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压接式IGBT和晶闸管器件失效模式与机理研究综述被引量：11: 1; 作者罗皓泽陈忠 +3 位作者杨为谢佳胡迪官玮平《中国电力》 CSCD 北大核心 2023年第5期137-152,共16页; 高压大容量压接式绝缘栅双极型晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)器件和晶闸管器件是高压直流输电工程中的核心器件,对能源的高效利用具有重要意义。IGBT和晶闸管等器件可靠性已成为电工装备乃至整个电力系统能够稳定可... 展开更多; 关键词压接式器件 IGBT 晶闸管失效模式与机理封装结构; 在线阅读下载PDF 职称材料

大容量全控型压接式IGBT和IGCT器件对比分析:原理、结构、特性和应用被引量：27: 2; 作者周文鹏曾嵘 +5 位作者赵彪陈政宇刘佳鹏白睿航吴锦鹏余占清《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2022年第8期2940-2956,共17页; 全控型压接式器件是大容量电力电子装备实现功率转换的核心,主要包括以集成门极换流晶闸管(integratedgate commutatedthyristor,IGCT)为代表的晶闸管类器件和以绝缘栅型双极晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)、注入增强... 展开更多; 关键词压接式器件绝缘栅型双极晶体管注入增强栅极晶体管集成门极换流晶闸管直流电网大容量电力电子; 在线阅读下载PDF 职称材料

柔直换流阀用压接式IGBT器件物理场建模及内部压强分析被引量：7: 3; 作者潘艳李金元 +6 位作者李尧圣王鹏李辉姚然邓吉利龙海洋赖伟《电力自动化设备》 EI CSCD 北大核心 2019年第1期40-45,共6页; 压接式IGBT器件是柔性直流换流阀的核心,器件内部压强分布直接影响器件及系统可靠性,而内部压强又受各种材料及复合应力相互耦合作用,针对不同应力耦合效果及其对内部压强的影响,进行压接式IGBT器件物理场模型仿真以及器件内部最大压强... 展开更多; 关键词柔性直流换流阀压接式IGBT器件物理场建模内部压强薄弱环节; 在线阅读下载PDF 职称材料

压接式SiC MOSFET模块被引量：2: 4; 作者朱楠陈敏徐德鸿《电源学报》 CSCD 北大核心 2020年第6期179-191,共13页; 介绍了一种适用于SiC MOSFET的压接式封装方法。针对SiC MOSFET芯片面积较小的特点,使用弹性压针实现SiC MOSFET芯片上表面的压力接触。由于散热器同时也是电流通路,为减小由散热器引入的寄生电感,采用了一种厚度较薄且具有良好散热性... 展开更多; 关键词功率半导体封装压接式器件 SiC MOSFET 寄生电感热管理; 在线阅读下载PDF 职称材料

不同结构压接型IGBT器件压力分布对比被引量：7: 5; 作者李安琦邓二平 +3 位作者任斌赵雨山赵志斌黄永章《中国电力》 CSCD 北大核心 2019年第9期11-19,29,共10页; 柔性直流输电技术的不断发展对应用在柔性直流输电系统中的绝缘栅双极晶体管(IGBT)器件提出了更多的要求。压接型IGBT器件因符合柔性直流输电系统等领域高电压、大电流以及高功率密度的发展需求而得到重视,易于串联的特性使其非常适用... 展开更多; 关键词柔性直流输电压接型IGBT器件凸台式压接型IGBT器件弹簧式压接型IGBT器件压力分布; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名压接式IGBT和晶闸管器件失效模式与机理研究综述被引量：11: 1; 作者罗皓泽陈忠杨为谢佳胡迪官玮平; 机构浙江大学电气工程学院国网安徽省电力有限公司电力科学研究院国网安徽省电力有限公司; 出处《中国电力》 CSCD 北大核心 2023年第5期137-152,共16页; 基金国网安徽省电力有限公司科技项目(52120522000H)。; 文摘高压大容量压接式绝缘栅双极型晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)器件和晶闸管器件是高压直流输电工程中的核心器件,对能源的高效利用具有重要意义。IGBT和晶闸管等器件可靠性已成为电工装备乃至整个电力系统能够稳定可靠运行的关键问题。首先,从压接式器件传统封装结构入手,介绍了压接式器件的弹簧式多芯片封装和凸台式多芯片/单芯片封装,对比了3种封装结构的性能。其次,阐述了压接式器件封装级失效模式与机理,结果表明热膨胀系数不匹配是封装级失效的最主要原因。同时,也对IGBT和晶闸管芯片级失效做了梳理,结果表明电气过应力是芯片级失效的主要原因。然后,简单阐述了压接式器件的新型封装结构与技术。最后,展望了压接式器件未来可能的研究重点。; 关键词压接式器件 IGBT 晶闸管失效模式与机理封装结构; Keywords press-pack device IGBT thyristor failure mode and mechanism packaging structure; 分类号 TN34 [电子电信—物理电子学] TN322.8 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名大容量全控型压接式IGBT和IGCT器件对比分析:原理、结构、特性和应用被引量：27: 2; 作者周文鹏曾嵘赵彪陈政宇刘佳鹏白睿航吴锦鹏余占清; 机构清华大学电机工程与应用电子技术系; 出处《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2022年第8期2940-2956,共17页; 基金国家自然科学基金委智能电网联合基金项目(U2166602)。; 文摘全控型压接式器件是大容量电力电子装备实现功率转换的核心,主要包括以集成门极换流晶闸管(integratedgate commutatedthyristor,IGCT)为代表的晶闸管类器件和以绝缘栅型双极晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)、注入增强栅极晶体管(injection enhanced gate transistor,IEGT)为代表的晶体管类器件。文中首先介绍并比较IGCT与IGBT(含IEGT)的芯片结构及制作工艺,然后分析对比IGCT与IGBT(含IEGT)的工作原理及封装形式。接着从工作频率、关断能力、动态耐受、器件容量、工作损耗、驱动功率、管壳防爆特性、失效短路特性、器件可靠性等9个角度出发,系统性分析不同全控型压接式器件的工作特性,最后对其应用现状及前景进行概述及展望。; 关键词压接式器件绝缘栅型双极晶体管注入增强栅极晶体管集成门极换流晶闸管直流电网大容量电力电子; Keywords press-pack device insulated gate bipolar transistor(IGBT) injection enhanced gate transistor(IEGT) integrated gate commutated thyristor(IGCT) DC power grids large-capacity power electronics; 分类号 TM46 [电气工程—电器]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名柔直换流阀用压接式IGBT器件物理场建模及内部压强分析被引量：7: 3; 作者潘艳李金元李尧圣王鹏李辉姚然邓吉利龙海洋赖伟; 机构全球能源互联网研究院有限公司先进输电技术国家重点实验室重庆大学输配电装备及系统安全与新技术国家重点实验室; 出处《电力自动化设备》 EI CSCD 北大核心 2019年第1期40-45,共6页; 基金国家重点研发计划项目(2016YFB0901800)~~; 文摘压接式IGBT器件是柔性直流换流阀的核心,器件内部压强分布直接影响器件及系统可靠性,而内部压强又受各种材料及复合应力相互耦合作用,针对不同应力耦合效果及其对内部压强的影响,进行压接式IGBT器件物理场模型仿真以及器件内部最大压强分布趋势的研究。首先,基于3.3 kV/50 A压接式IGBT器件实际结构,建立了多物理场模型,分析了机械、机-热和机-热-电不同耦合模型下器件内部压强分布的差异,并获取了器件承受内部最大压强的薄弱环节及各种内部应力作用的耦合效果。然后,基于机-热-电耦合模型,分析了不同环境温度、外部压力、导通电流对压接式IGBT器件内部薄弱层最大压强及性能的影响。最后,建立了压接式IGBT器件功率循环平台,通过恒导通工况和功率循环实验验证了机-热-电耦合模型的有效性和薄弱层分析的合理性。研究结果表明,机-热-电耦合模型能更好地表征压接式IGBT器件多应力耦合作用效果,内部最大压强的薄弱环节为IGBT芯片与发射极钼层间,且内部最大压强随环境温度、外加压力和导通电流的增加而增加。; 关键词柔性直流换流阀压接式IGBT器件物理场建模内部压强薄弱环节; Keywords VSC-HVDC converter press-pack IGBT device physical field modeling internal pressure weak layer; 分类号 TN32 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名压接式SiC MOSFET模块被引量：2: 4; 作者朱楠陈敏徐德鸿; 机构浙江大学电气工程学院; 出处《电源学报》 CSCD 北大核心 2020年第6期179-191,共13页; 基金国家自然科学基金资助项目(51477152) 国家留学基金委联合培养博士生资助项目。; 文摘介绍了一种适用于SiC MOSFET的压接式封装方法。针对SiC MOSFET芯片面积较小的特点,使用弹性压针实现SiC MOSFET芯片上表面的压力接触。由于散热器同时也是电流通路,为减小由散热器引入的寄生电感,采用了一种厚度较薄且具有良好散热性能的微通道散热器。介绍了研制的压接式SiC MOSFET样品,并通过仿真和实验评估了样品的电、热特性,验证了所提出封装方案的可行性。; 关键词功率半导体封装压接式器件 SiC MOSFET 寄生电感热管理; Keywords power semiconductor packaging press-pack device SiC MOSFET stray inductance thermal management; 分类号 TM23 [一般工业技术—材料科学与工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名不同结构压接型IGBT器件压力分布对比被引量：7: 5; 作者李安琦邓二平任斌赵雨山赵志斌黄永章; 机构华北电力大学新能源电力系统国家重点实验室; 出处《中国电力》 CSCD 北大核心 2019年第9期11-19,29,共10页; 基金国家自然科学基金委员会-国家电网公司智能电网联合基金资助项目(U1766219) 中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(2019MS001)~~; 文摘柔性直流输电技术的不断发展对应用在柔性直流输电系统中的绝缘栅双极晶体管(IGBT)器件提出了更多的要求。压接型IGBT器件因符合柔性直流输电系统等领域高电压、大电流以及高功率密度的发展需求而得到重视,易于串联的特性使其非常适用于高压应用领域。目前以WESTCODE、TOSHIBA公司为代表的凸台式封装结构和以ABB公司为代表的弹簧式封装结构的2种压接型IGBT器件已成功应用到柔性直流输电工程中。基于有限元法建立了2种压接型IGBT器件的仿真模型,分别针对器件2种不同工况(正常加压未工作和正常工作状态)对比分析了其内部的压力分布。仿真结果表明,2种结构的压接型IGBT器件在正常加压状态下压力分布均比较均匀,由于弹簧结构的存在使得弹簧式压接型IGBT器件在正常工作状态下压力分布更为均匀。最后基于仿真分析,对压接型IGBT器件的结构优化提出了可能的解决方案。; 关键词柔性直流输电压接型IGBT器件凸台式压接型IGBT器件弹簧式压接型IGBT器件压力分布; Keywords flexible HVDC transmission system press pack IGBTs pedestal PPI stakpak PPI clamping force distribution; 分类号 TN302 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	压接式IGBT和晶闸管器件失效模式与机理研究综述	罗皓泽陈忠杨为谢佳胡迪官玮平	《中国电力》 CSCD 北大核心	2023	11	在线阅读下载PDF 职称材料
2	大容量全控型压接式IGBT和IGCT器件对比分析:原理、结构、特性和应用	周文鹏曾嵘赵彪陈政宇刘佳鹏白睿航吴锦鹏余占清	《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心	2022	27	在线阅读下载PDF 职称材料
3	柔直换流阀用压接式IGBT器件物理场建模及内部压强分析	潘艳李金元李尧圣王鹏李辉姚然邓吉利龙海洋赖伟	《电力自动化设备》 EI CSCD 北大核心	2019	7	在线阅读下载PDF 职称材料
4	压接式SiC MOSFET模块	朱楠陈敏徐德鸿	《电源学报》 CSCD 北大核心	2020	2	在线阅读下载PDF 职称材料
5	不同结构压接型IGBT器件压力分布对比	李安琦邓二平任斌赵雨山赵志斌黄永章	《中国电力》 CSCD 北大核心	2019	7	在线阅读下载PDF 职称材料