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550 V无电压折回逆导型横向绝缘栅双极晶体管器件设计
1
作者 杨瑞丰 《电子产品世界》 2020年第9期73-75,79,共4页
逆导型横向绝缘栅双极晶体管(RC-LIGBT)由于高电流密度、小封装成本等优点,成为了功率器件领域内主流器件之一,然而其会受到电压折回现象的不利影响。本文提出了一种基于绝缘体上硅技术的RCLIGBT器件,将续流二极管集成在位于埋氧层下的... 逆导型横向绝缘栅双极晶体管(RC-LIGBT)由于高电流密度、小封装成本等优点,成为了功率器件领域内主流器件之一,然而其会受到电压折回现象的不利影响。本文提出了一种基于绝缘体上硅技术的RCLIGBT器件,将续流二极管集成在位于埋氧层下的衬底,利用埋氧层的隔离特性实现了IGBT与续流二极管之间的电学隔离,进而实现了完全消除电压折回现象。仿真结果显示:在几乎相同的耐压和反向导通能力下,由于更小的器件尺寸,本文提出的器件获得了更高的电流密度;本文器件的导通压降与关断损耗分别相比于传统器件降低14.4%和62.2%,实现了更好的导通压降与关断损耗的折中。 展开更多
关键词 逆导型横向绝缘栅双极晶体管 电压折回现象 绝缘体上硅 导通压降 关断损耗
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逆导型非穿通绝缘栅双极晶体管仿真 被引量：1
2
作者 杨坤进 汪德文 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第7期517-520,529,共5页
仿真了逆导型(RC)非穿通-绝缘栅双极晶体管(NPT-IGBT)的器件结构及其"折回效应"现象的I-V特性曲线,研究了一些器件重要结构参数(背面阳极n+区域与p+区域尺寸比例Ln/Lp以及n-漂移区厚度)对所仿真的逆导型NPT-IGBT器件电流"... 仿真了逆导型(RC)非穿通-绝缘栅双极晶体管(NPT-IGBT)的器件结构及其"折回效应"现象的I-V特性曲线,研究了一些器件重要结构参数(背面阳极n+区域与p+区域尺寸比例Ln/Lp以及n-漂移区厚度)对所仿真的逆导型NPT-IGBT器件电流"折回效应"的影响。用"MOSFET+pin二极管"等效电路模型分析了仿真结果中得到的结论。结果表明,Ln/Lp与n-漂移区厚度对"折回效应"幅度影响显著。在n-漂移区厚度为60μm时,Ln/Lp尺寸比例在5/11和2/14(μm/μm)之间,"折回效应"幅度较低,并且反向二极管具有导通能力,可以成为对应RC-NPT-IGBT的工艺窗口;在n-漂移区厚度达到150μm时,"折回效应"接近消失,Ln/Lp尺寸比例可以有更宽的选择。 展开更多
关键词 绝缘栅双极晶体管(igbt) 非穿通型(NPT) 逆向导通(RC) “折回效应” 电导调制效应
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IR推出新型绝缘栅双极型晶体管（1GBT）系列
3
《中国集成电路》 2012年第11期9-9,共1页
日前，国际整流器公司（InternationalRectifier，简称IR）推出IRGR4045DPbF和IRGS4045DPbF，以此拓展绝缘栅双极型晶体管（IGBT）系列。全新600V超高速沟道IGBT能够为洗衣机和冰箱等家电与轻工业电机驱动应用提升性能及效率。
关键词 绝缘栅双极型晶体管 国际整流器公司 IR 电机驱动 igbt 轻工业 洗衣机 超高速
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压接型IGBT内部栅极电压一致性影响因素及调控方法 被引量：2
4
作者 张冠柔 傅实 +4 位作者 彭程 李学宝 唐新灵 赵志斌 崔翔 《半导体技术》 CAS 北大核心 2021年第5期393-401,共9页
压接型绝缘栅双极晶体管(IGBT)的驱动印制电路板(PCB)寄生参数不一致会引起瞬态过程中内部IGBT芯片栅极电压不一致,芯片不能同时开通,造成芯片的瞬态不均流。结合压接型IGBT驱动PCB结构及运行工况,建立了包含驱动源、芯片模型、驱动PCB... 压接型绝缘栅双极晶体管(IGBT)的驱动印制电路板(PCB)寄生参数不一致会引起瞬态过程中内部IGBT芯片栅极电压不一致,芯片不能同时开通,造成芯片的瞬态不均流。结合压接型IGBT驱动PCB结构及运行工况,建立了包含驱动源、芯片模型、驱动PCB的一体化电路模型,分析了栅极内电阻、栅射极电容以及驱动电阻对驱动电压一致性的影响。在此基础上提出了驱动PCB电感匹配、并联芯片数匹配以及集中电阻补偿的驱动PCB的调控方法,以实现对栅极电压一致性的有效调控。研究表明驱动电阻是造成芯片栅极电压不一致的主要因素。利用上述调控方法可将芯片开通时间的不均衡度由79.2%分别降低至2.86%、7.1%和7.5%,实验验证了所提出的驱动PCB调控方法的有效性。 展开更多
关键词 压接型绝缘栅双极晶体管(igbt) 并联均流 栅极电压一致性 驱动印制电路板(PCB) 布线原则 调控方法
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压接型IGBT封装寄生参数对芯片开通过程中的均流影响分析 被引量：4
5
作者 张睿 赵志斌 +2 位作者 陈中圆 张朋 崔翔 《智能电网》 2016年第4期361-366,共6页
在压接型绝缘栅双极型晶体管(press-pack IGBT)模块内部,封装寄生参数会对芯片开通过程中的均流产生影响,找出影响较大的寄生参数并在封装设计时加以改进就显得十分必要。在分析压接型IGBT模块中封装寄生参数来源的基础上,根据有限元软... 在压接型绝缘栅双极型晶体管(press-pack IGBT)模块内部,封装寄生参数会对芯片开通过程中的均流产生影响,找出影响较大的寄生参数并在封装设计时加以改进就显得十分必要。在分析压接型IGBT模块中封装寄生参数来源的基础上,根据有限元软件对封装寄生参数的提取结果,初步建立封装电路模型。以典型的电力电子变换电路Boost电路为例进行仿真,分析压接型IGBT模块的封装寄生参数对模块内部开通过程中均流的影响。仿真结果表明,不同的寄生参数对模块内部均流特性的影响不同,初步找出影响较大的寄生参数,并为封装设计提供参考。 展开更多
关键词 绝缘栅双极型晶体管 压接封装 寄生参数 均流
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IGBT器件级物理模型的FPGA设计与实现及在环验证
6
作者 张驾祥 谭会生 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第4期330-340,共11页
基于硬件在环(HIL)仿真,研究了绝缘栅双极型晶体管(IGBT)器件级Hefner物理模型及其求解算法与优化方法,在现场可编程门阵列(FPGA)上设计并实现了Hefner优化模型,并基于PYNQ框架对其进行了在环验证。首先,分析并仿真了Hefner物理模型与... 基于硬件在环(HIL)仿真,研究了绝缘栅双极型晶体管(IGBT)器件级Hefner物理模型及其求解算法与优化方法,在现场可编程门阵列(FPGA)上设计并实现了Hefner优化模型,并基于PYNQ框架对其进行了在环验证。首先,分析并仿真了Hefner物理模型与其求解算法,提出并训练了一个前馈神经网络用以拟合模型中的一组非线性函数;接着,在FPGA上设计并验证了Hefner优化模型IP核,并使用基于PYNQ框架的FPGA在环验证方法对其进行了板级验证;最后,用IKW50N60H3和FGA25N120两种型号的IGBT器件对IP核进行了实例验证。结果表明,Hefner优化模型能准确地反映IGBT的开关瞬态特性;在Zynq 7020芯片的处理器系统(PS)端运行PYNQ框架,可编程逻辑(PL)端时钟频率为100 MHz时,实现60 000个时间步长的时间为212 s,是软件运行同样次数所用时间(341 s)的62%,FPGA加速明显。 展开更多
关键词 绝缘栅双极型晶体管(igbt) Hefner物理模型 神经网络拟合 现场可编程门阵列(FPGA) 在环验证
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一种带有p型阻挡层的新型阳极短路IGBT结构
7
作者 于佳弘 李涵悦 +3 位作者 谢刚 王柳敏 金锐 盛况 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第9期679-683,共5页
提出了一种可应用于高压绝缘栅双极型晶体管(IGBT)模块的新型阳极短路IGBT结构。在n型截止区设计一个p型阻挡层,增加了集电极区域的短路电阻,从而完全消除传统阳极短路型IGBT开启时正向导通压降的回跳效应。p型阻挡层的位置对消除导通... 提出了一种可应用于高压绝缘栅双极型晶体管(IGBT)模块的新型阳极短路IGBT结构。在n型截止区设计一个p型阻挡层,增加了集电极区域的短路电阻,从而完全消除传统阳极短路型IGBT开启时正向导通压降的回跳效应。p型阻挡层的位置对消除导通压降回跳现象至关重要。详细讨论了p型阻挡层的高度、宽度和水平位置对器件电学特性的影响。仿真结果表明,将一个传统结构的阳极短路型IGBT和一个具有高度为4μm、宽度为3μm的p型阻挡层的新型阳极短路型IGBT结构对比,在门极驱动电压为15 V的情况下,器件的正向导通压降从传统的4.60 V下降到3.95 V,关断时间从354 ns减少到305 ns。所提出的新结构能进一步有效折中IGBT器件正向压降与关断时间的矛盾关系。 展开更多
关键词 回跳现象 阳极短路绝缘栅双极型晶体管(igbt) p型阻挡层 正向导通压降 关断时间
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逆变器中IGBT功率模块的电热联合仿真模型 被引量：10
8
作者 姚芳 王少杰 李志刚 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第6期440-445,472,共7页
功率半导体器件是逆变器中失效率最高的部分,计算功率器件的损耗与结温对预测功率器件的寿命具有重要意义。分别从损耗计算和热路计算两个方面简述了逆变器中绝缘栅双极型晶体管(IGBT)功率模块及其反并联二极管的电热模型的计算原理,并... 功率半导体器件是逆变器中失效率最高的部分,计算功率器件的损耗与结温对预测功率器件的寿命具有重要意义。分别从损耗计算和热路计算两个方面简述了逆变器中绝缘栅双极型晶体管(IGBT)功率模块及其反并联二极管的电热模型的计算原理,并搭建了该电热联合仿真模型,进而得到IGBT与反并联二极管的损耗波形与结温波形。将仿真得到的结果与利用电力电子仿真软件PLECS中自带的IGBT模块搭建的逆变器的仿真结果对比,验证了该模型的合理性与准确性,并大大缩短了仿真时间。将在某风电场中获得的逆变器输出电流输入仿真模型中,得到IGBT的结温曲线,可以为IGBT寿命预测等研究提供数据支持。 展开更多
关键词 电热联合 仿真 绝缘栅双极型晶体管(igbt) 损耗 结温
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缓变场终止型IGBT特性的仿真 被引量：2
9
作者 匡勇 贾云鹏 +4 位作者 金锐 吴郁 屈静 苏洪源 李蕊 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2015年第1期29-33,43,共6页
为改善场终止型绝缘栅双极型晶体管（FS-IGBT）电场终止能力的可靠性,对一种缓变场终止型绝缘栅双极型晶体管（GFS-IGBT）的特性进行了仿真研究。与传统FS-IGBT的突变场终止层不同,GFS-IGBT所具有的场终止层是一个厚度为20-30μm,峰值... 为改善场终止型绝缘栅双极型晶体管（FS-IGBT）电场终止能力的可靠性,对一种缓变场终止型绝缘栅双极型晶体管（GFS-IGBT）的特性进行了仿真研究。与传统FS-IGBT的突变场终止层不同,GFS-IGBT所具有的场终止层是一个厚度为20-30μm,峰值掺杂浓度为3.5×10^15cm^-3的缓变场终止层。采用Sentaurus TCAD仿真软件,对600 V/20 A的FS-IGBT与GFS-IGBT和非穿通型IGBT（NPT-IGBT）在导通、开关和短路特性等方面进行了对比仿真。结果表明,在给定的参数范围内,GFS-IGBT具有更低的通态压降、良好的关断电压波形以及更小的关断能耗。最后介绍了一种针对600 V IGBT器件的缓变场终止结构的制造技术。 展开更多
关键词 缓变掺杂 绝缘栅双极型晶体管(igbt) 通态压降 关断损耗 场终止结构
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考虑热效应的IGBT热网络模型建模方法 被引量：11
10
作者 申海东 解江 +1 位作者 吴雪珂 欧永 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第12期898-904,共7页
功率器件结温预测对于器件的寿命评价具有重要意义,而材料的热效应是影响结温预测结果的关键因素之一。基于此,提出了一种考虑热效应的绝缘栅双极型晶体管(IGBT)热网络模型建模方法,可提高IGBT结温预测的准确性。采用经典Foster与Cauer... 功率器件结温预测对于器件的寿命评价具有重要意义,而材料的热效应是影响结温预测结果的关键因素之一。基于此,提出了一种考虑热效应的绝缘栅双极型晶体管(IGBT)热网络模型建模方法,可提高IGBT结温预测的准确性。采用经典Foster与Cauer热网络模型转换方法,获取IGBT各层结构热阻和热容,建立芯片Si热阻-温度的函数模型,对比模型计算值与实验结果,验证了热阻-温度函数建模方法的合理性与准确性。最后基于Multisim平台建立了新型IGBT Cauer热网络模型,实现热效应耦合下结温的实时预测。仿真结果表明,随着环境温度升高和IGBT功耗增大,材料热效应对结温预测影响就越大,此时新Cauer模型仿真结果更具有参考价值,可为功率器件寿命评价提供更可靠的数据支持。 展开更多
关键词 绝缘栅双极型晶体管(igbt) Cauer模型 结温 热网络模型 可靠性
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新型IGBT引线键合故障诊断与预测方法 被引量：3
11
作者 张颖 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第12期942-945,共4页
为了克服常规预测方法不能有效诊断及预测引线键合故障等不足,提出了一种基于脉冲电流信号注入的电动汽车用绝缘栅双极型晶体管(IGBT)引线键合故障诊断与预测方法。介绍了引线键合的IGBT原理,详细阐述了键合线失效机理并确定了用于退化... 为了克服常规预测方法不能有效诊断及预测引线键合故障等不足,提出了一种基于脉冲电流信号注入的电动汽车用绝缘栅双极型晶体管(IGBT)引线键合故障诊断与预测方法。介绍了引线键合的IGBT原理,详细阐述了键合线失效机理并确定了用于退化监测的预测参数;其次,给出了保护电路与实现脉冲电流注入的电路工作原理;最后,对键合线结温、开态电压和输出电压漂移进行了测试和分析。测试结果表明,开态电压变化范围均在精度要求范围之内,因此提出的方法能对键合线故障进行有效的诊断和预测,具有可行性和可靠性。 展开更多
关键词 电动汽车 绝缘栅双极型晶体管(igbt) 键合线 脉冲电流注入 故障诊断
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IGBT器件栅极漏电问题研究 被引量：1
12
作者 巨峰峰 姚伟明 +1 位作者 翁长羽 刘道广 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第9期738-742,共5页
IGBT器件具有输入阻抗高和导通压降低的优点,在大功率电力电子领域具有广泛的应用,但IGBT器件的栅极漏电问题严重影响产品的成品率和可靠性,是产品制造工艺控制的关键。栅极漏电问题主要由栅氧化层质量、多晶硅栅形貌以及栅极与发射极... IGBT器件具有输入阻抗高和导通压降低的优点,在大功率电力电子领域具有广泛的应用,但IGBT器件的栅极漏电问题严重影响产品的成品率和可靠性,是产品制造工艺控制的关键。栅极漏电问题主要由栅氧化层质量、多晶硅栅形貌以及栅极与发射极之间的隔离等问题所致,通常造成栅极短路漏电的原因比较容易发现,但栅极轻微漏电的原因比较复杂,需要通过科学的分析,才能找到问题的根源。通过对典型栅极漏电(栅极间呈现二极管特性)问题的调查,总结了解决问题的思路和方法,对IGBT芯片制造者或器件应用者有一定的参考作用。 展开更多
关键词 绝缘栅双极型晶体管(igbt) 漏电 短路 二极管特性 磷硅玻璃(PSG) 栅氧(GOX)
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“I”型三电平逆变器开关管不均压研究 被引量：3
13
作者 王博 郝湘路 《电子产品世界》 2016年第7期59-62,共4页
为解决"I"型三电平逆变拓扑中内、外开关管的不均压问题,在逆变拓扑开关管的控制方式及硬件电路上提出了优化的方案。开关管发波控制中,在原有的时序控制中加入开机和关机的时序逻辑,开机时保证内管先于外管开通,关机时保证... 为解决"I"型三电平逆变拓扑中内、外开关管的不均压问题,在逆变拓扑开关管的控制方式及硬件电路上提出了优化的方案。开关管发波控制中,在原有的时序控制中加入开机和关机的时序逻辑,开机时保证内管先于外管开通,关机时保证外管先于内管关断,避免内、外管承受电压不一致的情况。在硬件电路中,对内管增加阻容网络,消除了内、外管同时关断时由于其寄生参数不一致而导致的内、外管承受电压不一致的现象。实验结果表明,该方法可以彻底解决"I"型三电平拓扑中内、外管承受电压不一致的问题。 展开更多
关键词 "I"型三电平 绝缘栅双极型晶体管(igbt) 内 外管 不均压
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一种新型FS-CIGBT器件设计及仿真
14
作者 谈景飞 王波 朱阳军 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第8期593-597,共5页
由于新型高压场终止型绝缘栅双极晶体管(FS-CIGBT)器件结构与普通IGBT器件结构相比,增加了一层p阱及n阱的结构,因此会产生电势的自钳位效应,保护器件正面结构,防止出现高压失效现象,提高器件的可靠性,同时会降低器件的正向导通压降以及... 由于新型高压场终止型绝缘栅双极晶体管(FS-CIGBT)器件结构与普通IGBT器件结构相比,增加了一层p阱及n阱的结构,因此会产生电势的自钳位效应,保护器件正面结构,防止出现高压失效现象,提高器件的可靠性,同时会降低器件的正向导通压降以及开关损耗。鉴于新结构器件的优势,借助仿真软件Sentaurus TCAD,设计了新型FS-CIGBT器件的各项结构参数以及工艺制造流程,并仿真模拟了其各项电学特性参数。仿真得到FS-CIGBT的击穿电压为8 129 V,在额定电流密度25 A/cm2条件下,导通压降为3.6 V,器件关断损耗为103 mJ/cm2,且各项特性参数均优于普通结构的IGBT器件的特性。 展开更多
关键词 场终止型绝缘栅双极晶体管(FS—Cigbt) 绝缘栅双极型晶体管(igbt) 自钳位 仿真 电学特性 可靠性
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基于Elman神经网络模型的IGBT寿命预测 被引量：19
15
作者 刘子英 朱琛磊 《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第5期395-400,共6页
建立了Elman神经网络模型来实现绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的寿命预测。分析了IGBT的结构及其失效原因,结合NASA埃姆斯中心的加速热老化试验数据,确定了以集电极-发射极关断电压尖峰峰值作为失效预测依据。利用高斯滤波的方法对试验数据... 建立了Elman神经网络模型来实现绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的寿命预测。分析了IGBT的结构及其失效原因,结合NASA埃姆斯中心的加速热老化试验数据,确定了以集电极-发射极关断电压尖峰峰值作为失效预测依据。利用高斯滤波的方法对试验数据进行预处理,构建了单、多隐层Elman神经网络寿命预测模型,并构建了广义回归神经网络(GRNN)寿命预测模型作为对比模型。采用均方误差、平均绝对误差、最大相对误差作为各模型预测性能的评估指标。结果表明,提出的Elman神经网络模型比GRNN模型有更好的预测效果。二隐层的Elman神经网络模型均方误差为0.202 0%,平均绝对误差为0.387 6%,最大相对误差为3.023 0%,可以更好地实现IGBT寿命的预测。 展开更多
关键词 绝缘栅双极型晶体管(igbt) 失效 ELMAN神经网络 广义回归神经网络(GRNN) 寿命预测
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逆导型沟槽FS IGBT的设计与实现
16
作者 邓小社 郭绪阳 +2 位作者 李泽宏 张波 张大成 《半导体技术》 CSCD 北大核心 2017年第9期669-674,695,共7页
逆导型沟槽场终止绝缘栅双极型晶体管(RC Trench FS IGBT)是一种新型的功率半导体器件,具有成本低、体积小、可靠性高等优点。设计并实现了一款1 200 V逆导型沟槽FS IGBT。重点研究了逆导型绝缘栅门极晶体管(RC IGBT)特有的回扫现象,以... 逆导型沟槽场终止绝缘栅双极型晶体管(RC Trench FS IGBT)是一种新型的功率半导体器件,具有成本低、体积小、可靠性高等优点。设计并实现了一款1 200 V逆导型沟槽FS IGBT。重点研究了逆导型绝缘栅门极晶体管(RC IGBT)特有的回扫现象,以及如何从结构设计上消除回扫现象,其次,对RC IGBT在不同的载流子寿命下,进行了开关特性、反向恢复特性的仿真。研究结果发现随着载流子寿命的降低,其开关时间、反向恢复特性都有一定程度的改善。依据器件的最优化设计进行了流片。测试结果验证了不同设计对电流回扫现象的影响,以及不同少子寿命下导通特性和反向恢复特性的变化规律,器件的性能得到优化。 展开更多
关键词 逆导型沟槽场终止绝缘栅双极型晶体管(RC TRENCH FS igbt) 载流子寿命 反向恢复时间 回扫现象 开关特性
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基于SSA-LSTM模型的IGBT时间序列预测研究 被引量：8
17
作者 冷丽英 付建哲 宁波 《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第1期66-72,共7页
针对绝缘栅双极型晶体管(IGBT)长工作周期导致的老化失效问题,提出一种基于麻雀搜索算法(SSA)优化长短期记忆(LSTM)网络的IGBT时间序列预测方法。首先分析IGBT疲劳失效的原因,选取某IGBT老化数据集中的集射极峰值电压为失效特征量,进行... 针对绝缘栅双极型晶体管(IGBT)长工作周期导致的老化失效问题,提出一种基于麻雀搜索算法(SSA)优化长短期记忆(LSTM)网络的IGBT时间序列预测方法。首先分析IGBT疲劳失效的原因,选取某IGBT老化数据集中的集射极峰值电压为失效特征量,进行二次指数滤波以增大数据下降趋势。然后利用Matlab搭建LSTM模型,并采用SSA对网络模型中学习率、隐藏层节点数和训练次数进行寻优以得到最优网络。最后选取常用回归预测性能评估指标对LSTM模型与SSA-LSTM模型预测结果进行对比分析。结果表明,SSA-LSTM模型的预测结果平均绝对误差、均方根误差及平均绝对百分比误差分别降低了0.016%、0.022%和0.202%,证明所提方法预测精度高,可在一定程度上评估IGBT的寿命。 展开更多
关键词 麻雀搜索算法(SSA) 长短期记忆(LSTM)网络 绝缘栅双极型晶体管(igbt) 特征参数 时间序列预测
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1700 V精细沟槽栅IGBT器件设计
18
作者 郑婷婷 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第4期310-315,329,共7页
为了改善绝缘栅双极型晶体管(IGBT)器件关断损耗和导通压降之间的折中关系,同时降低器件制造成本,基于1 700 V电压平台设计了一种采用精细沟槽栅结构的IGBT。采用TCAD软件进行仿真,研究衬底电阻率、衬底厚度、沟槽栅深度、沟槽栅宽度、... 为了改善绝缘栅双极型晶体管(IGBT)器件关断损耗和导通压降之间的折中关系,同时降低器件制造成本,基于1 700 V电压平台设计了一种采用精细沟槽栅结构的IGBT。采用TCAD软件进行仿真,研究衬底电阻率、衬底厚度、沟槽栅深度、沟槽栅宽度、载流子存储层注入剂量、沟槽栅元胞结构等因素对精细沟槽栅IGBT器件性能参数的影响,确定了最优工艺参数,并对1 700 V精细沟槽栅IGBT芯片进行流片和封装。测试结果显示,相比普通沟槽栅IGBT模块,1 700 V精细沟槽栅IGBT模块在芯片面积减小34.2%的情况下,关断损耗降低了8.6%,导通压降仅升高5.5%,器件性价比得到了优化。 展开更多
关键词 精细沟槽栅结构 绝缘栅双极型晶体管(igbt) TCAD仿真 元胞结构 器件性价比
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3300V逆导型IGBT器件仿真 被引量：2
19
作者 李晓平 赵哿 +5 位作者 刘江 高明超 王耀华 金锐 温家良 潘艳 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2016年第5期406-410,共5页
基于现有仿真平台,设计一款3 300V/50A逆导型绝缘栅双极晶体管器件(逆导型IGBT或RC-IGBT),元胞采用场截止型平面栅结构,元胞设计中采用载流子增强技术(EP),元胞注入采用自对准工艺,背面P型集电极采用透明集电极技术,降低IGBT工作模式下... 基于现有仿真平台,设计一款3 300V/50A逆导型绝缘栅双极晶体管器件(逆导型IGBT或RC-IGBT),元胞采用场截止型平面栅结构,元胞设计中采用载流子增强技术(EP),元胞注入采用自对准工艺,背面P型集电极采用透明集电极技术,降低IGBT工作模式下的饱和压降。采用二维数值仿真研究了器件结构及结构参数对器件性能的影响,通过结构参数拉偏,折衷优化IGBT与内集成二极管的性能参数,仿真得到的3 300V/50A逆导型IGBT器件饱和压降为3.4V,二极管导通压降为2.3V,阈值电压为5.6V,击穿电压为4 480V,与相同电压等级的分立IGBT器件和二极管性能相当。 展开更多
关键词 逆导型绝缘栅双极晶体管 绝缘栅双极晶体管 二极管 饱和压降
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混合型直流断路器用IGBT测试平台建模与分析 被引量：2
20
作者 邓二平 张传云 +2 位作者 应晓亮 赵志斌 黄永章 《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第2期154-160,共7页
为准确得到绝缘栅双极型晶体管(IGBT)在混合型直流断路器下的性能参数,测试平台的设计非常重要。结合断路器的特殊工况,对测试平台关键部件模型进行分析,并考虑寄生参数建立测试平台精细化电路模型。仿真分析了测试平台寄生参数对被测I... 为准确得到绝缘栅双极型晶体管(IGBT)在混合型直流断路器下的性能参数,测试平台的设计非常重要。结合断路器的特殊工况,对测试平台关键部件模型进行分析,并考虑寄生参数建立测试平台精细化电路模型。仿真分析了测试平台寄生参数对被测IGBT测试电气应力的影响。结果表明,寄生电阻对测试应力影响很小,而缓冲电容换流回路寄生电感对IGBT关断能量影响显著,金属氧化物可变电阻器(MOV)放电回路寄生电感对IGBT的过电压影响显著,且各支路寄生电感对IGBT过电压的影响存在耦合性。建立的平台模型和寄生参数分析可以有效指导断路器用功率器件测试平台设计。 展开更多
关键词 混合型直流断路器 绝缘栅双极型晶体管(igbt) 测试平台建模 寄生参数 应力分析
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