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轴对称压电-压磁圆柱夹层结构的圣维南端部效应
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作者 薛雁 刘金喜 《计算力学学报》 CAS CSCD 北大核心 2013年第5期689-692,共4页
研究了半无限长轴对称压电-压磁夹层结构的圆柱体圣维南端部效应的衰减问题。圆柱的端部承受自平衡磁电弹载荷;圆柱的内外表面为机械自由表面,但承受不同的电磁边界条件,即电学短路或电学开路及磁学短路或磁学开路边界条件。基于横贯各... 研究了半无限长轴对称压电-压磁夹层结构的圆柱体圣维南端部效应的衰减问题。圆柱的端部承受自平衡磁电弹载荷;圆柱的内外表面为机械自由表面,但承受不同的电磁边界条件,即电学短路或电学开路及磁学短路或磁学开路边界条件。基于横贯各向同性压电或压磁材料在轴对称圆柱坐标系下的本构方程,推导了关于衰减率的特征方程并求得问题的数值解。结果表明,边界条件、内外径之比、材料厚度比对结构的衰减率都有显著的影响。 展开更多
关键词 圣维南原理 衰减率 压电-压磁夹层结构 圆柱体 轴对称
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