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题名基于单边带时间调制的CMOS有源移相器设计
被引量：1
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作者
程国枭
吴文
张金栋
陈峤羽
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机构
南京理工大学
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出处
《电波科学学报》
CSCD
北大核心
2022年第6期962-968,共7页
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基金
国家自然科学基金(62104109)
微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室基金(614280303022006)。
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文摘
为满足低成本相控阵对高精度波束扫描的需求,提出了一种基于单边带时间调制(single-sideband time-modulation,STM)的CMOS有源移相器.基于Global Foundries 0.13μm CMOS工艺,设计了双相调制单元用于I路和Q路的0°/180°移相,以抑制时间调制所产生的基频和偶次边带;设计了矢量合成与复用放大单元,在不增加功耗的前提下提高了整个电路增益;设计了偏置与时序控制单元,通过对I路和Q路增益的时序控制,实现了STM.仿真结果表明:本设计在1.8 V电源电压下的功耗为15.8 mW,在3-dB带宽(13.2~20.7 GHz)内的增益为−3±1.5 dB;在10~25 GHz频段内,实现了小于0.1°的移相偏差均方根(root mean square,RMS)和小于0.02 dB的增益偏差RMS,相位分辨率达10 bit以上;最大无用边带(−7次边带)的功率抑制比为16.7 dBc.该有源移相器具有低成本、低功耗、低相位偏差、低幅度偏差和低插入损耗等性能,为时间调制阵列提供了一种新颖的单元结构.
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关键词
相控阵
单边带时间调制(stm)
CMOS
有源
移相器
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Keywords
phased array
single-sideband time-modulation
CMOS
active
phase shifter
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分类号
TN432
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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