考虑表面效应的压电半导体梁的静态屈曲行为研究

1

作者 詹春晓 李孝宝 王美芹 《应用数学和力学》 CSCD 北大核心 2024年第10期1300-1312,共13页

鉴于表面效应和挠曲电效应对纳米材料或结构的力学行为具有显著影响,以纳米尺度压电半导体(PS)梁为研究对象,根据Hamilton变分原理,推导建立了考虑Steigmann-Ogden表面弹性效应和挠曲电效应的Euler-Bernoulli梁理论模型和相应的边界条件... 鉴于表面效应和挠曲电效应对纳米材料或结构的力学行为具有显著影响,以纳米尺度压电半导体(PS)梁为研究对象,根据Hamilton变分原理,推导建立了考虑Steigmann-Ogden表面弹性效应和挠曲电效应的Euler-Bernoulli梁理论模型和相应的边界条件.结合电荷守恒方程和线性漂移扩散方程,研究了该梁结构的静态屈曲行为,得到了短路和开路条件下梁结构的等效弹性常数和屈曲临界压力的解析解.详细分析了表面效应、尺寸效应、挠曲电效应以及载流子屏蔽效应等因素对梁结构的等效弹性常数的影响规律和作用机制.该文的研究结果对基于纳米压电半导体梁结构电子器件的设计和应用具有指导作用. 展开更多

关键词 压电半导体梁 屈曲 表面效应 挠曲电效应

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基于PINNs的压电半导体梁的非线性多场耦合力学分析

2

作者 肖争光 张春利 陈伟球 《应用数学和力学》 CSCD 北大核心 2024年第10期1288-1299,共12页

压电半导体(PS)具有压电性和半导体特性共存耦合的特征,在新型多功能电子/光电子学器件中有广阔应用前景.因此,理论分析压电半导体结构在外载作用下的多场耦合力学响应是十分重要的.然而,描述压电半导体多场耦合力学行为的控制方程中含... 压电半导体(PS)具有压电性和半导体特性共存耦合的特征,在新型多功能电子/光电子学器件中有广阔应用前景.因此,理论分析压电半导体结构在外载作用下的多场耦合力学响应是十分重要的.然而,描述压电半导体多场耦合力学行为的控制方程中含有非线性的电流方程,属于物理非线性;而且很多半导体器件通常工作在大变形模式下,在力学上属于几何非线性问题.物理非线性和几何非线性给问题的求解带来了挑战.该文针对压电半导体梁结构,基于物理信息神经网络(physics informed neural networks,PINNs),构建了能高效求解其非线性多场耦合力学问题的PINNs方法.通过依次删除网络结构中载流子项和压电项,该方法即可退化到压电结构和纯弹性结构的情况.利用所构建的PINNs,分析了压电半导体梁在均布压力下的多场耦合力学响应.数值结果表明:该文所提出的基于PINNs的模型能有效求解压电半导体、压电以及纯弹性结构非线性多场耦合问题,相对而言,其在求解压电和纯弹性结构的力学响应时具有更高的精度. 展开更多

关键词 压电半导体梁 多场耦合 非线性 PINNs

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可调谐半导体激光器压电驱动系统的优化设计 被引量：2

3

作者 张萌 张松林 +2 位作者 刘玉为 刘时成 范鹏举 《中国机械工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第4期656-665,共10页

针对可调谐半导体激光器中普遍存在的输出光频率无跳模调谐范围小、扫描频率低、结构复杂等亟待解决的问题,研究了可调谐半导体激光器内部压电驱动系统的动力学特性。基于提高回转精度、降低轴心偏移量的设计目标,提出了一种多叶片并联... 针对可调谐半导体激光器中普遍存在的输出光频率无跳模调谐范围小、扫描频率低、结构复杂等亟待解决的问题,研究了可调谐半导体激光器内部压电驱动系统的动力学特性。基于提高回转精度、降低轴心偏移量的设计目标,提出了一种多叶片并联的星型柔性机构结构。基于Lagrange方程和Duhamel积分,分别建立了压电驱动系统的运动微分方程和振动方程,在此基础上建立了柔性机构的动力学模型并对其结构参数进行了优化。最后,搭建了压电驱动系统动态特性测试平台,测试了压电驱动系统的机械响应特性以及可调谐半导体激光器的输出光可调谐范围。实验结果表明,压电驱动系统一阶固有频率为2187 Hz,柔性机构最大轴心偏移量为0.947 mm。在可调谐半导体激光器无跳模调谐性能测试中,当调谐频率为20 Hz时,实现了103.5 GHz的无跳模调谐范围。 展开更多

关键词 压电驱动系统 柔性铰链 优化设计 可调谐半导体激光器

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压电半导体板超声导波特性研究

4

作者 张小明 陈滔 +1 位作者 周红梅 禹建功 《河南理工大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心 2023年第1期95-101,共7页

利用解析Legendre多项式方法研究压电半导体板中的超声导波特性,该方法将传统Legendre多项式法计算波动力学问题时存在的大量数值积分转换为解析积分计算,克服了传统方法计算量大、计算耗时的问题。导出不同电学边界下的压电半导体板耦... 利用解析Legendre多项式方法研究压电半导体板中的超声导波特性,该方法将传统Legendre多项式法计算波动力学问题时存在的大量数值积分转换为解析积分计算,克服了传统方法计算量大、计算耗时的问题。导出不同电学边界下的压电半导体板耦合波动方程,利用解析Legendre多项式法将耦合波动方程转换为以波数为特征值的特征计算问题,得到超声导波频散关系。计算压电半导体板SH波频谱,并与文献结果对比验证所提方法的正确性。研究压电半导体板Lamb波的相速度频散、衰减和应力分布,分析电学边界条件和稳态载流子浓度对相速度频散和衰减的影响及稳态载流子浓度对应力分布的影响。数值结果表明:电学边界条件和稳态载流子浓度对压电半导体板Lamb波相速度和衰减有较为显著的影响,调节稳态载流子浓度可以实现超声导波特性的调控。 展开更多

关键词 压电半导体 Legendre多项式法 解析积分 相速度 衰减

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多个局部温度载荷下压电半导体纤维杆的压电电子学行为分析 被引量：1

5

作者 程若然 张春利 《力学学报》 EI CSCD 北大核心 2020年第5期1295-1303,I0002,共10页

温度改变产生的极化电势可对压电半导体结构内的物理量进行有效调控,这在穿戴电子器件及与温度相关的半导体电子器件中有重要工程应用价值.本文针对在多个局部均匀温度变化作用下的压电半导体杆结构,采用一维热压电半导体多场耦合方程,... 温度改变产生的极化电势可对压电半导体结构内的物理量进行有效调控,这在穿戴电子器件及与温度相关的半导体电子器件中有重要工程应用价值.本文针对在多个局部均匀温度变化作用下的压电半导体杆结构,采用一维热压电半导体多场耦合方程,基于线性化的漂移-扩散(drift-diffusion)电流模型导出了问题的解析解.以两个局部温度载荷情况为例,数值分析了局部温度改变对压电半导体内位移、电势、电位移、极化强度、载流子分布等物理场的影响.对于温度改变较大的情况,在COMSOL软件的PDE模块中,采用非线性电流模型,进行数值模拟.研究结果表明:由于两个局部区域的温度改变,在半导体杆内形成了局部势垒和势阱,不同的温度改变量和作用区域会产生不同高度/深度的势垒/势阱,为基于压电半导体的热压电电子学器件结构设计提供了理论指导. 展开更多

关键词 热 压电半导体 热释电 压电电子学

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压电半导体纳米材料在声动力疗法中的应用进展 被引量：1

6

作者 黄田 赵运超 李琳琳 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2022年第11期1170-1180,共11页

随着纳米医学的发展,利用纳米材料在外源超声波的刺激下催化产生过量的活性氧物种(Reactive Oxygen Species,ROS)以治疗疾病的方法,被称为声动力疗法(Sonodynamic Therapy,SDT),已引起人们的广泛关注。目前,开发可用于SDT的高效声敏剂... 随着纳米医学的发展,利用纳米材料在外源超声波的刺激下催化产生过量的活性氧物种(Reactive Oxygen Species,ROS)以治疗疾病的方法,被称为声动力疗法(Sonodynamic Therapy,SDT),已引起人们的广泛关注。目前,开发可用于SDT的高效声敏剂用于提高ROS产率,仍然是当前研究和未来临床转化的最大挑战之一。近年来,得益于压电电子学和压电光电子学的兴起,基于压电半导体纳米材料的新型声敏剂在SDT中崭露头角,显示出良好的应用前景。本文从压电半导体的结构出发,介绍了压电半导体纳米材料应用于SDT的机理研究,以及利用压电半导体纳米材料作为声敏剂在声动力学癌症治疗及相关抗菌性能方面所取得的研究进展。最后,本文对该领域存在的问题以及未来的发展趋势进行了展望。 展开更多

关键词 压电半导体 压电效应 压电光电子学 声动力疗法 癌症 综述

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弹性纵波在压电-压电半导体周期杆中的传播 被引量：1

7

作者 李德志 张春利 《哈尔滨工程大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第9期1252-1257,共6页

为研究压电半导体周期结构中的弹性波传播特性,本文采用哈密顿变分原理推导出Love型压电半导体杆的基本方程;再在此基础上,针对由压电介质材料和n型压电半导体材料构成的周期杆,分别构建压电介质杆和压电半导体杆的状态方程;通过界面连... 为研究压电半导体周期结构中的弹性波传播特性,本文采用哈密顿变分原理推导出Love型压电半导体杆的基本方程;再在此基础上,针对由压电介质材料和n型压电半导体材料构成的周期杆,分别构建压电介质杆和压电半导体杆的状态方程;通过界面连续条件给出元胞两侧状态向量(轴向位移、电势、轴向应力和轴向电位移)的传递关系,并利用Bloch理论得到压电-压电半导体周期杆的色散方程。数值研究结果表明:初始电子浓度、元胞内压电半导体相的长度比和杆半径对该周期结构的带隙结构有调控作用;当初始电子浓度、杆长比、杆的半径增加时,第一带隙均会下移。该研究结果为基于压电半导体周期结构的器件设计提供了理论指导。 展开更多

关键词 压电半导体 周期结构 Love杆理论 状态空间法 带隙结构 弹性纵波 Bloch理论 压电电子学

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基于PINN的变截面压电半导体纤维力学特性研究

8

作者 吴文锐 房凯 +1 位作者 李鹏 钱征华 《压电与声光》 CAS 北大核心 2023年第5期686-693,共8页

为了研究任意截面形状的压电半导体纤维的力学特性,提出了基于物理信息的神经网络模型,应用深度学习算法求解复杂的变系数偏微分方程。以变截面压电半导体纤维的静态拉伸为例,构造深度神经网络作为试函数,将其代入控制方程形成残差,并... 为了研究任意截面形状的压电半导体纤维的力学特性,提出了基于物理信息的神经网络模型,应用深度学习算法求解复杂的变系数偏微分方程。以变截面压电半导体纤维的静态拉伸为例,构造深度神经网络作为试函数,将其代入控制方程形成残差,并作为机器学习的加权损失函数,进而通过深度机器学习技术逼近数值解。研究结果表明:该方法具有广泛适用性,能够求解任意截面形状压电半导体材料的线性和非线性方程。 展开更多

关键词 压电材料 神经网络 深度学习 电势 半导体结

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GaN压电半导体陶瓷准脆性断裂特性

9

作者 郭初康 王蕾 +1 位作者 朱登洁 卢春生 《半导体技术》 CAS 北大核心 2022年第10期788-795,共8页

GaN压电半导体陶瓷应用前景广泛,而断裂强度是结构、器件设计与可靠性评估的关键参数。GaN压电半导体陶瓷构件的断裂强度和使用寿命与其微观组织及内在缺陷密切相关。基于描述准脆性断裂行为的边界效应模型系统研究了极化与退极化GaN压... GaN压电半导体陶瓷应用前景广泛,而断裂强度是结构、器件设计与可靠性评估的关键参数。GaN压电半导体陶瓷构件的断裂强度和使用寿命与其微观组织及内在缺陷密切相关。基于描述准脆性断裂行为的边界效应模型系统研究了极化与退极化GaN压电半导体陶瓷的拉伸强度和断裂韧性。结果表明,GaN试样的拉伸强度和断裂韧性可由正态分布分析中的峰值荷载及团聚体平均粒度确定。极化使GaN压电半导体陶瓷团聚体细化,造成极化试样的断裂强度高于退极化试样,这意味着极化可以用于改善压电半导体陶瓷的断裂强度与寿命。 展开更多

关键词 GaN压电半导体陶瓷 团聚体平均粒度 边界效应模型 拉伸强度 断裂韧性

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一种半导体温差发电系统 被引量：15

10

作者 陈允成 吕迎阳 +1 位作者 林玉兰 陈忠 《仪器仪表学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第z2期198-200,共3页

介绍了一种新型的半导体温差发电模块,对其性能进行了一些研究,并在此基础上构建了一套小型发电系统,可利用煤灶、篝火等发电、储电从而用以照明等。其中考察了发电模块的不同串并组合矩阵的输出功率,设计了为蓄电池充电的稳压充电电路... 介绍了一种新型的半导体温差发电模块,对其性能进行了一些研究,并在此基础上构建了一套小型发电系统,可利用煤灶、篝火等发电、储电从而用以照明等。其中考察了发电模块的不同串并组合矩阵的输出功率,设计了为蓄电池充电的稳压充电电路,并使设计的模块矩阵与蓄电池稳压充电电路匹配,使其输出功率达到最大。 展开更多

关键词 半导体温差发电模块 稳压电路 蓄电池 充电电路

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力电流联合载荷作用下GaN半导体准脆性断裂行为

11

作者 王蕾 王世杰 +1 位作者 朱登洁 卢春生 《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第10期895-901,共7页

压电半导体(PSC)结构在工程应用中不可避免地受电流、应力场等共同作用,多场应用环境往往导致其发生复杂的变形、断裂失效等问题。通过引入影响特征裂纹长度的电流参数,建立了压电半导体在力电流联合载荷作用下断裂行为的预测模型。经... 压电半导体(PSC)结构在工程应用中不可避免地受电流、应力场等共同作用,多场应用环境往往导致其发生复杂的变形、断裂失效等问题。通过引入影响特征裂纹长度的电流参数,建立了压电半导体在力电流联合载荷作用下断裂行为的预测模型。经力电流联合载荷实验验证,该模型预测范围涵盖了所有强度和断裂实验数据点,表明其可以有效地预测压电半导体的准脆性断裂行为。系统研究了电流载荷对压电半导体准脆性断裂行为的影响,为复杂环境下GaN构件的可靠性设计提供了一定的理论及数据支撑。 展开更多

关键词 GaN 压电半导体(psc) 力电流联合载荷 准脆性断裂 拉伸强度 断裂韧性

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半导体中的声电相互作用

12

作者 吴宗森 印建华 《物理学进展》 CSCD 北大核心 1996年第3期396-401,共6页

本文回顾了超声波与半导体中的载流子之间的声电相互作用。分别简要地分析和讨论了声电卷积,声电流,横向声电压及声电荷输运这几种具体的半导体中声电效应。

关键词 半导体 声电效应 超声波 压电体

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金属氧化物半导体气敏传感器的温度补偿技术（英文） 被引量：2

13

作者 何永勃 张文杰 董玉珊 《机床与液压》 北大核心 2018年第6期43-46,共4页

为了解决金属氧化物半导体气敏传感器易受外界环境温度影响而产生输出漂移的问题,提出了一种基于温度负反馈的补偿方法。通过构造适当的热敏电阻,设计了可调式开关稳压电路,为传感器提供加热电压,保证敏感材料较稳定的工作条件。通过TGS... 为了解决金属氧化物半导体气敏传感器易受外界环境温度影响而产生输出漂移的问题,提出了一种基于温度负反馈的补偿方法。通过构造适当的热敏电阻,设计了可调式开关稳压电路,为传感器提供加热电压,保证敏感材料较稳定的工作条件。通过TGS2610气敏传感器的对比实验,探测误差可由原来的-40%,+70%降低到±10。 展开更多

关键词 气敏传感器 金属氧化物半导体 温度负反馈 温度补偿 热敏电阻 可调开关稳压电路

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超宽禁带半导体材料——氮化铝单晶 被引量：1

14

作者 王琦琨 《人工晶体学报》 EI CAS 北大核心 2020年第7期1346-1346,共1页

氮化铝是极具应用潜力的超宽禁带半导体材料,具有很多优良的性质,如其禁带宽度高达6.2 eV,同时具有高击穿场强、高饱和电子漂移速率、高化学和热稳定性,及高导热、抗辐射等优异性能,因此氮化铝是紫外/深紫外LED、紫外LD最佳衬底材料,也... 氮化铝是极具应用潜力的超宽禁带半导体材料,具有很多优良的性质,如其禁带宽度高达6.2 eV,同时具有高击穿场强、高饱和电子漂移速率、高化学和热稳定性,及高导热、抗辐射等优异性能,因此氮化铝是紫外/深紫外LED、紫外LD最佳衬底材料,也是高功率、高频电子器件理想衬底材料。此外,氮化铝具有优良的压电性、高的声表面波传播速度和较高的机电耦合系数,是GHz级声表面波器件的优选压电材料。 展开更多

关键词 宽禁带半导体材料 声表面波器件 衬底材料 氮化铝 击穿场强 传播速度 压电材料 机电耦合系数

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压电传感器信号调理及输出芯片设计 被引量：2

15

作者 王远 周怡妃 +1 位作者 王小龙 吴付岗 《传感器与微系统》 CSCD 2017年第11期99-102,共4页

为了提高压电传感器测量系统的集成度,采用1μm高压双极—互补金属氧化物半导体—双重扩散金属氧化物半导体(BCD)工艺,设计了一种适用于压电传感器的信号调理及输出芯片。集成了电压放大型阻抗变换电路、可调增益放大电路、二线制电流... 为了提高压电传感器测量系统的集成度,采用1μm高压双极—互补金属氧化物半导体—双重扩散金属氧化物半导体(BCD)工艺,设计了一种适用于压电传感器的信号调理及输出芯片。集成了电压放大型阻抗变换电路、可调增益放大电路、二线制电流输出电路。仿真结果表明:芯片具有输入阻抗高,单位增益带宽大,总增益可调范围广等特点,在12~24 V宽供电范围下可正常工作,耗电仅为3.1 m A。 展开更多

关键词 压电传感器 集成电路设计 高压双极—互补金属氧化物半导体—双重扩散金属氧化物半导体工艺 可调增益放大电路 电流型输出

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基于PZT压电陶瓷的SiC MOSFET缓冲吸收电路 被引量：2

16

作者 韩绪冬 孙鹏 +3 位作者 邹铭锐 王宇雷 牛富丽 曾正 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2023年第18期7240-7253,共14页

在高速关断过程中,碳化硅(silicon carbide,SiC)金属-氧化物半导体场效应晶体管器件呈现出严重的电压过冲和振荡,降低器件电压裕量。通常,采用缓冲吸收电路改善SiC器件的关断电压轨迹。然而,现有研究忽略SiC器件与吸收电路的交互规律和... 在高速关断过程中,碳化硅(silicon carbide,SiC)金属-氧化物半导体场效应晶体管器件呈现出严重的电压过冲和振荡,降低器件电压裕量。通常,采用缓冲吸收电路改善SiC器件的关断电压轨迹。然而,现有研究忽略SiC器件与吸收电路的交互规律和工作温度对吸收电路性能的影响,限制缓冲吸收电路的应用。针对这些问题,该文提出一种基于锆钛酸铅(lead zirconate titanate,PZT)压电陶瓷的缓冲吸收电路,分析PZT的温度特性,通过建立半桥电路与PZT缓冲吸收电路的高精度交互模型,揭示PZT缓冲吸收电路与SiC器件的耦合规律,利用特征方程-根轨迹方法,定量刻画PZT缓冲吸收电路的参数设计域。对比评估工作温度对多种缓冲吸收电路性能的影响。实验结果表明,所提设计方法能很好地抑制关断电压过冲与振荡,验证设计方法的有效性。相较于传统RC缓冲吸收电路,PZT缓冲吸收电路在工作温度发生变动后,仍然具有很好的抑制效果,且抑制效果随工作温度的上升而不断增强。为SiC功率器件的暂态稳定性分析,以及功率模块和缓冲吸收电路的集成设计,提供有益的参考。 展开更多

关键词 碳化硅金属–氧化物半导体场效应晶体管 锆钛酸铅压电陶瓷 缓冲吸收电路 定量设计模型 温度特性

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压电式纳米发电机及其混合器件的研究进展 被引量：6

17

作者 谭耀红 刘呈坤 +1 位作者 毛雪 刘佳 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第10期10-21,共12页

随着化石能源的过度使用和开采,随之而来的能源和环境问题也日益尖锐,而人们对能源的需求不减反增,因此寻求一种新型的绿色可持续能源是非常必要的。环境中的能量十分丰富,因此从环境中收集能量进行转化是十分有前景的方法。压电材料在... 随着化石能源的过度使用和开采,随之而来的能源和环境问题也日益尖锐,而人们对能源的需求不减反增,因此寻求一种新型的绿色可持续能源是非常必要的。环境中的能量十分丰富,因此从环境中收集能量进行转化是十分有前景的方法。压电材料在受到外界作用发生机械变形时,能实现机械能向电能的转化,因此,压电式纳米发电机作为一种潜在的可持续、绿色能源,近年来受到广泛关注。从压电材料的分类入手,结合其制备方法、结构和性能等,对近年来一些研究成果进行了概述,详细评价了不同制备方法、结构对压电式纳米发电机压电性能的影响,并对今后发展进行了展望。 展开更多

关键词 压电式纳米发电机 压电半导体 压电陶瓷 压电聚合物 混合器件

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GaAs压电物性的研究 被引量：1

18

作者 黄庆安 吕世骥 童勤义 《东南大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 1991年第2期16-21,共6页

较详细地讨论了GaAs压电效应的起源。有3种不同的机制对压电效应有贡献.这些机制是离子电荷的内部位移、电子电荷的内部位移和由于应变引起的离子性的变化.推导出了任意晶体取向压电常数张量的表达式,证明了,对正应力而言,GaAs〈111〉... 较详细地讨论了GaAs压电效应的起源。有3种不同的机制对压电效应有贡献.这些机制是离子电荷的内部位移、电子电荷的内部位移和由于应变引起的离子性的变化.推导出了任意晶体取向压电常数张量的表达式,证明了,对正应力而言,GaAs〈111〉方向有最强压电效应发生,且Ga原子呈负电性,而As原子则呈正电性. 展开更多

关键词 GAAS 压电效应 化合物半导体

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非极性纳米线压电电子和压电光电子学效应的研究进展

19

作者 王幸福 曹瑾 《华南师范大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心 2020年第1期1-8,共8页

压电极化和半导体特性之间的耦合因具有独特的物理性质而引起了人们的关注,并由此兴起了一些新的研究领域(如压电电子学和压电光电子学).文章回顾了压电效应和压电光电子学效应对金属/半导体(M/S)和p-n结的影响,详细介绍了c轴和a轴压电... 压电极化和半导体特性之间的耦合因具有独特的物理性质而引起了人们的关注,并由此兴起了一些新的研究领域(如压电电子学和压电光电子学).文章回顾了压电效应和压电光电子学效应对金属/半导体(M/S)和p-n结的影响,详细介绍了c轴和a轴压电电子和压电光电子学研究的基本进展和应用探索.c轴纳米结构中的压电效应是界面效应,它利用在纳米结构的局部M/S接触处或同质/异质结处产生的压电极化来控制载流子跨界面传输,并通过光感应载流子进行相应的光电过程.在非极性a轴纳米线中,外部应变感应的压电电荷沿整个极性表面分布,方向垂直于纳米线.压电半导体的电荷载流子传输过程在整个纳米结构体内受到压电效应的调节. 展开更多

关键词 半导体纳米线 压电电子学 压电光电子学

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一种新型无突变自动高压电源

20

作者 杨文光 《辐射防护》 CAS CSCD 北大核心 1995年第1期59-63,41,共6页

本文介绍一种新型高压直流电源，它的输出高压的提升、下降均自动、无级、缓慢地变化，无突变现象。尤其在电网供电突然中断时，也能使高压自动、缓慢地下降到０。它用于半导体放射性射线探测器（高纯锗、锗锂、硅锂），可以避免由于操... 本文介绍一种新型高压直流电源，它的输出高压的提升、下降均自动、无级、缓慢地变化，无突变现象。尤其在电网供电突然中断时，也能使高压自动、缓慢地下降到０。它用于半导体放射性射线探测器（高纯锗、锗锂、硅锂），可以避免由于操作的粗心或电网供电突然中断引起高压快速变化或突降而产生的对该类昂贵探测器及其附件的损害，使探测器的优良性能得以保持。 展开更多

关键词 高压电源 半导体探测器 无突变

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