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单晶硅纳米级压痕过程分子动力学仿真
被引量：
4
1
作者
郭晓光
郭东明
+1 位作者
康仁科
金洙吉
《大连理工大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第2期205-209,共5页
对内部无缺陷的单晶硅纳米级压痕过程进行了分子动力学仿真,从原子空间角度分析了单晶硅纳米级压痕过程的瞬间原子位置、作用力和势能等变化,解释了压痕过程.研究表明:磨粒逐渐向单晶硅片的逼进和压入,使得磨粒下方的硅晶格在磨粒的作...
对内部无缺陷的单晶硅纳米级压痕过程进行了分子动力学仿真,从原子空间角度分析了单晶硅纳米级压痕过程的瞬间原子位置、作用力和势能等变化,解释了压痕过程.研究表明:磨粒逐渐向单晶硅片的逼进和压入,使得磨粒下方的硅晶格在磨粒的作用下发生了剪切挤压变形,磨粒作用产生的能量以晶格应变能的形式贮存在单晶硅的晶格中(即硅原子间势能),因此硅原子间势能随着力的增加而不断增加,当超过一定值且不足以形成位错时,硅的原子键就会断裂,形成非晶层,堆积在金刚石磨粒的下方.当磨粒逐渐离开单晶硅片时,非晶层原子进行重构,释放部分能量,从而达到新的平衡状态.
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关键词
压痕过程
分子动力学仿真
单晶硅
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职称材料
基于分子动力学的单晶硅纳米压痕过程分析
被引量：
2
2
作者
唐赛
王永强
《内燃机与配件》
2022年第1期111-113,共3页
基于分子动力学角度,本文主要分析了单晶硅的纳米压痕过程,并尝试解释其瞬间原子位置、作用力变化以及其压痕过程等原理。经过笔者试验发现:磨粒的不断压入,会使单晶硅的硅晶格发生变成,且磨粒产生的能量会以应变能的形式存储在晶格之...
基于分子动力学角度,本文主要分析了单晶硅的纳米压痕过程,并尝试解释其瞬间原子位置、作用力变化以及其压痕过程等原理。经过笔者试验发现:磨粒的不断压入,会使单晶硅的硅晶格发生变成,且磨粒产生的能量会以应变能的形式存储在晶格之中。同时,随着硅原子势能增加到一定数值时,硅原子键就会以断裂形式变成非晶层堆积在磨粒下方。当磨粒离开单晶硅时,非晶层开始重构,释放能量,达到新的平衡状态。
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关键词
压痕过程
分子动力学仿真
单晶硅
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职称材料
题名
单晶硅纳米级压痕过程分子动力学仿真
被引量：
4
1
作者
郭晓光
郭东明
康仁科
金洙吉
机构
大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室
出处
《大连理工大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第2期205-209,共5页
基金
国家自然科学基金资助项目(重大项目50390061)
国家杰出青年科学基金资助项目(50325518)
文摘
对内部无缺陷的单晶硅纳米级压痕过程进行了分子动力学仿真,从原子空间角度分析了单晶硅纳米级压痕过程的瞬间原子位置、作用力和势能等变化,解释了压痕过程.研究表明:磨粒逐渐向单晶硅片的逼进和压入,使得磨粒下方的硅晶格在磨粒的作用下发生了剪切挤压变形,磨粒作用产生的能量以晶格应变能的形式贮存在单晶硅的晶格中(即硅原子间势能),因此硅原子间势能随着力的增加而不断增加,当超过一定值且不足以形成位错时,硅的原子键就会断裂,形成非晶层,堆积在金刚石磨粒的下方.当磨粒逐渐离开单晶硅片时,非晶层原子进行重构,释放部分能量,从而达到新的平衡状态.
关键词
压痕过程
分子动力学仿真
单晶硅
Keywords
indentation
molecular dynamics simulation
monocrystal silicon
分类号
TG580.1 [金属学及工艺—金属切削加工及机床]
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职称材料
题名
基于分子动力学的单晶硅纳米压痕过程分析
被引量：
2
2
作者
唐赛
王永强
机构
南华大学
出处
《内燃机与配件》
2022年第1期111-113,共3页
文摘
基于分子动力学角度,本文主要分析了单晶硅的纳米压痕过程,并尝试解释其瞬间原子位置、作用力变化以及其压痕过程等原理。经过笔者试验发现:磨粒的不断压入,会使单晶硅的硅晶格发生变成,且磨粒产生的能量会以应变能的形式存储在晶格之中。同时,随着硅原子势能增加到一定数值时,硅原子键就会以断裂形式变成非晶层堆积在磨粒下方。当磨粒离开单晶硅时,非晶层开始重构,释放能量,达到新的平衡状态。
关键词
压痕过程
分子动力学仿真
单晶硅
Keywords
indentation process
molecular dynamics simulation
single crystal silicon
分类号
TG1 [金属学及工艺—金属学]
O64 [理学—物理化学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
单晶硅纳米级压痕过程分子动力学仿真
郭晓光
郭东明
康仁科
金洙吉
《大连理工大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008
4
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职称材料
2
基于分子动力学的单晶硅纳米压痕过程分析
唐赛
王永强
《内燃机与配件》
2022
2
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职称材料
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