TN364.2 98031903用于电路模拟的PIN雪崩光电二极管模型=PINavalanche photodiode model for circuit simula-tion[刊.中]/陈维友,刘式墉(吉林大学.吉林,长春(130023))∥固体电子学研究与进展.—1997,17(3).—242—249针对PIN结构的特殊...TN364.2 98031903用于电路模拟的PIN雪崩光电二极管模型=PINavalanche photodiode model for circuit simula-tion[刊.中]/陈维友,刘式墉(吉林大学.吉林,长春(130023))∥固体电子学研究与进展.—1997,17(3).—242—249针对PIN结构的特殊性,作了适当的合理近似,考虑了p,n区少子扩散,i区载流子漂移,给出一个完整的PIN雪崩光电二极管电路模型。它可用于直。展开更多
TN364.2 98053323硅光敏管内量子效率与硅的能带结构=Quantumefficiency in silicon photodiode and band struc—ture of silicon[刊,中]/胡东红,张玲,张明(湖北大学物理系。湖北,武汉(430062))∥光电子技术.—1997,17(2).—98—101讨...TN364.2 98053323硅光敏管内量子效率与硅的能带结构=Quantumefficiency in silicon photodiode and band struc—ture of silicon[刊,中]/胡东红,张玲,张明(湖北大学物理系。湖北,武汉(430062))∥光电子技术.—1997,17(2).—98—101讨论了硅光敏管内量子效率与硅的能带结构、硅的光吸收系数的关系,认为在硅光敏管PN结实现100%收集载流子的情况下,内量子效率曲线在一定程度上反映了硅的能带结构、能态密度。图4参4(严寒)展开更多
TL816 2003021251CdSe核辐射探测器的噪声与漏电流=Noise and leakagecurrent in CdSe detectors with MSM structure[刊,中]/金应荣(四川大学材料科学系.四川,成都(610064)),朱世富…//半导体学报.—2002,23(8).—835-839对具有金属-...TL816 2003021251CdSe核辐射探测器的噪声与漏电流=Noise and leakagecurrent in CdSe detectors with MSM structure[刊,中]/金应荣(四川大学材料科学系.四川,成都(610064)),朱世富…//半导体学报.—2002,23(8).—835-839对具有金属-半导体-金属(MSM)结构的CdSe探测器的噪声进行了实验观测,并对探测器中光生载流子的输运过程进行了分析,结果表明探测器的噪声是由从正极注入的空穴电流引起的。因此只有改变正极接触,才能有效地阻止空穴注入,从而消除探测器噪声。展开更多
III-V族半导体纳米线凭借其独特的准一维结构和物理特性在纳米晶体管、纳米传感器和纳米光电探测器等方面有着重要潜在应用,是当前国际研究的热点。特别是,三元合金InA sS b纳米线除了具有超高的载流子迁移率和极小的有效质量外,其可调...III-V族半导体纳米线凭借其独特的准一维结构和物理特性在纳米晶体管、纳米传感器和纳米光电探测器等方面有着重要潜在应用,是当前国际研究的热点。特别是,三元合金InA sS b纳米线除了具有超高的载流子迁移率和极小的有效质量外,其可调的带隙以及电、光学性能使其成为红外探测器的理想材料。展开更多
基金The Joint Laboratory of Quantum Optoelectronics and the Theory of Bivergentum and Beijing International Scientific and Technological Cooperation Base of Information Optoelectronics and Nanoheterogeneous Structure,the National Natural and Science Foundation of China(Nos.61574019,61674018,61674020)the Fund of the State Key Laboratory of Information Photonics and Optical Communications,the Specialized Research Fund for the Doctoral Program of Higher Education of China(No.20130005130001)
文摘TN364.2 98031903用于电路模拟的PIN雪崩光电二极管模型=PINavalanche photodiode model for circuit simula-tion[刊.中]/陈维友,刘式墉(吉林大学.吉林,长春(130023))∥固体电子学研究与进展.—1997,17(3).—242—249针对PIN结构的特殊性,作了适当的合理近似,考虑了p,n区少子扩散,i区载流子漂移,给出一个完整的PIN雪崩光电二极管电路模型。它可用于直。
文摘TN364.2 98053323硅光敏管内量子效率与硅的能带结构=Quantumefficiency in silicon photodiode and band struc—ture of silicon[刊,中]/胡东红,张玲,张明(湖北大学物理系。湖北,武汉(430062))∥光电子技术.—1997,17(2).—98—101讨论了硅光敏管内量子效率与硅的能带结构、硅的光吸收系数的关系,认为在硅光敏管PN结实现100%收集载流子的情况下,内量子效率曲线在一定程度上反映了硅的能带结构、能态密度。图4参4(严寒)
文摘TL816 2003021251CdSe核辐射探测器的噪声与漏电流=Noise and leakagecurrent in CdSe detectors with MSM structure[刊,中]/金应荣(四川大学材料科学系.四川,成都(610064)),朱世富…//半导体学报.—2002,23(8).—835-839对具有金属-半导体-金属(MSM)结构的CdSe探测器的噪声进行了实验观测,并对探测器中光生载流子的输运过程进行了分析,结果表明探测器的噪声是由从正极注入的空穴电流引起的。因此只有改变正极接触,才能有效地阻止空穴注入,从而消除探测器噪声。
