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压电谐振器等效电路参数的测量
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作者 曹良足 殷丽霞 高慧丽 《压电与声光》 CAS 北大核心 2024年第1期79-82,共4页
压电谐振器是测量压电材料性能的基本元件。该文基于微波网络理论和压电谐振器的特性,提出了一种利用网络分析仪和电容测试仪测量压电谐振器等效电路参数的方法,并推导出等效电路参数与谐振频率、反谐振频率和插入损耗的关系式。制作了... 压电谐振器是测量压电材料性能的基本元件。该文基于微波网络理论和压电谐振器的特性,提出了一种利用网络分析仪和电容测试仪测量压电谐振器等效电路参数的方法,并推导出等效电路参数与谐振频率、反谐振频率和插入损耗的关系式。制作了3种压电谐振器样品,用网络分析仪和电容测试仪测量了这3种样品的性能参数,计算出压电谐振器的等效电路参数。最后用微波仿真软件仿真的等效电路传输曲线与实测曲线吻合,从而验证了该方法的有效性。与传统方法相比,该方法具有快速、简单的优点。 展开更多
关键词 压电谐振器 等效电路参数 谐振频率 谐振频率 自由电容
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基于兰姆波压电谐振器的高频低相噪MEMS振荡器仿真研究
2
作者 赵颖 崔向东 《压电与声光》 CAS 北大核心 2024年第2期191-196,共6页
发达的现代通信设备对时钟源器件提出了更高的要求,在保障频率信号稳定的同时还需要器件具备可集成、微型化等特点,微机电系统(MEMS)振荡器因其具备这些优势,已逐渐替代传统振荡器,成为电子设备中信号源的常用元器件。该文设计了一种MEM... 发达的现代通信设备对时钟源器件提出了更高的要求,在保障频率信号稳定的同时还需要器件具备可集成、微型化等特点,微机电系统(MEMS)振荡器因其具备这些优势,已逐渐替代传统振荡器,成为电子设备中信号源的常用元器件。该文设计了一种MEMS振荡器并对其进行仿真测试,该振荡器的核心选频器件由Lamb波压电谐振器组成,在应用于振荡电路前,对设计的MEMS谐振器进行了仿真测试,并提出两种优化其寄生模态的方法,所得谐振器的品质因数(Q)为1357.5,串联谐振频率为70.384 MHz。将优化后谐振器应用于振荡电路后,对振荡器输出信号和相位噪声进行测试,结果表明,MEMS振荡器的输出载波频率为70.58 MHz,相位噪声为-64.299 dBc/Hz@1 Hz及-144.209 dBc/Hz@10 kHz。 展开更多
关键词 压电谐振器 寄生模态抑制 低相位噪声 微机电系统(MEMS)振荡器
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超薄硅衬底氮化铝Lamb波压电谐振器 被引量:6
3
作者 李传宇 孔慧 +4 位作者 唐玉国 张芷齐 郭振 张威 周连群 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第2期371-379,共9页
针对Lamb波压电声波传感器高品质因数(Q值)、低检测极限(LOD)和易集成的性能要求,本文基于SOI(Siliconon-insulator)硅片,通过底层硅(Handling layer)干法刻蚀和中间层(Boxing layer)自截止的方法实现2μm超薄均一的硅衬底结构,然后沉积... 针对Lamb波压电声波传感器高品质因数(Q值)、低检测极限(LOD)和易集成的性能要求,本文基于SOI(Siliconon-insulator)硅片,通过底层硅(Handling layer)干法刻蚀和中间层(Boxing layer)自截止的方法实现2μm超薄均一的硅衬底结构,然后沉积2μm厚具备高C轴择优取向的氮化铝(AlN)压电薄膜。传感器薄膜区域外设置双端增强反射栅结构用于提高Q值,从而有效降低器件的检测极限,并通过微量水分测试验证性能。该谐振器零阶反对称模式(A0)和零阶对称模式(S0)的谐振状态的实测结果和COMSOL二维模型仿真结果一致,所制作的Lamb波谐振器A0模式的主峰Q值为703,S0模式的主峰Q值为403。微量水分测试S0模式的检测极限优于A0模式,最低检测极限值为0.06%RH。结果表明,氮化铝超薄硅衬底Lamb波压电谐振器能够实现微量水分等高精度检测。 展开更多
关键词 压电谐振器 Lamb波薄膜 氮化铝 SOI硅片 品质因数 微量水分检测
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压电谐振器的分谐频振动与混沌行为
4
作者 张宇 徐从元 +1 位作者 姜文华 杜功焕 《声学技术》 CSCD 1997年第3期130-131,共2页
压电谐振器的分谐频振动与混沌行为张宇徐从元姜文华杜功焕(南京大学声学研究所,近代声学国家重点实验室南京·210093)1引言最近我们应用激光探针技术[1]成功地观测了压电谐振器的分谐频振动和混沌行为。本文中,我们... 压电谐振器的分谐频振动与混沌行为张宇徐从元姜文华杜功焕(南京大学声学研究所,近代声学国家重点实验室南京·210093)1引言最近我们应用激光探针技术[1]成功地观测了压电谐振器的分谐频振动和混沌行为。本文中,我们主要从理论上对共振态下的谐振器的非线性... 展开更多
关键词 压电谐振器 分谐频振动 混沌行为
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压电谐振器振动不均匀性的研究
5
作者 徐从元 毛一葳 姜文华 《声学技术》 CSCD 1997年第3期144-146,共3页
压电谐振器振动不均匀性的研究徐从元毛一葳姜文华(南京大学声学研究所近代声学国家重点实验室南京·210093)1引言对压电谐振器已有过许多研究[1],已经知道,某些晶体谐振器能工作在不同的振动模式。一般认为,通过仔... 压电谐振器振动不均匀性的研究徐从元毛一葳姜文华(南京大学声学研究所近代声学国家重点实验室南京·210093)1引言对压电谐振器已有过许多研究[1],已经知道,某些晶体谐振器能工作在不同的振动模式。一般认为,通过仔细设计谐振器的形状可避免不同模式之间的... 展开更多
关键词 压电谐振器 振动 不均匀性
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压电谐振器数字化闭环驱动电路
6
作者 黄山 吴校生 +3 位作者 曾照丰 熊越夫 赵俊军 冯其云 《压电与声光》 CAS 北大核心 2021年第3期374-378,共5页
为使微机电系统(MEMS)压电谐振器工作在谐振频率点并使其输出信号幅值稳定,该文采用基于现场可编程门阵列(FPGA)数字化的双闭环控制算法来实现共振频率跟踪和稳幅激励,数字化双闭环控制算法包含锁相闭环算法和稳幅闭环算法;采用模数转换... 为使微机电系统(MEMS)压电谐振器工作在谐振频率点并使其输出信号幅值稳定,该文采用基于现场可编程门阵列(FPGA)数字化的双闭环控制算法来实现共振频率跟踪和稳幅激励,数字化双闭环控制算法包含锁相闭环算法和稳幅闭环算法;采用模数转换器(ADC)对压电谐振器输出信号采样,使用两路正交信号对被采样信号的相位和幅值解调;采用数字锁相环技术实现了压电谐振器谐振频率的跟踪激励。为减小压电谐振器在谐振处输出信号幅值的波动,采用数字稳幅技术实现了压电谐振器输出信号幅值的稳定控制。实验结果表明,电路能将驱动信号和输出信号相位差锁定在93.89°~95.95°,输出信号的幅值稳定在496~504 mV,达到了很好的谐振频率跟踪和稳幅效果。 展开更多
关键词 压电谐振器 现场可编程门阵列(FPGA) 谐振频率跟踪 稳幅 矢量分析
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方体压电谐振器共振频率电调谐技术
7
作者 赵俊军 吴校生 +2 位作者 冯其云 李健 孙仁杰 《压电与声光》 CAS 北大核心 2022年第2期268-272,共5页
受环境因素的影响,压电谐振器的共振频率会发生漂移。调谐技术因采用特定的手段主动调节共振频率而得到广泛应用,但传统附加质量块、激光烧蚀等机械调谐技术费时费力,灵活性不好。针对方体压电谐振器该文提出了一种激励信号幅值调谐和... 受环境因素的影响,压电谐振器的共振频率会发生漂移。调谐技术因采用特定的手段主动调节共振频率而得到广泛应用,但传统附加质量块、激光烧蚀等机械调谐技术费时费力,灵活性不好。针对方体压电谐振器该文提出了一种激励信号幅值调谐和直流调谐的电调谐方法,可精密调节谐振器的共振频率。设计了一种基于ZYNQ系列主控芯片的数字化测控电路,实现了振子扫频激励、输出信号的幅值相位检测,为激励信号幅值调谐和直流调谐提供了实验硬件平台。实验结果表明,激励信号幅值调谐的共振频率变化范围为347.850~348.000 kHz,直流调谐的调节范围为347.720~347.820 kHz。该技术为压电谐振器共振频率精密调节提供可靠的理论与实践途径。 展开更多
关键词 压电谐振器 现场可编程门阵列(FPGA) 共振频率调谐 幅值调谐 直流调谐
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压电式微固体模态谐振器电荷放大器负载效应的研究 被引量:2
8
作者 赵聪 吴校生 +4 位作者 李国斌 陈文元 刘武 崔峰 张卫平 《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 2016年第9期117-119,共3页
文中采用串联电阻的方法,解决了传统的阻抗分析仪很难满足共振激励需求的问题,研究一种具有特殊电压激励方式的压电式微固体模态谐振器等效电路。通过绘制压电谐振器的导纳圆图,分析并获得压电谐振器在共振频率附近的等效电路参数。通... 文中采用串联电阻的方法,解决了传统的阻抗分析仪很难满足共振激励需求的问题,研究一种具有特殊电压激励方式的压电式微固体模态谐振器等效电路。通过绘制压电谐振器的导纳圆图,分析并获得压电谐振器在共振频率附近的等效电路参数。通过比较有无电荷放大器作为负载接入压电谐振器的实验结果,发现带有电荷放大器的压电谐振器等效电路的谐振频率从346.119 k Hz降低至344.979 k Hz。得出结论:如果电荷放大器作用于压电谐振器负载端,应该关注它对谐振频率的影响。 展开更多
关键词 压电谐振器 电荷放大器 电学负载 谐振频率 串联电阻 导纳圆
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环形氮化铝压电MEMS谐振器的支撑结构设计研究 被引量:7
9
作者 诸政 吕世涛 +2 位作者 张敖宇 孙海燕 赵继聪 《传感器与微系统》 CSCD 北大核心 2022年第3期24-27,35,共5页
基于有限元仿真研究了方环和圆环形谐振器的静态位移点,并分析了支撑轴位置对谐振器性能的影响,提出了优化设计方案:对于方环形谐振器,在对角处设置双端侧向支撑以降低其锚点损耗;对于圆环形谐振器,采用单端侧向支撑以及三端底部支撑相... 基于有限元仿真研究了方环和圆环形谐振器的静态位移点,并分析了支撑轴位置对谐振器性能的影响,提出了优化设计方案:对于方环形谐振器,在对角处设置双端侧向支撑以降低其锚点损耗;对于圆环形谐振器,采用单端侧向支撑以及三端底部支撑相结合的器件结构,在保证电学信号引出的同时,提升器件的品质因数Q。针对所设计的器件结构特征,设计了一种基于七步光刻工艺的微纳制程,并成功实现器件的高成品率制备。测试结果表明:前者的Q值和机电耦合系数k_(eff)^(2)分别为1707.4和0.98%,后者的Q值和k_(eff)^(2)分别为1844.7和1.58%。相比于四端支撑环形谐振器,优化设计的支撑结构使得器件Q值得到大幅提升。此外,还分析研究了不同表面电极材料对环形谐振器的性能影响。 展开更多
关键词 微机电系统 压电谐振器 制备工艺 锚点损耗 品质因数
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片式压电陶瓷谐振器的研制 被引量:6
10
作者 范坤泰 朱传琴 +2 位作者 张录周 杨志坚 孙兆海 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2006年第4期423-425,共3页
世界组装技术的新发展,要求元器件片式化,本课题就是研制片式压电陶瓷谐振器。是在插脚式配方的基础上,用Mg、Ca等离子取代Pb,并掺入Ce、Mn等杂质,以提高居里温度。采用气流粉碎法、热压烧结、厚度切变模及叠层封装结构,以利于稳定性和... 世界组装技术的新发展,要求元器件片式化,本课题就是研制片式压电陶瓷谐振器。是在插脚式配方的基础上,用Mg、Ca等离子取代Pb,并掺入Ce、Mn等杂质,以提高居里温度。采用气流粉碎法、热压烧结、厚度切变模及叠层封装结构,以利于稳定性和片式化。最终研制出频率精度高、温度特性好的片式压电陶瓷谐振器。 展开更多
关键词 片式压电陶瓷谐振器 锆钛比(Zr/Ti) 复合掺杂 热压成形
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肝癌细胞黏附的压电石英谐振器实验研究 被引量:1
11
作者 韦晓兰 莫志宏 梁宇 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2007年第3期305-307,共3页
肿瘤细胞与细胞外基质(ECM)的粘附特性与肿瘤的侵袭转移密切相关,利用压电石英谐振器(QCR)实时监测HepG2肝癌细胞与ECM的黏附过程,得到频率变化(Δf)和耗散因子变化(ΔD)的响应曲线。结果表明,HepG2细胞在QCR表面经黏附、延展等行为,与... 肿瘤细胞与细胞外基质(ECM)的粘附特性与肿瘤的侵袭转移密切相关,利用压电石英谐振器(QCR)实时监测HepG2肝癌细胞与ECM的黏附过程,得到频率变化(Δf)和耗散因子变化(ΔD)的响应曲线。结果表明,HepG2细胞在QCR表面经黏附、延展等行为,与ECM相互作用,此作用引起谐振晶体表面质量和粘弹性发生相应变化,Δf=(740±10)Hz,与此同时,ΔD≤5×10-5,可以认为未引起耗散因子变化,说明ECM具有刚性特征。 展开更多
关键词 压电石英谐振器 细胞黏附 耗散因子
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高频压电陶瓷谐振器的研制 被引量:11
12
作者 李月国 范坤泰 +2 位作者 张录州 杜润功 王兴超 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2001年第3期183-185,235,共4页
介绍了试制高频压电陶瓷谐振器的方法。通过采用能陷振动模式 ,优化预烧及烧结温度和保温时间 ,并进行改性物质掺杂 ,制作出机械品质因数高、频率温度特性良好的高频压电陶瓷谐振器。
关键词 机械品质因数 频率温度特性 高频压电陶瓷谐振器 压电陶瓷材料
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具有提高Q值退耦结构的MEMS谐振器研究
13
作者 鲍景富 张超 吴兆辉 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第3期397-401,共5页
为了提高MEMS谐振器的品质因数(Q值),该文设计一个微型的具有能量退耦作用的外框作为支撑结构。所设计的Al N压电谐振器工作在30 MHz横向振动模态,其Q值可以达到4.3×10~4,对应的f·Q乘积为1.29×10^(12)。谐振器频率与外... 为了提高MEMS谐振器的品质因数(Q值),该文设计一个微型的具有能量退耦作用的外框作为支撑结构。所设计的Al N压电谐振器工作在30 MHz横向振动模态,其Q值可以达到4.3×10~4,对应的f·Q乘积为1.29×10^(12)。谐振器频率与外框的机械谐振频率比值约10:1,减小了谐振器到基底的能量耦合,从而降低能量损耗并提高谐振器Q值。通过理论和有限元分析并对谐振器的频率响应进行建模,两种方法的模型结果一致,说明了具有能量退耦外框的谐振器能降低锚点造成的能量损耗,从而有效地提高横向振动模态Al N压电谐振器的Q值。 展开更多
关键词 AlN压电谐振器 退耦结构 MEMS Q值
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基于FDTD的薄膜体声波谐振器的数值分析 被引量:1
14
作者 池志鹏 赵正平 +1 位作者 吕苗 杨瑞霞 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第2期121-124,共4页
提出了基于时域有限差分方法对薄膜体声波谐振器进行数值分析的新方法。利用时域有限差分法理论对压电材料的控制方程和牛顿方程在空间和时间上进行了离散化,通过得到的差分方程直接得出了声场传播的时域数值解。使用该数值方法对薄膜... 提出了基于时域有限差分方法对薄膜体声波谐振器进行数值分析的新方法。利用时域有限差分法理论对压电材料的控制方程和牛顿方程在空间和时间上进行了离散化,通过得到的差分方程直接得出了声场传播的时域数值解。使用该数值方法对薄膜体声波谐振器的电学特性阻抗进行了分析,并将结果与一维Mason模型的解析解进行了比较验证。 展开更多
关键词 压电材料 时域有限差分法 压电谐振器
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薄膜体声波谐振器的FDTD数值分析 被引量:1
15
作者 池志鹏 赵正平 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2008年第3期494-497,共4页
提出了基于时域有限差分方法对薄膜体声波谐振器进行数值分析的新方法。利用时域有限差分法理论对压电材料的控制方程,牛顿方程和电学方程在空间和时间进行了离散化,通过得到的差分方程直接得出了声场传播的时域数值解。使用该数值方法... 提出了基于时域有限差分方法对薄膜体声波谐振器进行数值分析的新方法。利用时域有限差分法理论对压电材料的控制方程,牛顿方程和电学方程在空间和时间进行了离散化,通过得到的差分方程直接得出了声场传播的时域数值解。使用该数值方法对薄膜体声波谐振器的电学特性阻抗进行了分析,并将结果与一维Mason模型的解析解进行了比较验证。 展开更多
关键词 压电材料 时域有限差分法 压电谐振器
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氮化铝Lamb波谐振器的支撑轴区域声反射结构研究 被引量:2
16
作者 王星宇 吕世涛 +2 位作者 张敖宇 孙海燕 赵继聪 《传感器与微系统》 CSCD 北大核心 2022年第9期20-24,共5页
本文综合运用有限元仿真和实验相结合的方法,研究分析了氮化铝兰姆(Lamb)波谐振器的支撑轴区域声反射结构对串联谐振品质因数(Q)的影响。对于频率约1.56 GHz的Lamb波谐振器,窄支撑和全支撑锚点结构的Q值基本相当;设置圆弧形和斜边形的... 本文综合运用有限元仿真和实验相结合的方法,研究分析了氮化铝兰姆(Lamb)波谐振器的支撑轴区域声反射结构对串联谐振品质因数(Q)的影响。对于频率约1.56 GHz的Lamb波谐振器,窄支撑和全支撑锚点结构的Q值基本相当;设置圆弧形和斜边形的声反射结构可减小支撑轴区域的位移幅值,进而降低锚点损耗;设置弧形沟槽有助于将声能限制在谐振腔区域,进而提升Q值;在衬底与支撑轴相邻区域沉积金属铝,可增加衬底与支撑轴的声阻抗失配程度,有利于声波反射回谐振腔。此外,基于6 in(1 in=2.54 cm)氮化铝工艺平台,成功制备了本文所设计的器件,且测试结果与模拟结果基本吻合,采用上述几种声反射结构均可提升Q值,其中斜边形反射结构对Q值的提升最为显著,Q值从2232.1提高到3256.5。 展开更多
关键词 压电谐振器 有限元分析 声反射结构 锚点损耗 品质因数
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适宜动态检测的新型谐振式水晶温度传感器 被引量:4
17
作者 徐军 李欣 +2 位作者 林冬辉 陈冬维 林江 《传感器技术》 CSCD 2000年第2期35-37,共3页
成功地研制一种适宜动态温度检测的厚度切变C模工作的压电谐振式水晶温度传感器。它采用NLSC切型 ,变形的平凸结构 ,谐振频率为 19.5MHz。实测表明 ,其Q值为 2 1.3× 10 4 ,电容比为 72 0 ,温度系数为 18.8× 10 -6/℃。响应速... 成功地研制一种适宜动态温度检测的厚度切变C模工作的压电谐振式水晶温度传感器。它采用NLSC切型 ,变形的平凸结构 ,谐振频率为 19.5MHz。实测表明 ,其Q值为 2 1.3× 10 4 ,电容比为 72 0 ,温度系数为 18.8× 10 -6/℃。响应速度为 2s,经 15 0 0次热冲击试验 ,准确度不变。 展开更多
关键词 温度传感器 压电水晶谐振器 动态温度测量
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基于兰姆波谐振MEMS阵列的无喷嘴微液滴喷射研究
18
作者 张鸿翔 宁远 +1 位作者 刘伯华 张孟伦 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2018年第9期1301-1306,共6页
基于微机电(MEMS)兰姆波谐振器(LWR),设计了一种可在1μL液体中聚焦声波的压电声波执行器件,实现了皮升级液滴的生成和无喷嘴喷射。该压电声波执行器由8个谐振频率为247.6 MHz的LWR组成,通过物理场有限元仿真计算,设计了可在中心50μm... 基于微机电(MEMS)兰姆波谐振器(LWR),设计了一种可在1μL液体中聚焦声波的压电声波执行器件,实现了皮升级液滴的生成和无喷嘴喷射。该压电声波执行器由8个谐振频率为247.6 MHz的LWR组成,通过物理场有限元仿真计算,设计了可在中心50μm区域内实现声波聚焦的器件结构。在实验中,通过制作的声波聚焦器件,观察到在1μL液体表面生成并喷射出皮升级小液滴现象。通过对输入功率的控制,可以实现单液滴喷射、多液滴连续喷射、以及局部沸腾多向喷射。液滴喷射系统利用声波聚焦产生的声流体效应实现无喷嘴的液滴喷射,在多个工程领域尤其是微流控方向有广阔的应用前景,如多向液滴喷射、细胞位置操控等。 展开更多
关键词 MEMS执行器 液滴喷射 声波聚焦 压电谐振器
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A novel ring vibrating gyroscope based on side piezo-electrodes 被引量:4
19
作者 周鑫 吴宇列 +2 位作者 吴学忠 张勇猛 郑煜 《Journal of Central South University》 SCIE EI CAS CSCD 2016年第3期555-561,共7页
Solid-state wave gyroscope is one kind of high-performance vibrating gyroscopes. The present work develops a new type of solid-state wave gyroscope—a ring vibrating gyroscope driven by piezo-electrodes located on the... Solid-state wave gyroscope is one kind of high-performance vibrating gyroscopes. The present work develops a new type of solid-state wave gyroscope—a ring vibrating gyroscope driven by piezo-electrodes located on the sidewall of the structure. It has advantages of large vibrating amplitude, high energy conversion efficiency and compact structure. The working principle of the piezoelectric ring vibrating gyroscope is based on the inertia effect of the standing wave in the axisymmetric resonator caused by Coriolis force. The finite element method(FEM) analysis has been implemented to characterize the ring type resonator. The prototypal gyroscope was manufactured and has been trimmed by mechanical way. The harmonic response of the ring vibrating gyroscope has been tested. The resonating frequency of the ring type resonator is 3715.6 Hz and the frequency split of the two working modes before trimming was about 5 Hz and was reduced to sub-0.01 Hz after trimming procedure. The Q-factor of the ring type resonator was 2504. Then, the turntable experiment was implemented. The measured scale factor k is 9.24 m V/[(°)·s] and the full scale range of the gyroscope is larger than ±300(°)/s. 展开更多
关键词 solid-state wave gyroscope piezoelectric gyroscope side drive ring vibrating gyroscope
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高Qm值高稳定性高频剪切模材料及8.0MHz器件的研制
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作者 朱新琴 陶健 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第Z10期141-142,共2页
本文通过添加适量WO3研究其对PNZ三元系瓷料电气性能如Qm值、稳定性和机构强度的影响。并用该资料批量生产小型化的厚度剪切模8.0MHz高频器件。
关键词 瓷料改性 压电陶瓷谐振器 PNZ陶瓷 电气性能
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