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808 nm In GaAsP-InP单量子阱激光器热特性研究 被引量:8
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作者 张永明 钟景昌 +4 位作者 路国光 秦莉 赵英杰 郝永芹 姜晓光 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期9-12,共4页
从InGaAsP-InP单量子阱激光器结构分析入手,采用自行设计的热封闭系统对808nmInGaAsP-InP单量子阱激光器热特性进行了研究·实验表明,在23-70℃的温度范围内,器件的功率由1.74W降到0.51W,斜率效率由1.08W/A降到0.51W/A·实验测... 从InGaAsP-InP单量子阱激光器结构分析入手,采用自行设计的热封闭系统对808nmInGaAsP-InP单量子阱激光器热特性进行了研究·实验表明,在23-70℃的温度范围内,器件的功率由1.74W降到0.51W,斜率效率由1.08W/A降到0.51W/A·实验测得其特征温度T0为325K·激射波长随温度的漂移dλ/dT为0.44nm/℃·其芯片的热阻为3.33℃/W· 展开更多
关键词 单量子阱激光器 808 NM InGaAsP-InP热特性 特征温度
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单量子阱激光器小信号调制时的啁啾噪声 被引量:1
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作者 阎敏辉 陈建平 +1 位作者 李欣 张励 《光通信技术》 CSCD 北大核心 2001年第2期143-146,共4页
量子阱激光器具有良好的小信号调制频率响应 ,能作为高速光通信光源采用直接调制方式进行信号传输。与普通半导体激光器一样 ,直接调制将引起啁啾 ,从而影响光纤通信系统的性能。文中对小信号调制下单量子阱激光器的啁啾特性进行了研究... 量子阱激光器具有良好的小信号调制频率响应 ,能作为高速光通信光源采用直接调制方式进行信号传输。与普通半导体激光器一样 ,直接调制将引起啁啾 ,从而影响光纤通信系统的性能。文中对小信号调制下单量子阱激光器的啁啾特性进行了研究和分析。得出了啁啾幅度和啁啾相位与调制频率的关系。对考虑与不考虑啁啾两种情况下 ,光脉冲在常规光纤中传输时的色散特性进行了模拟分析 。 展开更多
关键词 单量子阱激光器 啁啾 信号调制 噪声
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单量子阱激光器小信号频响特性模拟分析 被引量:1
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作者 李欣 陈建平 张励 《光通信技术》 CSCD 北大核心 2000年第2期119-122,共4页
量子阱激光器具有优良的性能 ,是宽带通信的重要光源。基于三层速率方程的量子阱激光器模型在明确引入了过渡态的概念后 ,对于量子阱中载流子的传输过程就有了更完整的描述。文中运用三层速率模型 ,对小信号调制下单量子阱激光器的频率... 量子阱激光器具有优良的性能 ,是宽带通信的重要光源。基于三层速率方程的量子阱激光器模型在明确引入了过渡态的概念后 ,对于量子阱中载流子的传输过程就有了更完整的描述。文中运用三层速率模型 ,对小信号调制下单量子阱激光器的频率响应进行模拟分析。与公开发表的文献资料比较 ,所设计的模型精度高 ,易于分析 ,有实用意义。 展开更多
关键词 单量子阱激光器 速率方程 频率响应
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高功率线性梯度折射率GaAs/AlGaAs单量子阱激光器
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作者 李忠辉 王玉霞 +3 位作者 高欣 李梅 王玲 张兴德 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第1期90-92,共3页
应用MOVPE研制出梯度折射率分别限制GaAs/AlGaAs单量子阱激光器 ,室温单面连续输出光功率超过 5 0 0mW ,激射波长为 82 0 3nm 。
关键词 梯度折射率 单量子阱激光器 砷化镓 GAAS/ALGAAS 输出功率 镓铝砷化合物
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用Simulink软件模拟分析量子阱半导体激光器 被引量:3
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作者 张励 陈建平 +1 位作者 李欣 阎敏辉 《上海交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第6期786-788,共3页
分析了单量子阱激光器 ( SQW- LD)工作原理 ;阐述了载流子和光子在器件内部运动过程中 ,分别限制异质结构和量子阱之间引入过渡态 (准二维态 )的作用及必要性 .在此基础上 ,给出了完整的速率方程 .使用 Simulink软件建立了 SQW- LD的数... 分析了单量子阱激光器 ( SQW- LD)工作原理 ;阐述了载流子和光子在器件内部运动过程中 ,分别限制异质结构和量子阱之间引入过渡态 (准二维态 )的作用及必要性 .在此基础上 ,给出了完整的速率方程 .使用 Simulink软件建立了 SQW- LD的数值分析模型 .对 SQW- LD在阶跃驱动电流作用下载流子和光子浓度的建立过程、输出光功率与驱动电流之间的关系、小信号调制时的频率响应特性等进行了数值模拟分析 .文中提出的数学模型及分析结果可用于量子阱激光器的工艺完善和制作。 展开更多
关键词 单量子阱激光器 Simulink软件 半导体激光器
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半导体激光器
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《中国光学》 EI CAS 2003年第2期23-23,共1页
TN248.4 2003020959980nm半导体激光器远场特性的优化=Optimization offar field properties for 980 nm semiconductor lasers[刊,中]/邹德恕(北京工业大学光电子技术实验室.北京(100022)),廉鹏…//半导体光电.-2002,23(4).-259-261制... TN248.4 2003020959980nm半导体激光器远场特性的优化=Optimization offar field properties for 980 nm semiconductor lasers[刊,中]/邹德恕(北京工业大学光电子技术实验室.北京(100022)),廉鹏…//半导体光电.-2002,23(4).-259-261制作小功率半导体激光器时,为了减小阈值电流,提高斜率效率,一般都采用深腐蚀法形成脊形结构以克服电流横向扩展。但是由于工艺的原因,往往使得激光器远场特性恶化,特别是水平发散角θ_∥形式多瓣。研究发现这与光刻工艺有着重要关系,利用自对准自然解理边形成TiAu欧姆接触方法克服了上述现象。 展开更多
关键词 半导体激光器 单量子阱激光器 远场特性 自对准 模斑转换器 重要关系 光电子技术 欧姆接触 斜率效率 脊形结构
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半导体激光器
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《中国光学》 EI CAS 2001年第5期19-20,共2页
TN248.4 2001053121单量子阱激光器小信号频响特性模拟分析=Simulation of frequency response to small signal modulation in single quantum well laser diodes[刊,中]/李欣,陈建平,张励(上海交通大学"区域光纤通信网与新型光... TN248.4 2001053121单量子阱激光器小信号频响特性模拟分析=Simulation of frequency response to small signal modulation in single quantum well laser diodes[刊,中]/李欣,陈建平,张励(上海交通大学"区域光纤通信网与新型光通信系统"国家重点实验室.北京(200030))//光通信技术.—2000,24(2).—119-122量子阱激光器具有优良的性能。 展开更多
关键词 大功率半导体激光器 单量子阱激光器 模拟分析 国家重点实验室 光纤通信网 光通信系统 宽带通信 光通信技术 频响特性 生长停顿
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半导体激光器
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《中国光学》 EI CAS 2000年第5期26-28,共3页
TN248.4 2000053166相移结构分布反馈激光器的静态及动态特性分析=Static and dynamic analysis of phase shift distributedfeedback laser diodes[刊,中]/沈丹勋,项畹仪,徐大雄(北京邮电大学电信工程学院.北京(100876))//物理学报.—1... TN248.4 2000053166相移结构分布反馈激光器的静态及动态特性分析=Static and dynamic analysis of phase shift distributedfeedback laser diodes[刊,中]/沈丹勋,项畹仪,徐大雄(北京邮电大学电信工程学院.北京(100876))//物理学报.—1999,48(9).—1659-1668分析了1/4相移分布反馈(QPS-DFB) 展开更多
关键词 可调谐半导体激光器 波导激光器 外腔半导体激光器 单量子阱激光器 相移分布反馈 载流子密度 应变多量子 动态特性分析 研究与进展 净应力
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半导体激光器
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《中国光学》 CAS 2004年第3期20-21,共2页
TN248.4 2004031745半导体激光器后腔面高反射涂层的研究=Study of structure of high reflecting coating for semiconductor laser rearfacet[刊,中]/吴根柱(中科院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室.上海(200... TN248.4 2004031745半导体激光器后腔面高反射涂层的研究=Study of structure of high reflecting coating for semiconductor laser rearfacet[刊,中]/吴根柱(中科院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室.上海(200050)),齐鸣…∥功能材料与器件学报.—2003,9(3).—343-346 采用金属银(Ag)作为高反射镀膜材料,ZrO<sub>2</sub> 展开更多
关键词 大功率半导体激光器 单量子阱激光器 功能材料 金属有机化合物气相淀积 外腔半导体激光器 后腔面 反射涂层 信息技术研究 国家重点实验室 镀膜材料
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