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硅压阻式压力敏感芯体应变电阻失效分析 被引量:3
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作者 徐振忠 闫云龙 +3 位作者 尤佳 朱乾龙 马丽娜 吴佐飞 《传感器与微系统》 CSCD 北大核心 2024年第6期38-41,共4页
通过对硅压阻式压力敏感芯体内部应变电阻失效故障的排查及定位分析,确立了应变电阻缺陷造成传感器失效机理,总结激发应变电阻缺陷暴露的检测方法,确定对压力敏感芯体进行1200 h常温电老炼的筛选方案。筛选试验结果表明:增加1200 h常温... 通过对硅压阻式压力敏感芯体内部应变电阻失效故障的排查及定位分析,确立了应变电阻缺陷造成传感器失效机理,总结激发应变电阻缺陷暴露的检测方法,确定对压力敏感芯体进行1200 h常温电老炼的筛选方案。筛选试验结果表明:增加1200 h常温电老炼后,可剔除由于应变电阻缺陷造成敏感芯体输出漂移的失效元件。 展开更多
关键词 硅压阻式 压力敏感芯体 应变电阻 失效机理
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