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2.0～3.5 GHz单路宽带低噪声放大器 被引量：5
1
作者 姚银华 范童修 卢胜军 《现代电子技术》 2014年第17期68-71,共4页
使用微波仿真软件ADS设计了一款用于2.0～3.5 GHz无线通信的宽带低噪声放大器。匹配网络采用微带线，减小了分立元件的寄生效应。详细阐述了提高放大器稳定性的方法，实现了PHEMT 放大器在全频段的稳定性，并分析了源极反馈电感对放大... 使用微波仿真软件ADS设计了一款用于2.0～3.5 GHz无线通信的宽带低噪声放大器。匹配网络采用微带线，减小了分立元件的寄生效应。详细阐述了提高放大器稳定性的方法，实现了PHEMT 放大器在全频段的稳定性，并分析了源极反馈电感对放大器性能的影响。在2.0～3.5 GHz频段内，放大器增益为12 dB左右，增益平坦度为0.23 dB，最大噪声系数为2.8 dB，输入输出驻波比小于2，三阶输出截点值OIP3大于35.5 dBm。设计的放大器可以用于无线通信的前段中。 展开更多
关键词 ADS 微带线 单路宽带低噪声放大器 PHEMT放大器
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面向Q/V波段卫星通信应用干扰抑制GaAs低噪声放大器
2
作者 李博 林峰 孙厚军 《微波学报》 CSCD 北大核心 2024年第S1期155-158,共4页
针对卫星通信应用,本文基于Ga As pHEMT工艺设计并仿真了一款覆盖37~52 GHz具有干扰抑制功能的低噪声放大器芯片。所设计低噪声放大器电路包括三级放大器,为实现低噪声和宽带特性,为每一级放大器设计了源电感。为了实现8~23 GHz干扰信... 针对卫星通信应用,本文基于Ga As pHEMT工艺设计并仿真了一款覆盖37~52 GHz具有干扰抑制功能的低噪声放大器芯片。所设计低噪声放大器电路包括三级放大器,为实现低噪声和宽带特性,为每一级放大器设计了源电感。为了实现8~23 GHz干扰信号的抑制,在每一段匹配网络的设计中引入了传输零点,通过多级具有滤波功能的匹配网络实现对干扰信号的强抑制。同时,为了增强电路输入输出回波损耗,在末级放大器中增加了负反馈结构,对电路噪声特性基本不产生影响。最终,对电路进行了电磁仿真,在37~52 GHz范围内实现了16.6~25.2 dB的增益和1.9~2.8 dB的噪声系数,同时在8~23 GHz范围内,实现了50~150 dB的干扰抑制。 展开更多
关键词 低噪声放大器 宽带 干扰抑制 砷化镓 Q/V波段
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基于0.1-μm GaAs pHEMT工艺的最小噪声系数3.9 dB的66~112.5 GHz低噪声放大器
3
作者 李泽坤 陈继新 +1 位作者 郑司斗 洪伟 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第2期187-191,共5页
本文基于0.1-μm砷化镓赝配高电子迁移率晶体管(GaAs pHEMT)工艺,研制了一款覆盖整个W波段的宽带低噪声放大器。提出了一种由双并联电容组成的旁路电路,能够提供宽带射频接地,减小了级间串扰,利于实现宽带匹配。采用双谐振匹配网络实现... 本文基于0.1-μm砷化镓赝配高电子迁移率晶体管(GaAs pHEMT)工艺,研制了一款覆盖整个W波段的宽带低噪声放大器。提出了一种由双并联电容组成的旁路电路,能够提供宽带射频接地,减小了级间串扰,利于实现宽带匹配。采用双谐振匹配网络实现了宽带的输入匹配和最佳噪声匹配。实测结果显示,最大增益在108 GHz处达到20.4 dB,在66~112.5 GHz范围内,小信号增益为16.9~20.4 dB。在90 GHz处,实测噪声系数为3.9 dB。实测的输入1-dB压缩点在整个W波段内约为-12 dBm。 展开更多
关键词 砷化镓赝配高电子迁移率晶体管 低噪声放大器 宽带 W波段
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1.5-6GHz增益和噪声系数稳定的两级超宽带CMOS低噪声放大器设计与性能模拟 被引量：11
4
作者 何小威 李晋文 张民选 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第7期1668-1672,共5页
针对UWB应用设计实现了一个1.5-6GHz的两级CMOS低噪声放大器(LNA).通过引入共栅(CG)和共源(CS)结构以获得宽范围内的输入匹配,采用电流镜和峰化电感进行电流复用,所提出的LNA实现了非常平坦化的功率增益和噪声系数(NF).经标准0.18μm C... 针对UWB应用设计实现了一个1.5-6GHz的两级CMOS低噪声放大器(LNA).通过引入共栅(CG)和共源(CS)结构以获得宽范围内的输入匹配,采用电流镜和峰化电感进行电流复用,所提出的LNA实现了非常平坦化的功率增益和噪声系数(NF).经标准0.18μm CMOS工艺实现后,版图后模拟结果表明在1.5-5GHz频率范围内功率增益(S21)为11.45±0.05dB,在2-6GHz频率范围内噪声系数(NF)为5.15±0.05dB,输入损耗(S11)小于-18dB.在5GHz时,模拟得到的三阶交调点(IIP3)为-7dBm,1dB压缩点为-5dBm.在1.8V电源电压下,LNA消耗6mA的电流,版图实现面积仅为0.62mm2. 展开更多
关键词 超宽带 低噪声放大器 噪声系数 宽带 CMOS
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基于ADS仿真的宽带低噪声放大器设计 被引量：7
5
作者 万建岗 高玉良 左治方 《电讯技术》 北大核心 2009年第4期58-61,共4页
设计了一个S频段宽带低噪声放大器。该放大器采用两级E—PHEMT晶体管（ATF541M4）级联结构，单电源供电模式。应用微波仿真软件ADS对匹配电路进行了优化设计，最后通过S参数及谐波平衡仿真得到放大器的各项性能参数，在2．7～3．1GHz频... 设计了一个S频段宽带低噪声放大器。该放大器采用两级E—PHEMT晶体管（ATF541M4）级联结构，单电源供电模式。应用微波仿真软件ADS对匹配电路进行了优化设计，最后通过S参数及谐波平衡仿真得到放大器的各项性能参数，在2．7～3．1GHz频率范围内噪声系数小于0．6dB，带内增益大于30dB，带内平坦度小于±1dB，输入输出驻波比小于1．6dB，1dB增益压缩点输入功率不小于-15dBm。仿真结果表明，该设计完全满足性能指标要求。 展开更多
关键词 宽带低噪声放大器 噪声系数 ADS仿真 优化设计
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0.5～3.3GHz超宽带低噪声放大器设计 被引量：5
6
作者 肖勇 樊勇 +1 位作者 闫鸿 刘柏江 《电讯技术》 北大核心 2009年第12期105-108,共4页
选用Agilent公司的PHEMT晶体管ATF-54143,基于负反馈技术,设计了一种超宽带低噪声放大器。其匹配网络是由微带与集总元件共同组成,使用ADS2009对整个电路进行优化设计。在0.5～3.3 GHz的超宽带频率范围内,低噪声放大器增益大于25 dB,增... 选用Agilent公司的PHEMT晶体管ATF-54143,基于负反馈技术,设计了一种超宽带低噪声放大器。其匹配网络是由微带与集总元件共同组成,使用ADS2009对整个电路进行优化设计。在0.5～3.3 GHz的超宽带频率范围内,低噪声放大器增益大于25 dB,增益不平坦度为1.5,噪声系数不大于2 dB。可用相对介电常数为9.2、厚度为1 mm的介质基板实现该放大器,可应用于各种微波通信领域。 展开更多
关键词 射频接收系统 低噪声放大器 超宽带 负反馈 优化设计
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重频超宽带脉冲干扰低噪声放大器 被引量：3
7
作者 杨猛 宁辉 +1 位作者 张永栋 杜正伟 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第8期119-123,共5页
理论分析和仿真研究了重频超宽带脉冲对低噪声放大器（LNA）的干扰特征,给出了高斯脉冲幅度、脉宽及重频等参数对LNA干扰效果的规律,对工作于40~80MHz频段的接收机LNA开展了相关验证实验。结果表明：干扰特征主要由LNA工作频带和脉冲参... 理论分析和仿真研究了重频超宽带脉冲对低噪声放大器（LNA）的干扰特征,给出了高斯脉冲幅度、脉宽及重频等参数对LNA干扰效果的规律,对工作于40~80MHz频段的接收机LNA开展了相关验证实验。结果表明：干扰特征主要由LNA工作频带和脉冲参数决定;不同脉冲参数对干扰的效果影响不同,脉冲幅值的影响最显著;在验证实验研究的参数范围内,增大高斯脉冲幅度、脉宽和重频均有利于增强对LNA的干扰效果。 展开更多
关键词 超宽带脉冲 低噪声放大器 干扰 脉冲参数
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程控增益低噪声宽带直流放大器的设计 被引量：7
8
作者 孙科学 卜新华 唐珂 《现代电子技术》 2012年第3期188-190,共3页
介绍了程控增益低噪声宽带直流放大器的设计原理及流程。采用低噪声增益可程控集成运算放大器AD603和高频三极管2N2219和2N2905等器件设计了程控增益低噪声宽带直流放大器,实现了输入电压有效值小于10mV,输出信号有效值最大可达10V,通... 介绍了程控增益低噪声宽带直流放大器的设计原理及流程。采用低噪声增益可程控集成运算放大器AD603和高频三极管2N2219和2N2905等器件设计了程控增益低噪声宽带直流放大器,实现了输入电压有效值小于10mV,输出信号有效值最大可达10V,通频带为0～8MHz,增益可在0～50dB之间5dB的步进进行控制,最高增益达到53dB,且宽带内增益起伏远小于1dB的两级宽带直流低噪声放大器的设计。 展开更多
关键词 低噪声 程控增益 功率放大 宽带直流放大器
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1~9 GHz超宽带温度补偿低噪声放大器的设计 被引量：3
9
作者 周守利 吴建敏 +2 位作者 张景乐 陈伟 王志宇 《南京大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2020年第6期892-899,共8页
超宽带低噪声放大器是可重构射频前端、宽带相控阵雷达必需的芯片,其性能直接影响系统的灵敏度.展示一款集成温度补偿有源偏置电路的超宽带低噪声放大器,该放大器采用新型温度补偿有源偏置电路,能有效地降低工作环境温度变化导致的增益... 超宽带低噪声放大器是可重构射频前端、宽带相控阵雷达必需的芯片,其性能直接影响系统的灵敏度.展示一款集成温度补偿有源偏置电路的超宽带低噪声放大器,该放大器采用新型温度补偿有源偏置电路,能有效地降低工作环境温度变化导致的增益波动;同时,通过带宽扩展技术提高晶体管高频增益,实现9倍频程的工作带宽.该款芯片基于0.15μm GaAs pHEMT工艺设计制造,尺寸为2 mm×1.2 mm.测试结果表明,该低噪声放大器在5 V工作电压下,功耗为125 mW;工作频率为1~9 GHz,频带内噪声系数小于1 dB,增益大于25 dB,输入输出回波损耗小于-10 dB,输出1 dB压缩点大于10 dBm;在-55~125℃工作环境下,芯片增益波动小于1 dB. 展开更多
关键词 超宽带 温度补偿 有源偏置 低噪声放大器 负反馈
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超宽带SiGe HBT低噪声放大器的设计和分析 被引量：3
10
作者 沈珮 张万荣 +2 位作者 金冬月 谢红云 黄毅文 《高技术通讯》 CAS CSCD 北大核心 2011年第1期77-82,共6页
设计了一款具有电阻反馈的新型超宽带（UWB）SiGe HBT低噪声放大器（LNA）。因为摒弃了使用占片面积大的电感，所以极大节省了放大器的芯片面积和制作成本。在新型放大器的反馈支路中，使用了复合分布式电阻和隔直流电容，代替了传统的... 设计了一款具有电阻反馈的新型超宽带（UWB）SiGe HBT低噪声放大器（LNA）。因为摒弃了使用占片面积大的电感，所以极大节省了放大器的芯片面积和制作成本。在新型放大器的反馈支路中，使用了复合分布式电阻和隔直流电容，代替了传统的单一电阻。用这种方式设计的LNA，仅通过调整与电容串联的电阻就可以极大地改善放大器的端口匹配，同时不牺牲偏置。最终设计出的LNA版图面积仅为0．144mm^2。仿真实验显示，在3．1—10GHz超宽频带内，新型UWB LNA实现了低于4．5dB的噪声系数、高达20dB的增益（增益平坦度仅为1．032dB），小于1．637的输出端驻波比，大于2．3的稳定因子。此研究成果对设计开发低成本、高性能的单片UWB LNA具有重要指导意义。 展开更多
关键词 低噪声放大器(LNA) SIGE异质结双极晶体管 超宽带(UWB) 阻抗匹配 噪声系数
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4～20GHz超宽带低噪声放大器单片电路 被引量：3
11
作者 许春良 王绍东 +1 位作者 柳现发 高学邦 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第1期6-9,共4页
采用分布式放大器设计原理,基于GaAs PHEMT低噪声工艺技术,研制了一款超宽带低噪声放大器单片电路。该款放大器选用分布式拓扑结构,由五级电路构成,为了进一步提高分布式放大器的增益,在每一级又采用了两个场效应晶体管(FET)串联结构。... 采用分布式放大器设计原理,基于GaAs PHEMT低噪声工艺技术,研制了一款超宽带低噪声放大器单片电路。该款放大器选用分布式拓扑结构,由五级电路构成,为了进一步提高分布式放大器的增益,在每一级又采用了两个场效应晶体管(FET)串联结构。放大器采用了自偏压单电源供电,因为每级有两个FET串联,自偏压电路更为复杂,通过多个电阻分压的方式确定了每个FET的工作点。测试结果表明,该放大器在频率4～20 GHz内,增益大于14 dB,噪声系数小于3.0 dB,增益平坦度小于±1.0 dB,输入驻波比小于1.5∶1,输出驻波比小于1.8∶1,1 dB压缩点输出功率大于10 dBm。放大器的工作电压为8 V,电流约为50 mA,芯片面积为2.0 mm×2.0 mm。 展开更多
关键词 超宽带 低噪声放大器 行波 微波单片集成电路 砷化镓赝配高电子迁移率晶体管
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新型3.1～6GHz高增益超宽带低噪声放大器 被引量：1
12
作者 沈珮 张万荣 +4 位作者 金冬月 谢红云 尤云霞 孙博韬 肖盈 《北京工业大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第9期1181-1185,共5页
在传统的窄带达林顿结构放大器基础上,提出一种新型高增益超宽带达林顿结构低噪声放大器.该放大器采用高频低噪声晶体管,采用电感补偿技术和正实电阻补偿技术,保持了达林顿放大器高增益的优点,而且也取得了低噪声、良好输入输出匹配和... 在传统的窄带达林顿结构放大器基础上,提出一种新型高增益超宽带达林顿结构低噪声放大器.该放大器采用高频低噪声晶体管,采用电感补偿技术和正实电阻补偿技术,保持了达林顿放大器高增益的优点,而且也取得了低噪声、良好输入输出匹配和宽带稳定性.通过优化设计,新型放大器在3.1～6 GHz内,增益S21高达21 dB,变化不超过0.3 dB,噪声系数F为1.5～2.1 dB,输入输出反射系数S11和S22都小于-14 dB,在宽带内保持稳定. 展开更多
关键词 低噪声放大器 超宽带 达林顿对 电流增益
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一种3．1-10．6GHz超宽带低噪声放大器设计 被引量：2
13
作者 张滨 杨银堂 李跃进 《微波学报》 CSCD 北大核心 2012年第1期49-52,61,共5页
设计了一种基于TSMC 0.13μm CMOS工艺,用于3.1～10.6GHz带宽的CMOS低噪声放大器。输入级采用共栅极结构,在宽频带内能较好地完成输入匹配。放大级采用共源共栅结构,为整个电路提供合适的增益。输出则采用源极输出器来进行输出匹配。使... 设计了一种基于TSMC 0.13μm CMOS工艺,用于3.1～10.6GHz带宽的CMOS低噪声放大器。输入级采用共栅极结构,在宽频带内能较好地完成输入匹配。放大级采用共源共栅结构,为整个电路提供合适的增益。输出则采用源极输出器来进行输出匹配。使用ADS2006软件进行设计、优化和仿真。仿真结果显示,在3.1GHz～10.6GHz带宽内,放大器的电源电压在1.2V时,噪声系数低于2.5dB,增益为20.5dB,整个电路功耗为8mW。 展开更多
关键词 低噪声放大器 超宽带 增益 噪声系数 共源共栅
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一种用于多标准接收机的宽带低噪声放大器 被引量：1
14
作者 王科平 王志功 +1 位作者 雷雪梅 李伟 《高技术通讯》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第11期1176-1180,共5页
设计了一种应用于软件无线电接收机的300kHz～1.6GHz宽带低噪声放大器,适用于数字广播、数字电视和定位导航等系统。该放大器采用噪声抵消结构以降低输入匹配器件在输出端所产生的热噪声和闪烁噪声,能够同时实现输入阻抗匹配和噪声优化... 设计了一种应用于软件无线电接收机的300kHz～1.6GHz宽带低噪声放大器,适用于数字广播、数字电视和定位导航等系统。该放大器采用噪声抵消结构以降低输入匹配器件在输出端所产生的热噪声和闪烁噪声,能够同时实现输入阻抗匹配和噪声优化。对采用中芯国际(SMIC)0.18μm RF CMOS工艺实现的芯片的测试结果表明,3dB带宽为300kHz～1.6GHz,最大增益S_(21)为16.7dB,输入反射系数S_(11)小于-7.4dB,最小噪声系数为2.3 dB,输入参考的1dB增益压缩点为-11.6dBm,功耗为14.4mW,芯片面积为0.49mm^2。 展开更多
关键词 低噪声放大器(LNA) 噪声抵消 软件无线电 宽带
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一款毫米波超宽带GaN MMIC低噪声放大器 被引量：2
15
作者 刘会东 朱宝石 +1 位作者 朱思成 魏洪涛 《半导体技术》 CAS 北大核心 2020年第12期931-935,956,共6页
基于0.15μm GaN HEMT工艺,设计并实现了一款超宽带毫米波GaN低噪声放大器(LNA)微波单片集成电路(MMIC)。该放大器采用4级级联结构,其输入和输出端均采用5阶匹配网络,提高了放大器的匹配带宽;由微带线、短截线和电容组成的无电阻输入匹... 基于0.15μm GaN HEMT工艺,设计并实现了一款超宽带毫米波GaN低噪声放大器(LNA)微波单片集成电路(MMIC)。该放大器采用4级级联结构,其输入和输出端均采用5阶匹配网络,提高了放大器的匹配带宽;由微带线、短截线和电容组成的无电阻输入匹配网络减小了输入热噪声,优化了电路的噪声系数;在级间匹配网络中引入电阻元件,通过降低Q值扩展电路工作带宽。采用SiC衬底0.15μm AlGaN/GaN HEMT工艺进行流片,在片测试结果表明,在频率14~34 GHz时,该LNA的增益为(18±1)dB、噪声系数小于4.5 dB,在频率为39 GHz时1 dB压缩点输出功率为19 dBm,最大输入承受功率为30 dBm,相对工作带宽大于100%。研制的MMIC LNA面积为1.71 mm^2,功耗为1.05 W。 展开更多
关键词 低噪声放大器(LNA) 氮化镓(GaN) 微波单片集成电路(MMIC) 毫米波 超宽带
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2～5GHz 0.18μm CMOS宽带低噪声放大器设计 被引量：2
16
作者 何小威 张民选 《计算机工程与科学》 CSCD 北大核心 2011年第2期61-64,共4页
本文设计实现了一个2～5GHz的两级CMOS低噪声放大器(LNA),可应用在超宽带的下半频段(3.1～5GHz)。LNA由两级组成,第一级是一个共栅级,保持良好的线性度并完成较好的输入匹配;第二级是一个共源级堆叠一个电流源,在保持低噪声系数的同时... 本文设计实现了一个2～5GHz的两级CMOS低噪声放大器(LNA),可应用在超宽带的下半频段(3.1～5GHz)。LNA由两级组成,第一级是一个共栅级,保持良好的线性度并完成较好的输入匹配;第二级是一个共源级堆叠一个电流源,在保持低噪声系数的同时降低功耗。通过级联共栅和共源结构进行增益补偿,所设计的LNA具有近似恒定的增益和噪声系数。采用0.18μm CMOS工艺实现后,模拟结果表明,增益和噪声系数在2～5GHz频率范围内分别为11.5dB和5.1dB,输入反射系数低于-22dB。在4GHz时,模拟得到的三阶交调点为-10dBm。在1.8V电源电压下,LNA的功耗约为11mW。 展开更多
关键词 低噪声放大器 超宽带 噪声系数 三阶交调点
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采用幅度均衡器的宽带毫米波低噪声放大器 被引量：1
17
作者 陈志宏 王抗旱 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第5期395-398,共4页
对微带型幅度均衡器进行了理论分析和计算机仿真。微带型均衡器由微带谐振器上加载电阻构成,电阻的引入有效地展宽了频带。通过优化支节的长度、宽带和电阻的阻值,得到满足要求的均衡器。利用这种均衡器,对采用两级毫米波宽带MMIC的放... 对微带型幅度均衡器进行了理论分析和计算机仿真。微带型均衡器由微带谐振器上加载电阻构成,电阻的引入有效地展宽了频带。通过优化支节的长度、宽带和电阻的阻值,得到满足要求的均衡器。利用这种均衡器,对采用两级毫米波宽带MMIC的放大器进行了增益修正,使增益平坦度得到有效改善,同时对噪声的影响也较小。采用幅度均衡器最终实现的低噪声放大器在频率范围26.5～40 GHz内,增益为26.5～28.5 dB,增益平坦度优于±1.5 dB,噪声小于3.3dB,输入输出端口驻波小于2.0,输出1 dB压缩点功率大于10 dBm。 展开更多
关键词 毫米波 宽带 增益均衡器 低噪声放大器 谐振器
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23～47GHz宽带BiCMOS低噪声放大器设计 被引量：1
18
作者 张浩 王科平 冷思明 《微波学报》 CSCD 北大核心 2019年第6期45-48,共4页
针对不同国家标准对5G高频段的不同频率需求,设计了一款超宽带低噪声放大器,频率覆盖23~47 GHz。采用T型电感并联峰化技术,实现对传统电感并联峰化机构的带宽扩展,在相同功耗下,带宽可大幅提升。该放大器采用0.13μm BiCMOS工艺设计实现... 针对不同国家标准对5G高频段的不同频率需求,设计了一款超宽带低噪声放大器,频率覆盖23~47 GHz。采用T型电感并联峰化技术,实现对传统电感并联峰化机构的带宽扩展,在相同功耗下,带宽可大幅提升。该放大器采用0.13μm BiCMOS工艺设计实现,芯片面积0.42 mm×0.85 mm。测试结果表明,该低噪放在频率23~47 GHz范围内,增益大于22 dB,S11和S22均小于-7dB,噪声系数2.6~3.8 dB,输入1 dB压缩点大于-15 dBm,在1.2 V电源电压下,芯片整体功耗仅12 mW。 展开更多
关键词 5G 宽带 毫米波 低噪声放大器
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无螺旋电感的小面积SiGe HBT宽带低噪声放大器
19
作者 赵彦晓 张万荣 +4 位作者 谢红云 金冬月 丁春宝 郭振杰 高栋 《北京工业大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2014年第5期690-695,共6页
设计了一款无螺旋电感的1~6 GHz频段的小面积高性能SiGe HBT宽带低噪声放大器(wideband low noise amplifier,WLNA).采用具有优良阻抗匹配特性的共基放大器作为输入级,并采用噪声抵消技术抵消其噪声达到输入噪声匹配;共射放大器作为输出... 设计了一款无螺旋电感的1~6 GHz频段的小面积高性能SiGe HBT宽带低噪声放大器(wideband low noise amplifier,WLNA).采用具有优良阻抗匹配特性的共基放大器作为输入级,并采用噪声抵消技术抵消其噪声达到输入噪声匹配;共射放大器作为输出级,有源电感替代螺旋电感实现电感峰化技术来扩展频带宽度、提高增益的平坦度.基于Jazz 0.35μm SiGe BiCMOS工艺,完成了版图设计,WLNA的版图尺寸仅为105μm×115μm,与使用螺旋电感的WLNA相比,芯片面积大大减小.利用安捷伦公司的射频/微波集成电路仿真工具ADS进行了验证.结果表明:该WLNA在1~6 GHz频段内,S21】16 dB,NF【3.5 dB,S11【-10 dB,S22【-10 dB.对于设计应用于射频前端的小面积、低成本、高性能的单片WLNA具有一定的指导意义. 展开更多
关键词 SIGE HBT 有源电感峰化技术 噪声抵消支路 宽带低噪声放大器 射频前端
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基于3.1～10.6GHz CMOS超宽带低噪声放大器设计
20
作者 赵小荣 范洪辉 +3 位作者 朱明放 傅中君 黄海军 陈鉴富 《江南大学学报（自然科学版）》 CAS 2015年第4期385-389,共5页
设计了一种基于TSMC 0.18 pm CMOS工艺的高增益,低功耗共栅结构的超宽带低噪声放 大器.利用串联电阻和电感与晶体管的自身跨导共同在整个频带内实现很好的输入端匹配.电路 采用ADS2009软件仿真设计.仿真结果表明,在1.8 V电源供电时,整... 设计了一种基于TSMC 0.18 pm CMOS工艺的高增益,低功耗共栅结构的超宽带低噪声放 大器.利用串联电阻和电感与晶体管的自身跨导共同在整个频带内实现很好的输入端匹配.电路 采用ADS2009软件仿真设计.仿真结果表明,在1.8 V电源供电时,整个电路功耗为15.6 mW,在 3.1 - 10. 6 GHz 的频带内噪声系数 NF 为 1.284 5 ±0.340 5 dB,正向增益S21 为 21.451 ± 1.5 dB, 输入回波损耗均低于-15.14 dB,输出回波损耗低于-20. 202 dB. 展开更多
关键词 低噪声放大器 超宽带 互补金属氧化物半导体 共栅结构
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