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一种新型硅基厚膜压力/温度传感器的设计和制作
被引量：
6
1
作者
张艳红
刘兵武
+3 位作者
刘理天
张兆华
谭智敏
林惠旺
《传感技术学报》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第6期2376-2379,共4页
设计并制作了一种新型传感器,它包含压阻式压敏元件和热敏元件两部分.其中压敏元件采用比常规更厚的50μm硅杯薄膜(500μm×500μm),增大了体硅上高应力区的面积,在降低工艺要求的同时提高了线性测量范围和过载压力.压敏电阻设计为...
设计并制作了一种新型传感器,它包含压阻式压敏元件和热敏元件两部分.其中压敏元件采用比常规更厚的50μm硅杯薄膜(500μm×500μm),增大了体硅上高应力区的面积,在降低工艺要求的同时提高了线性测量范围和过载压力.压敏电阻设计为折线结构,采用优化的几何尺寸,并将其部分制作在高应力体硅上以获得更高灵敏度.体硅上的温敏电阻随压敏电阻利用同步注入工艺制作,减小了工艺复杂度.该器件工艺简单,成品率高,与标准IC工艺兼容.初步的测试结果表明器件具有良好的性能.
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关键词
压力/温度传感器
压阻效应
应力分布
集成工艺
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职称材料
题名
一种新型硅基厚膜压力/温度传感器的设计和制作
被引量：
6
1
作者
张艳红
刘兵武
刘理天
张兆华
谭智敏
林惠旺
机构
清华大学微电子学研究所
出处
《传感技术学报》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第6期2376-2379,共4页
基金
浙江省科技攻关重大专项支持(2005C11015)
文摘
设计并制作了一种新型传感器,它包含压阻式压敏元件和热敏元件两部分.其中压敏元件采用比常规更厚的50μm硅杯薄膜(500μm×500μm),增大了体硅上高应力区的面积,在降低工艺要求的同时提高了线性测量范围和过载压力.压敏电阻设计为折线结构,采用优化的几何尺寸,并将其部分制作在高应力体硅上以获得更高灵敏度.体硅上的温敏电阻随压敏电阻利用同步注入工艺制作,减小了工艺复杂度.该器件工艺简单,成品率高,与标准IC工艺兼容.初步的测试结果表明器件具有良好的性能.
关键词
压力/温度传感器
压阻效应
应力分布
集成工艺
Keywords
pressure/temperature micmsensor
piezoresistive effect
stress distribution
integrated technology
分类号
TP212.1 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
一种新型硅基厚膜压力/温度传感器的设计和制作
张艳红
刘兵武
刘理天
张兆华
谭智敏
林惠旺
《传感技术学报》
CAS
CSCD
北大核心
2006
6
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