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基于45 nm CMOS SOI工艺的毫米波双频段低相噪压控振荡器设计
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作者 陈喆 王品清 +2 位作者 周培根 陈继新 洪伟 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第7期2161-2169,共9页
本文基于45 nm互补金属氧化物半导体绝缘体上硅工艺(Complementary Metal Oxide Semiconductor Silicon On Insulator,CMOS SOI)设计了一款支持5G毫米波24.25~27.5 GHz和37~43.5 GHz双频段的低相位噪声压控振荡器(Voltage Controlled Os... 本文基于45 nm互补金属氧化物半导体绝缘体上硅工艺(Complementary Metal Oxide Semiconductor Silicon On Insulator,CMOS SOI)设计了一款支持5G毫米波24.25~27.5 GHz和37~43.5 GHz双频段的低相位噪声压控振荡器(Voltage Controlled Oscillator,VCO).基于CMOS SOI工艺良好的晶体管开关特性,结合开关电容阵列及开关电感方案,提高宽带调谐电容、电感Q值,扩展VCO工作频段,降低相位噪声.同时,输出匹配网络也采用开关电容切换方式,实现了5G毫米波双频段良好阻抗匹配及稳定功率输出.流片测试结果表明该VCO可以完整覆盖5G毫米波双频段24.25~27.5 GHz和37~43.5 GHz,低频段输出功率-4.8~0 dBm,高频段输出功率-6.4~-2.3 dBm.在24.482 GHz载频,1 MHz频偏处的相位噪声为-105.1 dBc/Hz;在43.308 GHz载频,1 MHz频偏处的相位噪声为-95.3 dBc/Hz.VCO核心直流功耗15.3~18.5 mW,电路核心面积为0.198 mm^(2).低频段(高频段)的FoM(Figure of Merit)及FoMT优值分别达到-181.3 dBc/Hz(-175.4 dBc/Hz)、-194.3 dBc/Hz(-188.3 dBc/Hz). 展开更多
关键词 互补金属氧化物半导体绝缘体上硅工艺 压控振荡器 5G毫米波 双频段
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基于电感峰值技术的环形压控振荡器设计 被引量:3
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作者 梁仲凯 罗胜钦 《电子测量技术》 2010年第5期4-6,21,共4页
为解耦RC常数的限制,将电感峰值技术应用于环形振荡器中。对传统的环形振荡器结构进行改进,设计了两款GHz级别的CMOS环形压控振荡器(VCO)。采用0.13μmCMOS制造工艺,在0.13V电源电压下进行Spice仿真。仿真测试结果表明,两个应用了电感... 为解耦RC常数的限制,将电感峰值技术应用于环形振荡器中。对传统的环形振荡器结构进行改进,设计了两款GHz级别的CMOS环形压控振荡器(VCO)。采用0.13μmCMOS制造工艺,在0.13V电源电压下进行Spice仿真。仿真测试结果表明,两个应用了电感峰值技术的VCO均有很高的振荡频率,分别达到3~7.5GHz和7.5~8.6GHz,还具有良好的线性度及抑制电源纹波的能力,电源电压波动敏感度分别为0.015%/1%@2.65GHz和0.024%/1%@8.43GHz。 展开更多
关键词 压控振荡器 环形压控振荡器 电感峰值技术
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低相位噪声毫米波单片压控振荡器的研制 被引量:4
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作者 陈继新 洪伟 +2 位作者 殷晓星 程峰 严蘋蘋 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第4期271-274,共4页
采用0.18um GaAs PHEMT工艺,设计和研制了毫米波压控振荡器.该压控振荡器采用反射式结构,并针对了我国本地多点分配业务(LMDS)频段进行了优化设计,芯片采用OMMIC ED02AH工艺实现,芯片的尺寸为1.2mm×0.8mm.实测性能指标... 采用0.18um GaAs PHEMT工艺,设计和研制了毫米波压控振荡器.该压控振荡器采用反射式结构,并针对了我国本地多点分配业务(LMDS)频段进行了优化设计,芯片采用OMMIC ED02AH工艺实现,芯片的尺寸为1.2mm×0.8mm.实测性能指标为:在28.46GHz,该压控振荡器的输出功率为7.3dBm,偏移1MHz处的相位噪声为-101dBc/Hz,调谐范围为27.5~30.4GHz. 展开更多
关键词 压控振荡器 砷化镓 毫米波 相位噪声
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基于压控振荡器的真随机数发生器设计 被引量:9
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作者 汪鹏君 李桢 +2 位作者 李刚 程旭 张会红 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第2期417-421,共5页
通过对频率抖动机理的研究,提出一种基于压控振荡器(Voltage-Controlled Oscillator,VCO)的真随机数发生器(True Random Number Generator,TRNG)设计方案.该方案将电阻热噪声放大后作为VCO的控制信号使其振荡频率在中心频率附近随机抖动... 通过对频率抖动机理的研究,提出一种基于压控振荡器(Voltage-Controlled Oscillator,VCO)的真随机数发生器(True Random Number Generator,TRNG)设计方案.该方案将电阻热噪声放大后作为VCO的控制信号使其振荡频率在中心频率附近随机抖动. VCO所产生的慢振荡信号对周期固定的快振荡信号采样生成原始随机序列,然后利用后处理电路提高序列均匀性并消除自相关性.通过热噪声发生器调节VCO的中心频率可实现序列比特率和随机性之间的权衡.所提电路采用SMIC 55nm CMOS工艺设计,芯片面积0. 0124mm2,比特率10Mbps,平均功率0. 81mW.输出的随机序列通过NIST SP 800-22测试. 展开更多
关键词 真随机数发生器 热噪声 压控振荡器 权衡
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一种低相位噪声LC压控振荡器的设计与实现 被引量:5
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作者 常昌远 王绍权 +1 位作者 陈瑶 余东升 《东南大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第6期1052-1057,共6页
基于TSMC 0.35μm CMOS工艺,设计并实现了一种用于锁相环(PLL)频率合成器中的低相位噪声LC压控振荡器.这种压控振荡器采用互补交叉耦合差分结构,利用开关电容阵列技术增大频率调谐范围,并结合大滤波电容、二次谐波谐振滤波网络、开关电... 基于TSMC 0.35μm CMOS工艺,设计并实现了一种用于锁相环(PLL)频率合成器中的低相位噪声LC压控振荡器.这种压控振荡器采用互补交叉耦合差分结构,利用开关电容阵列技术增大频率调谐范围,并结合大滤波电容、二次谐波谐振滤波网络、开关电容阵列和偏置滤波网络来降低相位噪声.采用TSMC 0.35μm CMOS工艺完成前仿真、版图设计与后仿真,芯片面积为1 285.3μm×1 162.7μm.流片测试结果显示,LC压控振荡器的频率调谐范围为1.558~2.065 GHz,调谐范围高达28%,中心频率处的相位噪声为-133.3 dBc/Hz@1 MHz,综合性能指数为-183.3 dBc/Hz.由此表明,所设计的压控振荡器具有比较优异的综合性能. 展开更多
关键词 LC压控振荡器 相位噪声 开关电容阵列 CMOS
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1.8GHz宽带低相位噪声CMOS压控振荡器设计 被引量:4
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作者 曾健平 章兢 +2 位作者 谢海情 刘利辉 曾云 《湖南大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第6期37-40,共4页
采用一种基于开关电容阵列(SCA)和尾电流源处加入电感电容滤波相结合的电路结构,设计了一个1.8GHz宽带分段线性压控振荡器.采用TSMC0.18μm 1P6M CMOS RF工艺,利用Cadence SpectreRF完成对电路进行的仿真.结果显示,在电源电压V... 采用一种基于开关电容阵列(SCA)和尾电流源处加入电感电容滤波相结合的电路结构,设计了一个1.8GHz宽带分段线性压控振荡器.采用TSMC0.18μm 1P6M CMOS RF工艺,利用Cadence SpectreRF完成对电路进行的仿真.结果显示,在电源电压Vnn=1.8V时,控制电压范围为0.6~1.8V,频率的变化范围为1.43~2.13GHz,达到39%,相位噪声为一131dBc/Hz@1MHz,功耗为9.36mW(1.8V×5.2mn).很好地解决了相位噪声与调谐范围之间的矛盾. 展开更多
关键词 压控振荡器 开关电容阵列 电感电容滤波 相位噪声
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差分压控振荡器中单粒子瞬变的研究 被引量:5
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作者 赵振宇 蒋仁杰 +2 位作者 张民选 胡军 李少青 《国防科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第2期81-85,共5页
压控振荡器(VCO)是锁相环(PLL)中对于单粒子瞬变(SET)最为敏感的部件之一。基于180nm体硅CMOS工艺设计了一款经典的对称负载结构差分VCO电路,并利用电流源表征单粒子效应中电荷沉积和收集的过程,模拟了VCO电路的SET响应。模拟和分析表明... 压控振荡器(VCO)是锁相环(PLL)中对于单粒子瞬变(SET)最为敏感的部件之一。基于180nm体硅CMOS工艺设计了一款经典的对称负载结构差分VCO电路,并利用电流源表征单粒子效应中电荷沉积和收集的过程,模拟了VCO电路的SET响应。模拟和分析表明,SET响应不仅取决于入射能量、振荡频率,还受到轰击时刻的制约,不同轰击时刻产生的最大相位差可以相差300°以上。此外,偏置电路某些结点最为敏感,可以放大SET的影响,导致时钟失效长达7个周期。 展开更多
关键词 单粒子效应 单粒子瞬变 压控振荡器
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电感电容压控振荡器调谐曲线的时域分析 被引量:3
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作者 唐长文 何捷 +2 位作者 菅洪彦 张海青 闵昊 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第8期1467-1472,共6页
本文提出了一种基于周期计算技术的压控振荡器频率-电压调谐曲线的分析方法.在传统的谐波平衡近似方法中,通过大信号非线性分析方法可以计算出一个周期内可变电容的有效电容值.然而通过有效电容推导的调谐曲线并不准确,况且如果高阶谐... 本文提出了一种基于周期计算技术的压控振荡器频率-电压调谐曲线的分析方法.在传统的谐波平衡近似方法中,通过大信号非线性分析方法可以计算出一个周期内可变电容的有效电容值.然而通过有效电容推导的调谐曲线并不准确,况且如果高阶谐波分量不可以忽略的话,谐波平衡近似分析方法将会变得很复杂.本文提出的周期计算方法所得到的振荡调谐曲线比传统谐波平衡近似分析方法更加精确.在0.35μm2P4MCMOS工艺上实现的电感电容压控振荡器的实验测试证明了该理论分析的正确性. 展开更多
关键词 MOS管可变电容 电感电容回路 压控振荡器 累积型MOS管 振荡调谐曲线
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光泵磁力仪中压控振荡器的设计与实现 被引量:4
9
作者 张振宇 程德福 +1 位作者 王君 周志坚 《仪器仪表学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第2期279-283,共5页
压控振荡器是光泵磁力仪的核心器件。为使光泵磁力仪能够对整个地磁场范围进行有效测量,需要一种输出频率范围宽。波段覆盖系数大,并具有较高瞬时稳定度的压控振荡器。采用多个变容二极管并联的方法,设计了基于西勒振荡电路形式,具有放... 压控振荡器是光泵磁力仪的核心器件。为使光泵磁力仪能够对整个地磁场范围进行有效测量,需要一种输出频率范围宽。波段覆盖系数大,并具有较高瞬时稳定度的压控振荡器。采用多个变容二极管并联的方法,设计了基于西勒振荡电路形式,具有放大功能的压控振荡器。实验结果表明,该压控振荡器的输出频率范围大于8~20 MHz,波段覆盖系数达到2.5,输出波形幅度在整个频率范围内均达到3V以上,信号输出稳定,完全满足光泵磁力仪对地磁测量的要求。 展开更多
关键词 压控振荡器 光泵磁力仪 变容二极管 波段覆盖系数
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RF MEMS压控振荡器的研制及相位噪声特性研究 被引量:3
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作者 李丽 张志国 +1 位作者 赵正平 郭文胜 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2006年第05B期1907-1910,共4页
利用RFMEMS可变电容作为频率调节元件,制备了中心频率为2GHz的MEMSVCO器件.RFMEMS可变电容采用凹型结构,其控制极板与电容极板分离,并采用表面微机械工艺制造,在2GHz时的Q值最高约为38.462.MEMSVCO的测试结果表明,偏离2.007GHz的载波频... 利用RFMEMS可变电容作为频率调节元件,制备了中心频率为2GHz的MEMSVCO器件.RFMEMS可变电容采用凹型结构,其控制极板与电容极板分离,并采用表面微机械工艺制造,在2GHz时的Q值最高约为38.462.MEMSVCO的测试结果表明,偏离2.007GHz的载波频率100kHz处的单边带相位噪声为-107dBc/Hz,此相位噪声性能优于他们与90年代末国外同频率器件.并与采用GaAs超突变结变容二极管的VCO器件进行了比较,说明由于集成了RFMEMS可变电容,使得在RFMEMS可变电容的机械谐振频率近端时,MEMSVCO的相位噪声特性发生了改变. 展开更多
关键词 RF MEMS 可变电容 Q值 压控振荡器 单边带相位噪声
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一款0.18μm CMOS辐射加固差分压控振荡器 被引量:3
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作者 赵振宇 郭斌 +1 位作者 张民选 刘衡竹 《国防科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第6期12-17,共6页
基于对称负载压控振荡器(VCO)的单粒子瞬变(SET)失效机理,应用设计加固(RHBD)技术分别改进了偏置电路和环形振荡器,设计和实现了一款0.18μm CMOS辐射加固差分VCO。模拟结果表明:加固VCO的SET敏感性大幅降低,同时还降低了抖动对于电源... 基于对称负载压控振荡器(VCO)的单粒子瞬变(SET)失效机理,应用设计加固(RHBD)技术分别改进了偏置电路和环形振荡器,设计和实现了一款0.18μm CMOS辐射加固差分VCO。模拟结果表明:加固VCO的SET敏感性大幅降低,同时还降低了抖动对于电源噪声的敏感性。虽然电路结构变化会导致频率下降,但可以通过调整电路尺寸而解决。此外,加固VCO面积开销有所降低,优于其他加固方法。 展开更多
关键词 单粒子效应 单粒子瞬变 压控振荡器 RHBD
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新型复合沟道Al_(0.3)Ga_(0.7)N/Al_(0.05)Ga_(0.95)N/GaN HEMT低相位噪声微波单片集成压控振荡器(英文) 被引量:3
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作者 程知群 蔡勇 +3 位作者 刘杰 周玉刚 刘稚美 陈敬 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第4期241-245,共5页
设计并研制了一种新型复合沟道Al0.3Ga0.7N/Al0.05Ga0.95N/GaN HEMT(CC-HEMT)微波单片集成压控振荡器(VCO),且测试了电路的性能。CC-HEMT的栅长为1μm,栅宽为100μm。叉指金属-半导体-金属(MSM)变容二极管被设计用于调谐VCO频率。为提... 设计并研制了一种新型复合沟道Al0.3Ga0.7N/Al0.05Ga0.95N/GaN HEMT(CC-HEMT)微波单片集成压控振荡器(VCO),且测试了电路的性能。CC-HEMT的栅长为1μm,栅宽为100μm。叉指金属-半导体-金属(MSM)变容二极管被设计用于调谐VCO频率。为提高螺旋电感的Q值,聚酰亚胺介质被插入在电感金属层与外延在蓝宝石上GaN层之间。当CC-HEMT的直流偏置为Vgs=-3V,Vds=6V,变容二极管的调谐电压从5.5V到8.5V时,VCO的频率变化从7.04GHz到7.29GHz,平均输出功率为10dBm,平均功率附加效率为10.4%。当加在变容二极管上电压为6.7V时,测得的相位噪声为-86.25dBc/Hz(在频偏100KHz时)和-108dB/Hz(在频偏1MHz时),这个结果也是整个调谐范围的平均值。据我们所知,这个相位噪声测试结果是文献报道中基于GaN HEMT单片VCO的最好结果。 展开更多
关键词 Al0.3Ga0.7N/Al0.05Ga0.95N/GaN高电子迁移率晶体管 微波单片集成电路 压控振荡器 相位噪声
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CMOS环型压控振荡器的设计 被引量:7
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作者 程梦璋 景为平 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第2期305-308,共4页
设计和分析了一种高稳定度、低噪声的CMOS环型压控振荡器。该电路具有较低的压控增益,较好的线性范围,较低的相位噪声。应用复制偏置电路,对差分环型压控振荡器的控制电压进行复制,通过对压控振荡器相位噪声的计算和分析,以提高对环型... 设计和分析了一种高稳定度、低噪声的CMOS环型压控振荡器。该电路具有较低的压控增益,较好的线性范围,较低的相位噪声。应用复制偏置电路,对差分环型压控振荡器的控制电压进行复制,通过对压控振荡器相位噪声的计算和分析,以提高对环型压控振荡器电源电压噪声和衬底噪声的抑制。该设计和分析是基于上华0.5μmCMOS工艺,当控制电压从1~3V变化时,相应的振荡频率为100~500MHz;在偏离中心频率1kHz、10kHz、100kHz和1MHz频率处得到的相位噪声分别为?50dBc/Hz、?75dBc/Hz、?98dBc/Hz和?120dBc/Hz。 展开更多
关键词 延迟单元 相位噪声 时间抖动 压控振荡器
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声体波谐振器压控振荡器 被引量:3
14
作者 王宗富 郑泽渔 +2 位作者 杨正兵 朱昌安 田亚睿 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2011年第5期683-686,共4页
声体波谐振器(FBAR)压控振荡器(VCO)技术探讨了高品质因数Q谐振器并实现宽频率调谐难题,完成了声体波谐振器MBVD模型参数建立、电路的选择与布局,以及最优化的设计与制作,尽量消除了FBAR与IC之间的引线产生的影响,克服了频率调整问题。... 声体波谐振器(FBAR)压控振荡器(VCO)技术探讨了高品质因数Q谐振器并实现宽频率调谐难题,完成了声体波谐振器MBVD模型参数建立、电路的选择与布局,以及最优化的设计与制作,尽量消除了FBAR与IC之间的引线产生的影响,克服了频率调整问题。研制了中心频率2.1GHz的VCO振荡器,研究结果表明,其输出功率为5~10dBm,调谐范围为2.044‰,边带相噪为-143dBc/1Hz@1MHz。 展开更多
关键词 声体波 压控振荡器(VCO) 谐振器
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基于MOS电容的压控振荡器设计 被引量:3
15
作者 窦建华 张锋 吴玺 《合肥工业大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2006年第6期721-724,共4页
传统的环形压控振荡器通常是利用控制电阻的方式来达到压控振荡的效果。文章利用容性耦合电流放大器作为压控振荡器的基本反馈单元,并在输出端增加MOS电容来控制振荡频率;分析了利用饱和区的MOS电容特性来实现压控的方法,并采用Smartsp... 传统的环形压控振荡器通常是利用控制电阻的方式来达到压控振荡的效果。文章利用容性耦合电流放大器作为压控振荡器的基本反馈单元,并在输出端增加MOS电容来控制振荡频率;分析了利用饱和区的MOS电容特性来实现压控的方法,并采用Smartspice软件和0.6μm CMOS工艺参数对该压控振荡器进行了模拟;结果表明,这种方法对电路的静态工作点影响很小,输出交流波形的频率稳定度高,有良好的线性调谐特性,达到了预期的效果。 展开更多
关键词 压控振荡器 环形振荡器 IMOS电容 正反馈 调谐范围
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一种新型微波宽带压控振荡器的设计 被引量:4
16
作者 孙高勇 要志宏 +1 位作者 郭文胜 张加程 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第8期586-589,635,共5页
提出了一种提高微波宽带压控振荡器(VCO)稳定性的方法。压控振荡器采用了从谐振电路输出的结构,并与后级缓冲放大电路之间加入了一个匹配电路,从而可有效提高宽带振荡器的稳定性,改善振荡器的温度特性。基于此电路结构,采用Ga As HBT... 提出了一种提高微波宽带压控振荡器(VCO)稳定性的方法。压控振荡器采用了从谐振电路输出的结构,并与后级缓冲放大电路之间加入了一个匹配电路,从而可有效提高宽带振荡器的稳定性,改善振荡器的温度特性。基于此电路结构,采用Ga As HBT工艺设计了一款微波宽带压控振荡器芯片。为拓宽振荡器的工作频带和降低相位噪声,使用片外Ga As超突变结、高Q值变容二极管。该宽带压控振荡器芯片实测结果显示,在调谐电压为1.5~15 V内,可实现输出频率覆盖13~19 GHz,调谐线性度≤2.5∶1,调谐电压8 V时相位噪声为-89 d Bc/Hz@100 k Hz。该压控振荡器工作电压为5 V,工作电流为65 m A,19 GHz频率点处输出功率在85℃环境温度下比在25℃环境温度下仅下降2 d B,具有良好的温度稳定性。 展开更多
关键词 宽带 压控振荡器(VCO) 匹配电路 稳定性 砷化镓异质结双极型晶体管
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900 MHz压控振荡器设计 被引量:7
17
作者 熊俊俏 夏敏 《电讯技术》 北大核心 2010年第6期66-70,共5页
采用集总元件变容二极管和超高频三极管设计900MHz压控振荡器,根据ADS2006A软件仿真确定了压控振荡器的电路参数,并对相关指标如相位噪声、调谐带宽、稳定系数、输出功率和谐波电平等进行了仿真,通过调整电路参数,优化电路结构,实现了... 采用集总元件变容二极管和超高频三极管设计900MHz压控振荡器,根据ADS2006A软件仿真确定了压控振荡器的电路参数,并对相关指标如相位噪声、调谐带宽、稳定系数、输出功率和谐波电平等进行了仿真,通过调整电路参数,优化电路结构,实现了工作频率为1GHz、调谐带宽为90 MHz的压控振荡器,其相位噪声在偏移中心频率10kHz处为-105dBc/Hz,在100kHz处为-120dBc/Hz,该设计大大降低了系统成本。 展开更多
关键词 直放站 射频前端 压控振荡器 相位噪声 变容二极管
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利用对比度最优准则的压控振荡器调频非线性误差估计与校正方法 被引量:2
18
作者 王华 宋千 周智敏 《国防科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第2期65-71,共7页
针对压控振荡器调频非线性误差的准确估计与校正问题,提出一种以一维距离像对比度最优为准则的自适应估计与校正方法。本方法建立引入温度变量的压控振荡器频率特性模型,并据此估计出某一温度值对应的调频非线性误差,在对中频回波进行... 针对压控振荡器调频非线性误差的准确估计与校正问题,提出一种以一维距离像对比度最优为准则的自适应估计与校正方法。本方法建立引入温度变量的压控振荡器频率特性模型,并据此估计出某一温度值对应的调频非线性误差,在对中频回波进行误差补偿和一维脉压后,以一维距离像的对比度最优作为迭代收敛准则,实现调频非线性误差的最优估计与校正。仿真和实测数据结果表明,该方法充分考虑了温度因素对压控振荡器输出频率的影响,能够在不增加硬件复杂度的前提下,通过算法实现对调频非线性误差的估计、跟踪与补偿。与传统基于硬件电路进行估计或校正的方法相比,新方法无需由硬件组成闭环估计通道,且具有实时性强、运算量小、补偿精度高的优点,对于克服实际工程应用中压控振荡器器件的参数漂移问题具有重要指导意义。 展开更多
关键词 压控振荡器 调频非线性校正 对比度最优 频率漂移
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锁相环电路中压控振荡器的SET响应研究 被引量:2
19
作者 秦军瑞 陈吉华 +2 位作者 赵振宇 梁斌 刘征 《计算机工程与科学》 CSCD 北大核心 2011年第2期75-79,共5页
空间辐射环境中的锁相环在SET作用下,将产生频率或相位偏差,甚至导致振荡中止,造成通信或功能中断。压控振荡器是锁相环中的关键电路,也是对SET最为敏感的部件之一。本文基于工艺校准的器件模型,采用TCAD混合模拟的方法,针对180nm体硅C... 空间辐射环境中的锁相环在SET作用下,将产生频率或相位偏差,甚至导致振荡中止,造成通信或功能中断。压控振荡器是锁相环中的关键电路,也是对SET最为敏感的部件之一。本文基于工艺校准的器件模型,采用TCAD混合模拟的方法,针对180nm体硅CMOS工艺下高频锁相环中的压控振荡器,研究了偏置条件、入射粒子的能量以及温度对压控振荡器SET响应的影响,通过分析失效机理,以指导抗辐照压控振荡器的设计。研究结果表明,当器件工作在截止区时,入射粒子引起压控振荡器输出时钟的最大相位差最小;压控振荡器的输出时钟错误脉冲数随着入射粒子LET的增加而线性增加;随着器件工作温度的升高,轰击粒子引起压控振荡器输出时钟的最大相位差也是增大的。 展开更多
关键词 单粒子瞬变 压控振荡器 混合模拟
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基于可变全差分电感的宽带压控振荡器设计 被引量:1
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作者 贺章擎 任志雄 +1 位作者 万相奎 李风从 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第11期811-815,共5页
提出了一种新型结构的可变全差分电感,并将其应用于一款宽带CMOS压控振荡器(VCO)的设计。通过开关控制电感值大小在0.87 nH和1.72 nH之间变换,进一步通过4 bit数字信号控制MOS管电容阵列开关的闭合,VCO输出频率调谐范围(FTR)超过57... 提出了一种新型结构的可变全差分电感,并将其应用于一款宽带CMOS压控振荡器(VCO)的设计。通过开关控制电感值大小在0.87 nH和1.72 nH之间变换,进一步通过4 bit数字信号控制MOS管电容阵列开关的闭合,VCO输出频率调谐范围(FTR)超过57%。采用TSMC 55 nm1P8M CMOS工艺对VCO进行了流片和性能测试,测试结果表明:VCO的输出信号频率范围为3.98-7.22 GHz,其中,开关闭合状态下VCO高频频率范围为4.73-7.22 GHz,开关打开状态下VCO低频频率范围为3.98-5.23 GHz;1 MHz频偏处,VCO的整体相位噪声小于-104 d Bc/Hz,适用于多频段无线收发器的设计。VCO的电源电压为1.2 V,芯片面积为0.39 mm2。 展开更多
关键词 差分电感 压控振荡器 相位噪声 宽带 调谐范围
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