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质子非卢瑟福背散射测量气溶胶样品中氢、碳、氮和氧的含量 被引量:2
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作者 王广甫 鲁永芳 朱光华 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第5期628-632,共5页
气溶胶样品中Z>12以上元素含量的质子荧光(PIXE)分析是北京师范大学GIC4117串列加速器的主要应用领域之一。为弥补PIXE无法分析H、C、N和O等轻元素之不足,在PIXE靶室160°散射角安装金硅面垒探测器,用质子非卢瑟福背散射分析(PN... 气溶胶样品中Z>12以上元素含量的质子荧光(PIXE)分析是北京师范大学GIC4117串列加速器的主要应用领域之一。为弥补PIXE无法分析H、C、N和O等轻元素之不足,在PIXE靶室160°散射角安装金硅面垒探测器,用质子非卢瑟福背散射分析(PNBS)方法对核孔膜采集的气溶胶样品中H、C、N和O等轻元素的含量进行测量。测量得到的气溶胶样品中H和Si元素含量与质子前角散射(PESA)和PIXE的分析结果相近,表明PNBS可用于核孔膜采集的气溶胶样品的分析。 展开更多
关键词 质子 卢瑟福背散射 气溶胶 H C N和O含量
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精确测定In_xGa_(1-x)N晶体薄膜中铟含量的卢瑟福背散射法研究 被引量:1
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作者 王雪蓉 刘运传 +3 位作者 孟祥艳 周燕萍 王康 王倩倩 《中国测试》 CAS 北大核心 2017年第3期15-18,57,共5页
采用金属有机化合物气相淀积法(MOCVD)在蓝宝石上生长InxGa1-xN/Ga N晶体薄膜,Ga N缓冲层的厚度为2.5μm,InxGa1-xN晶体薄膜的厚度大约800 nm,通过光致发光光谱仪测量样品发光峰的峰值,确定铟镓氮晶体薄膜中铟分布的均匀性,取样品均匀... 采用金属有机化合物气相淀积法(MOCVD)在蓝宝石上生长InxGa1-xN/Ga N晶体薄膜,Ga N缓冲层的厚度为2.5μm,InxGa1-xN晶体薄膜的厚度大约800 nm,通过光致发光光谱仪测量样品发光峰的峰值,确定铟镓氮晶体薄膜中铟分布的均匀性,取样品均匀性良好的铟镓氮晶片进行卢瑟福背散射实验,每个实验室测量6个样品,两个实验室共同完成,对数据进行分多层精确拟合分析,获得外延层中的xIn,xIn值由多层拟合结果的加权平均值和定值不确定度组成。研究结果表明:采用入射离子4He,能量为2 000 ke V,散射角为165°时,铟镓氮晶片中铟含量(x=20.46%)的相对测量不确定度为2.47%,包含因子k=2。 展开更多
关键词 氮铟镓 金属有机化合物气相淀积法 卢瑟福背散射 测量不确定度
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使用背散射与二次离子质谱方法分析类金刚石厚样品中的杂质 被引量:1
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作者 郭猜 郑涛 +5 位作者 刘坤 杨江燕 田继挺 聂锐 马宏骥 丁富荣 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第2期156-159,共4页
卢瑟福背散射分析是测定薄膜或镀层成分和厚度的成熟手段,但在分析含多种微量元素成分的厚样品时,精确测定样品中多种元素的分布是比较困难的。二次离子质谱对样品表面成分有较高的质量分辨能力,可以作为对卢瑟福背散射分析的补充。在... 卢瑟福背散射分析是测定薄膜或镀层成分和厚度的成熟手段,但在分析含多种微量元素成分的厚样品时,精确测定样品中多种元素的分布是比较困难的。二次离子质谱对样品表面成分有较高的质量分辨能力,可以作为对卢瑟福背散射分析的补充。在北京大学2×1.7 MV串列静电加速器终端上,结合使用这两种分析方法,分析了类金刚石厚样品中的金属元素杂质。 展开更多
关键词 卢瑟福背散射 二次离子质谱 类金刚石薄膜
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常压MOCVD生长ZnO薄膜及其性质 被引量:1
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作者 王立 莫春兰 +4 位作者 熊传兵 蒲勇 陈玉凤 彭绍琴 江风益 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第4期393-395,i001,共4页
用常压MOCVD在蓝宝石 (0 0 0 1)面上生长了氧化锌 (ZnO)薄膜。用AFM、室温PL谱、Hall测量、X射线双晶衍射、卢瑟福背散射 /沟道技术等分析方法研究了样品的表面形貌、结构性能、发光性能和电学性能。AFM分析结果显示 ,薄膜呈六角柱状结... 用常压MOCVD在蓝宝石 (0 0 0 1)面上生长了氧化锌 (ZnO)薄膜。用AFM、室温PL谱、Hall测量、X射线双晶衍射、卢瑟福背散射 /沟道技术等分析方法研究了样品的表面形貌、结构性能、发光性能和电学性能。AFM分析结果显示 ,薄膜呈六角柱状结晶 ,表面平整 ,粗糙度 (RMS)为 6 .2 5 7nm ,平均晶粒直径达 1.895 μm。室温PL测量该样品在 380nm处有很强的近带边发射 ,半峰全宽为 15nm。使用Hall测量检查了薄膜的电学性质。室温下该样品的载流子浓度为 2× 10 17cm-3 ,迁移率为 75cm2 ·V-1·s-1。用X射线双晶衍射和卢瑟福背散射 /沟道效应研究了薄膜的结晶质量 ,样品的双晶衍射ω扫描半峰全宽为 0 .0 4° ,沟道效应的最小产额比χmin为 3.1%。 展开更多
关键词 金属有机化学气相沉积 氧化锌 原子力显微镜 光致发光 X射线双晶衍射 卢瑟福背散射/沟道效应
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一种利用夹层Ta难熔金属提高NiSi薄膜热稳定性的新方法 被引量:1
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作者 黄伟 张树丹 许居衍 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第11期2502-2506,共5页
本文首次给出了一种具有规律性的能用来提高镍硅化物热稳定性的方法.依据此方法,首次摸索出在Ni中掺入夹层金属Ta来提高NiSi硅化物的热稳定性.Ni/Ta/Ni/Si样品经600~800℃快速热退火后,薄层电阻率保持较小值,约2Ω/□.XRD衍射分析结果表... 本文首次给出了一种具有规律性的能用来提高镍硅化物热稳定性的方法.依据此方法,首次摸索出在Ni中掺入夹层金属Ta来提高NiSi硅化物的热稳定性.Ni/Ta/Ni/Si样品经600~800℃快速热退火后,薄层电阻率保持较小值,约2Ω/□.XRD衍射分析结果表明,在600~800℃快速热退火温度下形成的Ni(Ta)Si薄膜中只存在低阻NiSi相,而没有高阻NiSi2相生成,从而将NiSi薄膜的低阻温度窗口的上限从700℃提高到800℃,使形成高阻NiSi2相的最低温度提高到850℃.AES俄歇能谱,RBS卢瑟福背散射和AFM原子力显微镜分析表明,夹层金属层Ta在镍硅化反应中向表面移动,其峰值距离薄膜顶层2nm左右,在阻止氧原子参与镍硅化反应中起到很好的屏蔽层作用.Ni(Ta)Si薄膜中Ta与Ni的原子比约为2.1∶98,硅化物薄膜界面平整,均方根粗糙度仅为1.11nm.研制的高压Ni(Ta)Si/Si肖特基硅器件在650~800℃温度跨度范围内保留了与NiSi/Si肖特基相近的整流特性,因此Ni(Ta)Si硅化物在深亚微米集成电路制造中是一种令人满意的互连和接触材料. 展开更多
关键词 镍硅化物 快速热退火 X射线衍射分析 俄歇能谱分析 卢瑟福背散射 原子力显微镜
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有机源载气对MOCVD生长InGaN薄膜的影响研究
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作者 王立 李述体 +3 位作者 彭学新 熊传兵 李鹏 江凤益 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第3期213-217,共5页
采用MOCVD技术以Al2 O3 为衬底在GaN膜上生长了InxGa1-xN薄膜。以卢瑟福背散射 /沟道技术和光致发光技术对InxGa1-xN/GaN/Al2 O3 样品进行了测试。获得了合金层的组分、厚度、结晶品质及发光性能等信息。研究表明 :在以N2 作主载气的情... 采用MOCVD技术以Al2 O3 为衬底在GaN膜上生长了InxGa1-xN薄膜。以卢瑟福背散射 /沟道技术和光致发光技术对InxGa1-xN/GaN/Al2 O3 样品进行了测试。获得了合金层的组分、厚度、结晶品质及发光性能等信息。研究表明 :在以N2 作主载气的情况下 ,有机源的载气对InxGa1-xN膜的In组分和生长速率影响很大。生长温度为 76 0℃时 ,以 70ml/min的N2 作有机源载气得到的InxGa1-xN膜的In组分为 0 10 ,生长速率为 6 0nm/min ;而以 70ml/min的H2 作有机源载气得到的InxGa1-xN薄膜的In组分为 0 0 6 ,生长速率为10 6nm/min。本文首次报导了载气中含有少量H2 能增大InxGa1-xN薄膜的生长速率的现象。 展开更多
关键词 MOCVD 卢瑟福背散射/沟道技术 光致发光 LnGaN薄膜 铟镓氮化合物 有机源载气 薄膜生长 GAN 氮化镓半导体
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未掺杂GaN外延膜的结晶特性与蓝带发光关系的研究
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作者 李述体 江风益 +3 位作者 范广涵 王立 莫春兰 方文卿 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2004年第3期366-370,共5页
采用卢瑟福背散射/沟道技术, X射线双晶衍射技术和光致发光技术对几个以MOCVD技术生长的蓝带发光差异明显的未掺杂GaN外延膜和GaN:Mg外延膜进行了测试。结果表明,未掺杂GaN薄膜中出现的2.9 eV左右的蓝带发光与薄膜的结晶品质密切相关。... 采用卢瑟福背散射/沟道技术, X射线双晶衍射技术和光致发光技术对几个以MOCVD技术生长的蓝带发光差异明显的未掺杂GaN外延膜和GaN:Mg外延膜进行了测试。结果表明,未掺杂GaN薄膜中出现的2.9 eV左右的蓝带发光与薄膜的结晶品质密切相关。随未掺杂GaN的蓝带强度与带边强度之比增大, GaN的卢瑟福背散射/沟道谱最低产额增大, X射线双晶衍射峰半高宽增大。未掺杂GaN薄膜的蓝带发光与薄膜中的某种本征缺陷有关。研究还表明,未掺杂GaN中出现的蓝带与GaN:Mg外延膜中出现的2.9 eV左右的发光峰的发光机理不同。 展开更多
关键词 GAN 卢瑟福背散射/沟道 X射线双晶衍射 光致发光
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铒离子注入碳化硅后的射程分布和射程离散
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作者 秦希峰 季燕菊 +3 位作者 王凤翔 付刚 赵优美 梁毅 《济南大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2010年第2期202-204,共3页
鉴于利用离子注入技术掺杂制作光电集成器件时,离子注入半导体材料的射程分布、射程离散和横向离散对器件性能的影响,应用卢瑟福背散射技术研究将剂量为5×1015cm-2的400 keV能量的Er+离子注入6H-SiC晶体的平均投影射程、射程离散... 鉴于利用离子注入技术掺杂制作光电集成器件时,离子注入半导体材料的射程分布、射程离散和横向离散对器件性能的影响,应用卢瑟福背散射技术研究将剂量为5×1015cm-2的400 keV能量的Er+离子注入6H-SiC晶体的平均投影射程、射程离散和深度分布。用SRIM2006模拟软件对能量为400 keV的Er+离子注入SiC晶体的深度分布进行了理论模拟,把理论模拟值跟测出的实验值进行比较,发现两者符合较好,从而为今后利用Er+离子注入SiC晶体掺杂制作光电集成器件提供参考依据。 展开更多
关键词 离子注入 6H-SIC 卢瑟福背散射技术 射程分布
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RBS法测量重元素衬底上轻元素薄靶厚度的方法研究
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作者 吴笛 仇猛淋 +9 位作者 王乃彦 郭冰 贺创业 王广甫 樊启文 党永乐 刘伏龙 付光永 杨婉莎 魏继红 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第2期348-352,共5页
在核反应实验中,靶厚的精度往往会直接影响实验结果的可靠性。为精确测量重元素衬底上轻元素薄靶的厚度,本文通过卢瑟福背散射(RBS)法,使用能量1.5 MeV的质子束对蒸镀在300μm厚181 Ta衬底上薄74 Ge靶的厚度进行了测量。RBS法测量结果... 在核反应实验中,靶厚的精度往往会直接影响实验结果的可靠性。为精确测量重元素衬底上轻元素薄靶的厚度,本文通过卢瑟福背散射(RBS)法,使用能量1.5 MeV的质子束对蒸镀在300μm厚181 Ta衬底上薄74 Ge靶的厚度进行了测量。RBS法测量结果与称重法相差较小,但信噪比从1∶2000提升到1∶12,靶厚相对不确定度由10%减少到5%左右。同时采用SIMNRA软件对测量结果进行了模拟验证,模拟能谱与实验能谱符合较好。通过RBS法测量重元素衬底上轻元素薄靶的厚度,尤其当重元素衬底的质量远大于靶物质时,可有效提高测量结果的信噪比及不确定度,为核反应实验的分析提供了较好的依据。 展开更多
关键词 卢瑟福背散射 薄靶 厚度 金硅面垒探测器
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离子注入对钛酸铅膜结构的影响
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作者 曲保东 王玉国 +2 位作者 王克明 张沛霖 钟维烈 《功能材料》 EI CAS CSCD 1992年第2期114-116,共3页
我们用Sol-Gel法制备了非晶钛酸铅膜。研究了各种温度下离子注入对其结构的影响。发现注入温度较低时,铅在非晶钛酸铅膜中聚集并结晶;当注入温度较高时,离子注入阻碍晶态钛酸铅的形成而使膜中出现晶态铅和氧化铅。
关键词 离子注入 钛酸铅 卢瑟福背散射
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纳米晶粒钛膜中氦注入的剂量保持和释放规律
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作者 龙兴贵 郑思孝 +5 位作者 罗顺忠 刘仲阳 王培录 彭述明 廖小东 刘宁 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 2003年第5期456-460,共5页
在室温~400℃范围内,用卢瑟福质子背散射技术测量了100keV、注入剂量2 2×1018cm-2的纳米晶粒钛膜中氦的浓度分布、不同温度下的剂量保持及其浓度释放。室温下经210d后,氦在该纳米晶粒钛膜中的剂量保持达68%,其He Ti原子比为52 6%;... 在室温~400℃范围内,用卢瑟福质子背散射技术测量了100keV、注入剂量2 2×1018cm-2的纳米晶粒钛膜中氦的浓度分布、不同温度下的剂量保持及其浓度释放。室温下经210d后,氦在该纳米晶粒钛膜中的剂量保持达68%,其He Ti原子比为52 6%;100℃下氦的保持剂量为室温下的89 6%,此时的He Ti原子比为44%;400℃下的保持剂量为室温下的32 6%,He Ti原子比为17 1%。同时观察到了氦的释放随温度上升呈现波浪式的变化特点。从能量稳定性观点初步探讨了纳米晶粒钛膜有效保持氦的可能机制。 展开更多
关键词 纳米晶粒钛膜 卢瑟福质子背散射 浓度 温度
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发光、荧光材料
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《中国光学》 EI CAS 1996年第5期89-92,共4页
O482.31 96053436Si<sub>1-x</sub>Ge<sub>x</sub>/Si量子阱发光材料的分子束外延生长及其结构研究=MolecuJar besm epitaxy growthand characterization of luminescent Si<sub>1-x</sub>Ge<su... O482.31 96053436Si<sub>1-x</sub>Ge<sub>x</sub>/Si量子阱发光材料的分子束外延生长及其结构研究=MolecuJar besm epitaxy growthand characterization of luminescent Si<sub>1-x</sub>Ge<sub>x</sub>/Si quantum structures[刊,中]/杨字,刘晓晗,黄大呜,蒋最敏.龚大卫,张翔九(复旦大学应用表面物理国家重点实验室.上海(200433)),黄醒良(中科院红外物理国家实验室。上海(200083)).赵国庆(复旦大学物理二系.上海(200433))∥发光学报.—1995。 展开更多
关键词 光致发光 量子阱 发光带 发光材料 发光学 国家重点实验室 表面物理 中科院 分子束外延生长 卢瑟福背散射
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光学薄膜参数、测试及设备
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《中国光学》 EI CAS 1995年第1期71-72,共2页
O484.5 950 10490薄膜厚度的自动检测=An automatic techniquefor measuring film thickness[刊,中]/徐俊利(北京轻工业学院)//现代计量测试.—1994,(3).—22—24提出一种薄膜厚度自动测量的新方法,文中介绍了它的工作原理,给出了实测数... O484.5 950 10490薄膜厚度的自动检测=An automatic techniquefor measuring film thickness[刊,中]/徐俊利(北京轻工业学院)//现代计量测试.—1994,(3).—22—24提出一种薄膜厚度自动测量的新方法,文中介绍了它的工作原理,给出了实测数据,实验表明,这种方法具有测量准确度高和效率高的特点。图2表1参2(李瑞琴) 展开更多
关键词 非线性光学薄膜 薄膜厚度 自动测量 自动检测 测量准确度 工作原理 计量测试 新方法 卢瑟福背散射 实测数据
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薄膜光学理论与膜系设计
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《中国光学》 CAS 2004年第6期52-54,共3页
O484.1 2004064347 宽角度入射600~700nm波段减反射薄膜的研究=Study of antireflection coatings of 600~700 nm at wide angle incidence[刊,中]/徐晓峰(中科院上海技物所.上海(200083)),张凤山…∥光学学报.—2004,24(9).—1... O484.1 2004064347 宽角度入射600~700nm波段减反射薄膜的研究=Study of antireflection coatings of 600~700 nm at wide angle incidence[刊,中]/徐晓峰(中科院上海技物所.上海(200083)),张凤山…∥光学学报.—2004,24(9).—1173-1176 阐述了利用非均匀膜系理论设计宽角度多层减反射薄膜的方法,从理论上分析了在宽角度情况下,偏振光产生透过率不同的原因。选取了Ta<sub>2</sub>O<sub>5</sub>和SiO<sub>2</sub>两种材料作为折射率材料,选取BK7作为基底材料模拟设计了光谱区在600~700nm波段、入射角为0°~80°之间的宽角度多层减反射薄膜,探索出了一条新型膜系设计的途径,其优化结果是较为理想的。图1参20(于晓光) 展开更多
关键词 氧化物薄膜 膜系设计 减反射薄膜 宽角度 复合薄膜 非均匀膜系 卢瑟福背散射 光学薄膜 增透膜 中科院
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新一代核探针信号探测系统研制成功
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《机床与液压》 北大核心 2012年第4期126-126,共1页
记者近日获悉,中科院上海应用物理所在国内首次研制成功新一代多功能核探针信号探测与数据获取系统。项目组负责人李晓林介绍,“该系统具有全元素分析、三维成像和微器件制作等三大功能”,可在中科院核分析技术重点实验室的扫描核探... 记者近日获悉,中科院上海应用物理所在国内首次研制成功新一代多功能核探针信号探测与数据获取系统。项目组负责人李晓林介绍,“该系统具有全元素分析、三维成像和微器件制作等三大功能”,可在中科院核分析技术重点实验室的扫描核探针上,同时开展微束质子激发x射线荧光分析、卢瑟福背散射、质子激发伽马射线分析、 展开更多
关键词 数据获取系统 扫描核探针 信号探测 质子激发x射线荧光分析 卢瑟福背散射 重点实验室 核分析技术 应用物理
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