期刊导航
期刊开放获取
上海教育软件发展有限公..
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
2
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
有机源载气对MOCVD生长InGaN薄膜的影响研究
1
作者
王立
李述体
+3 位作者
彭学新
熊传兵
李鹏
江凤益
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第3期213-217,共5页
采用MOCVD技术以Al2 O3 为衬底在GaN膜上生长了InxGa1-xN薄膜。以卢瑟福背散射 /沟道技术和光致发光技术对InxGa1-xN/GaN/Al2 O3 样品进行了测试。获得了合金层的组分、厚度、结晶品质及发光性能等信息。研究表明 :在以N2 作主载气的情...
采用MOCVD技术以Al2 O3 为衬底在GaN膜上生长了InxGa1-xN薄膜。以卢瑟福背散射 /沟道技术和光致发光技术对InxGa1-xN/GaN/Al2 O3 样品进行了测试。获得了合金层的组分、厚度、结晶品质及发光性能等信息。研究表明 :在以N2 作主载气的情况下 ,有机源的载气对InxGa1-xN膜的In组分和生长速率影响很大。生长温度为 76 0℃时 ,以 70ml/min的N2 作有机源载气得到的InxGa1-xN膜的In组分为 0 10 ,生长速率为 6 0nm/min ;而以 70ml/min的H2 作有机源载气得到的InxGa1-xN薄膜的In组分为 0 0 6 ,生长速率为10 6nm/min。本文首次报导了载气中含有少量H2 能增大InxGa1-xN薄膜的生长速率的现象。
展开更多
关键词
MOCVD
卢瑟福背散射/沟道
技术
光致发光
LnGaN薄膜
铟镓氮化合物
有机源载气
薄膜生长
GAN
氮化镓半导体
在线阅读
下载PDF
职称材料
未掺杂GaN外延膜的结晶特性与蓝带发光关系的研究
2
作者
李述体
江风益
+3 位作者
范广涵
王立
莫春兰
方文卿
《量子电子学报》
CAS
CSCD
北大核心
2004年第3期366-370,共5页
采用卢瑟福背散射/沟道技术, X射线双晶衍射技术和光致发光技术对几个以MOCVD技术生长的蓝带发光差异明显的未掺杂GaN外延膜和GaN:Mg外延膜进行了测试。结果表明,未掺杂GaN薄膜中出现的2.9 eV左右的蓝带发光与薄膜的结晶品质密切相关。...
采用卢瑟福背散射/沟道技术, X射线双晶衍射技术和光致发光技术对几个以MOCVD技术生长的蓝带发光差异明显的未掺杂GaN外延膜和GaN:Mg外延膜进行了测试。结果表明,未掺杂GaN薄膜中出现的2.9 eV左右的蓝带发光与薄膜的结晶品质密切相关。随未掺杂GaN的蓝带强度与带边强度之比增大, GaN的卢瑟福背散射/沟道谱最低产额增大, X射线双晶衍射峰半高宽增大。未掺杂GaN薄膜的蓝带发光与薄膜中的某种本征缺陷有关。研究还表明,未掺杂GaN中出现的蓝带与GaN:Mg外延膜中出现的2.9 eV左右的发光峰的发光机理不同。
展开更多
关键词
GAN
卢瑟福背散射/沟道
X射线双晶衍射
光致发光
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
有机源载气对MOCVD生长InGaN薄膜的影响研究
1
作者
王立
李述体
彭学新
熊传兵
李鹏
江凤益
机构
南昌大学材料科学研究所
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第3期213-217,共5页
基金
国家"8 6 3"新材料领域 ( 715 -0 0 1-0 0 12 )
国家自然科学基金 ( 6 96 76 0 19)
江西省跨世纪人才
文摘
采用MOCVD技术以Al2 O3 为衬底在GaN膜上生长了InxGa1-xN薄膜。以卢瑟福背散射 /沟道技术和光致发光技术对InxGa1-xN/GaN/Al2 O3 样品进行了测试。获得了合金层的组分、厚度、结晶品质及发光性能等信息。研究表明 :在以N2 作主载气的情况下 ,有机源的载气对InxGa1-xN膜的In组分和生长速率影响很大。生长温度为 76 0℃时 ,以 70ml/min的N2 作有机源载气得到的InxGa1-xN膜的In组分为 0 10 ,生长速率为 6 0nm/min ;而以 70ml/min的H2 作有机源载气得到的InxGa1-xN薄膜的In组分为 0 0 6 ,生长速率为10 6nm/min。本文首次报导了载气中含有少量H2 能增大InxGa1-xN薄膜的生长速率的现象。
关键词
MOCVD
卢瑟福背散射/沟道
技术
光致发光
LnGaN薄膜
铟镓氮化合物
有机源载气
薄膜生长
GAN
氮化镓半导体
Keywords
MOCVD
InGaN
Rutherford backscattering and ion channeling
photoluminescence
分类号
TN304.205 [电子电信—物理电子学]
O472.3 [理学—半导体物理]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
未掺杂GaN外延膜的结晶特性与蓝带发光关系的研究
2
作者
李述体
江风益
范广涵
王立
莫春兰
方文卿
机构
华南师范大学光电子材料与技术研究所
南昌大学材料科学研究所
出处
《量子电子学报》
CAS
CSCD
北大核心
2004年第3期366-370,共5页
文摘
采用卢瑟福背散射/沟道技术, X射线双晶衍射技术和光致发光技术对几个以MOCVD技术生长的蓝带发光差异明显的未掺杂GaN外延膜和GaN:Mg外延膜进行了测试。结果表明,未掺杂GaN薄膜中出现的2.9 eV左右的蓝带发光与薄膜的结晶品质密切相关。随未掺杂GaN的蓝带强度与带边强度之比增大, GaN的卢瑟福背散射/沟道谱最低产额增大, X射线双晶衍射峰半高宽增大。未掺杂GaN薄膜的蓝带发光与薄膜中的某种本征缺陷有关。研究还表明,未掺杂GaN中出现的蓝带与GaN:Mg外延膜中出现的2.9 eV左右的发光峰的发光机理不同。
关键词
GAN
卢瑟福背散射/沟道
X射线双晶衍射
光致发光
Keywords
film optics
GaN
rutherford backscattering and ion channeling
double crystal X-ray diffraction
photoluminescence
分类号
TN304.23 [电子电信—物理电子学]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
有机源载气对MOCVD生长InGaN薄膜的影响研究
王立
李述体
彭学新
熊传兵
李鹏
江凤益
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
未掺杂GaN外延膜的结晶特性与蓝带发光关系的研究
李述体
江风益
范广涵
王立
莫春兰
方文卿
《量子电子学报》
CAS
CSCD
北大核心
2004
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部
