚度、宽度、掺杂浓度以及位置的较大波动 .可以看出 。
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关键词
异型硅岛
厚
膜
全耗尽SOI
KINK效应
集成电路
厚膜器件
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职称材料
添加剂和溶剂退火协同优化制备高性能厚膜有机太阳能电池
2
作者
杨航
凡晨岭
+3 位作者
崔乃哲
李肖肖
张雯婧
崔超华
《高等学校化学学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2023年第9期110-117,共8页
通过溶剂添加剂1-氯萘(CN)和二硫化碳(CS_2)溶剂退火(SVA)协同优化了基于窄带隙小分子受体的厚膜活性层形貌,揭示了该策略对共混膜形貌的调控机理,研究了其对活性层中的载流子动力学以及器件光伏性能的影响.结果表明,CN添加剂可以有效...
通过溶剂添加剂1-氯萘(CN)和二硫化碳(CS_2)溶剂退火(SVA)协同优化了基于窄带隙小分子受体的厚膜活性层形貌,揭示了该策略对共混膜形貌的调控机理,研究了其对活性层中的载流子动力学以及器件光伏性能的影响.结果表明,CN添加剂可以有效促进受体材料结晶聚集,CS_2溶剂退火能够进一步提升活性层材料分子堆积的有序性,同时优化给受体材料相分离尺寸,降低共混膜表面的粗糙度,实现了良好的纳米尺寸相分离形貌.基于CN+SVA处理的PM6∶Y6厚膜(300 nm)器件的电荷传输和复合性质得到改善,取得了15.23%的光电转换效率(PCE),显著高于未经处理(PCE=11.75%)和仅用CN处理(PCE=13.48%)的光伏器件.该策略具有良好的适用性,将基于PTQ10∶m-BTP-PhC6器件的光伏性能从13.22%提升至16.92%.
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关键词
有机太阳能电池
厚膜器件
活性层形貌
液体添加剂
溶剂退火
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职称材料
题名
对异型硅岛实现的厚膜全耗尽SOI MOSFET的模拟研究
1
作者
杨胜齐
何进
黄如
张兴
机构
北京大学微电子学研究所
出处
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第11期1605-1608,共4页
基金
国家重点基础研究专项基金 (No .G2 0 0 0 0 3650 1 )
文摘
本文提出了用异型硅岛实现的厚膜全耗尽 (FD)SOIMOSFET的新结构 ,并分析了其性能与结构参数的关系 .通过在厚膜SOIMOSFET靠近背栅的界面形成一个相反掺杂的硅岛 ,从而使得厚膜SOIMOSFET变成全耗尽器件 .二维模拟显示 ,通过对异型硅岛的宽度、厚度、掺杂浓度以及在沟道中位置的分析与设计 ,厚膜SOIMOSFET不仅实现了全耗尽 ,从而克服了其固有的Kink效应 ,而且驱动电流也大大增加 ,器件速度明显提高 ,同时短沟性能也得到改善 .模拟结果证明 :优化的异型硅岛应该位于硅膜的底部中央处 ,整个宽度约为沟道长度的五分之三 ,厚度大约等于硅膜厚度的一半 ,掺杂浓度只要高出硅膜的掺杂浓度即可 .重要的是 ,异型硅岛的设计允许其厚度、宽度、掺杂浓度以及位置的较大波动 .可以看出 。
关键词
异型硅岛
厚
膜
全耗尽SOI
KINK效应
集成电路
厚膜器件
Keywords
anti doped silicon island
thick film fully depleted SOI
Kink effect
分类号
TN405 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
添加剂和溶剂退火协同优化制备高性能厚膜有机太阳能电池
2
作者
杨航
凡晨岭
崔乃哲
李肖肖
张雯婧
崔超华
机构
苏州大学先进光电材料重点实验室
江苏省先进负碳技术重点实验室
出处
《高等学校化学学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2023年第9期110-117,共8页
基金
国家自然科学基金(批准号:22022509,22279086,51873140)
江苏省高校自然科学研究项目(批准号:21KJA150006)资助。
文摘
通过溶剂添加剂1-氯萘(CN)和二硫化碳(CS_2)溶剂退火(SVA)协同优化了基于窄带隙小分子受体的厚膜活性层形貌,揭示了该策略对共混膜形貌的调控机理,研究了其对活性层中的载流子动力学以及器件光伏性能的影响.结果表明,CN添加剂可以有效促进受体材料结晶聚集,CS_2溶剂退火能够进一步提升活性层材料分子堆积的有序性,同时优化给受体材料相分离尺寸,降低共混膜表面的粗糙度,实现了良好的纳米尺寸相分离形貌.基于CN+SVA处理的PM6∶Y6厚膜(300 nm)器件的电荷传输和复合性质得到改善,取得了15.23%的光电转换效率(PCE),显著高于未经处理(PCE=11.75%)和仅用CN处理(PCE=13.48%)的光伏器件.该策略具有良好的适用性,将基于PTQ10∶m-BTP-PhC6器件的光伏性能从13.22%提升至16.92%.
关键词
有机太阳能电池
厚膜器件
活性层形貌
液体添加剂
溶剂退火
Keywords
Organic solar cell
Thick-film device
Active layer morphology
Solvent additive
Solvent vapor annealing
分类号
O631 [理学—高分子化学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
对异型硅岛实现的厚膜全耗尽SOI MOSFET的模拟研究
杨胜齐
何进
黄如
张兴
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002
0
在线阅读
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职称材料
2
添加剂和溶剂退火协同优化制备高性能厚膜有机太阳能电池
杨航
凡晨岭
崔乃哲
李肖肖
张雯婧
崔超华
《高等学校化学学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2023
0
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下载PDF
职称材料
已选择
0
条
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参考文献
引证文献
统计分析
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