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应变锗的导带结构计算与分析
被引量：
2
1
作者
戴显英
李金龙
郝跃
《西安电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第2期120-124,171,共6页
应用胡克定律,建立了单、双轴张应力作用下应变锗在任意面内沿<001>、<110>和<111>方向的应变张量模型.根据线性形变势能理论,计算了单轴应力沿<001>、<110>和<111>方向作用下以及双轴应力在不同...
应用胡克定律,建立了单、双轴张应力作用下应变锗在任意面内沿<001>、<110>和<111>方向的应变张量模型.根据线性形变势能理论,计算了单轴应力沿<001>、<110>和<111>方向作用下以及双轴应力在不同晶面内的应变锗导带各个能谷的谷底能级的变化情况.计算结果显示,在<001>方向的单轴应力作用下,Δ能谷带边能级分裂,且在压应力为1.8GPa时,Δ能谷的谷底能级变为最低能级.在<110>方向的单轴应力作用下,Δ能谷和L能谷带边能级分裂.在<111>方向的单轴应力作用下,L能谷带边能级分裂.并且随着应力的增加,所有能谷最低能级下降.而在双轴张应力作用下,当面内应变张量达到1.8%时,(001)面应变锗的Γ能谷最低,能级比Δ能谷最低能级还要低.这表明,应变锗由间接带隙半导体变为直接带隙半导体.所得到的结果可为应变锗半导体器件和光电器件的设计提供参考.
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关键词
应变锗
导带能级结构
单轴与双轴
应变张量
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职称材料
题名
应变锗的导带结构计算与分析
被引量：
2
1
作者
戴显英
李金龙
郝跃
机构
西安电子科技大学微电子学院
西安电子科技大学宽带隙半导体国家重点学科实验室
出处
《西安电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第2期120-124,171,共6页
基金
国家重点基础研究(973)资助项目(6139801-1)
文摘
应用胡克定律,建立了单、双轴张应力作用下应变锗在任意面内沿<001>、<110>和<111>方向的应变张量模型.根据线性形变势能理论,计算了单轴应力沿<001>、<110>和<111>方向作用下以及双轴应力在不同晶面内的应变锗导带各个能谷的谷底能级的变化情况.计算结果显示,在<001>方向的单轴应力作用下,Δ能谷带边能级分裂,且在压应力为1.8GPa时,Δ能谷的谷底能级变为最低能级.在<110>方向的单轴应力作用下,Δ能谷和L能谷带边能级分裂.在<111>方向的单轴应力作用下,L能谷带边能级分裂.并且随着应力的增加,所有能谷最低能级下降.而在双轴张应力作用下,当面内应变张量达到1.8%时,(001)面应变锗的Γ能谷最低,能级比Δ能谷最低能级还要低.这表明,应变锗由间接带隙半导体变为直接带隙半导体.所得到的结果可为应变锗半导体器件和光电器件的设计提供参考.
关键词
应变锗
导带能级结构
单轴与双轴
应变张量
Keywords
strained Ge
conduction band structure
uniaxial and biaxial
strain tensor
分类号
TN304.1 [电子电信—物理电子学]
TN302 [电子电信—物理电子学]
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出处
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被引量
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1
应变锗的导带结构计算与分析
戴显英
李金龙
郝跃
《西安电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014
2
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