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一种容忍单粒子双节点翻转的锁存器设计
被引量：
3
1
作者
黄正峰
张阳阳
+3 位作者
李雪健
付俊超
徐秀敏
方祥圣
《合肥工业大学学报（自然科学版）》
CAS
北大核心
2019年第4期493-499,共7页
文章提出了一种新型的锁存器,采用双模冗余容错技术,能够同时容忍单粒子单节点翻转和单粒子双节点翻转。相比于同类型的加固设计,文中设计的结构延迟平均下降74.40%,功耗平均下降8.32%,功耗-延迟积(power-delay product,PDP)平均下降75....
文章提出了一种新型的锁存器,采用双模冗余容错技术,能够同时容忍单粒子单节点翻转和单粒子双节点翻转。相比于同类型的加固设计,文中设计的结构延迟平均下降74.40%,功耗平均下降8.32%,功耗-延迟积(power-delay product,PDP)平均下降75.20%,面积平均减少15.76%;而且该锁存器的延迟对工艺、供电电压及温度的波动不敏感。
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关键词
软错误
单
粒子
翻转
单节点翻转
双
节点
翻转
加固锁存器
双模冗余
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职称材料
一种高性能低功耗的双节点翻转加固锁存器
被引量：
4
2
作者
黄正峰
姚慧杰
+1 位作者
李先东
王敏
《合肥工业大学学报（自然科学版）》
CAS
北大核心
2019年第12期1649-1654,共6页
随着半导体工艺尺寸的发展,时钟频率越来越高,临界电荷变得越来越小,电路节点之间的电荷共享效应变得愈加严重,因此导致多节点翻转(multiple node upsets,MNU)的几率变大。为了解决MNU的问题,文章提出了一种高性能低功耗的双节点翻转加...
随着半导体工艺尺寸的发展,时钟频率越来越高,临界电荷变得越来越小,电路节点之间的电荷共享效应变得愈加严重,因此导致多节点翻转(multiple node upsets,MNU)的几率变大。为了解决MNU的问题,文章提出了一种高性能低功耗的双节点翻转加固锁存器(HLDRL),当受到单粒子效应影响时,具有单节点翻转(single node upset,SNU)和双节点翻转(double node upsets,DNU)的自恢复能力。该锁存器由18个异构输入反相器组成,仿真实验结果显示该锁存器具有优良的容错性能,可以实现DNU的完全自恢复,而且对高阻态不敏感。与其他容忍DNU的锁存器相比,该锁存器具有较小的开销,延迟和功耗延迟积分别减小了46.83%和45.85%。
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关键词
软错误
单节点翻转
(SNU)
双
节点
翻转
(DNU)
高阻态
异构输入反相器
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职称材料
两种面向宇航应用的高可靠性抗辐射加固技术静态随机存储器单元
被引量：
1
3
作者
闫爱斌
李坤
+2 位作者
黄正峰
倪天明
徐辉
《电子与信息学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2024年第10期4072-4080,共9页
CMOS尺寸的大幅缩小引发电路可靠性问题。该文介绍了两种高可靠的基于设计的抗辐射加固(RHBD)10T和12T抗辐射加固技术(SRAM)单元,它们可以防护单节点翻转(SNU)和双节点翻转(DNU)。10T单元主要由两个交叉耦合的输入分离反相器组成,该单...
CMOS尺寸的大幅缩小引发电路可靠性问题。该文介绍了两种高可靠的基于设计的抗辐射加固(RHBD)10T和12T抗辐射加固技术(SRAM)单元,它们可以防护单节点翻转(SNU)和双节点翻转(DNU)。10T单元主要由两个交叉耦合的输入分离反相器组成,该单元可以通过其内部节点之间的反馈机制稳定地保持存储的值。由于仅使用少量晶体管,因此其在面积和功耗方面开销也较低。基于10T单元,提出了使用4个并行存取访问管的12T单元。与10T单元相比,12T单元的读/写访问时间更短,且具有相同的容错能力。仿真结果表明,所提单元可以从任意SNU和部分DNU中恢复。此外,与先进的加固SRAM单元相比,所提RHBD 12T单元平均可以节省16.8%的写访问时间、56.4%的读访问时间和10.2%的功耗,而平均牺牲了5.32%的硅面积。
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关键词
CMOS
静态随机存储器
单
元
抗辐射加固
单节点翻转
双
节点
翻转
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职称材料
题名
一种容忍单粒子双节点翻转的锁存器设计
被引量：
3
1
作者
黄正峰
张阳阳
李雪健
付俊超
徐秀敏
方祥圣
机构
合肥工业大学电子科学与应用物理学院
合肥工业大学计算机与信息学院
出处
《合肥工业大学学报（自然科学版）》
CAS
北大核心
2019年第4期493-499,共7页
基金
国家自然科学基金资助项目(61574052)
安徽省自然科学基金资助项目(1608085MF149)
安徽行政学院科研团队资助项目(YJKT1417T01)
文摘
文章提出了一种新型的锁存器,采用双模冗余容错技术,能够同时容忍单粒子单节点翻转和单粒子双节点翻转。相比于同类型的加固设计,文中设计的结构延迟平均下降74.40%,功耗平均下降8.32%,功耗-延迟积(power-delay product,PDP)平均下降75.20%,面积平均减少15.76%;而且该锁存器的延迟对工艺、供电电压及温度的波动不敏感。
关键词
软错误
单
粒子
翻转
单节点翻转
双
节点
翻转
加固锁存器
双模冗余
Keywords
soft error
single event upset
single node upset(SNU)
double node upset(DNU)
hardening latch
dual modular redundancy
分类号
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
一种高性能低功耗的双节点翻转加固锁存器
被引量：
4
2
作者
黄正峰
姚慧杰
李先东
王敏
机构
合肥工业大学电子科学与应用物理学院
出处
《合肥工业大学学报（自然科学版）》
CAS
北大核心
2019年第12期1649-1654,共6页
基金
国家自然科学基金资助项目(61574052)
安徽省自然科学基金资助项目(1608085MF149)
文摘
随着半导体工艺尺寸的发展,时钟频率越来越高,临界电荷变得越来越小,电路节点之间的电荷共享效应变得愈加严重,因此导致多节点翻转(multiple node upsets,MNU)的几率变大。为了解决MNU的问题,文章提出了一种高性能低功耗的双节点翻转加固锁存器(HLDRL),当受到单粒子效应影响时,具有单节点翻转(single node upset,SNU)和双节点翻转(double node upsets,DNU)的自恢复能力。该锁存器由18个异构输入反相器组成,仿真实验结果显示该锁存器具有优良的容错性能,可以实现DNU的完全自恢复,而且对高阻态不敏感。与其他容忍DNU的锁存器相比,该锁存器具有较小的开销,延迟和功耗延迟积分别减小了46.83%和45.85%。
关键词
软错误
单节点翻转
(SNU)
双
节点
翻转
(DNU)
高阻态
异构输入反相器
Keywords
soft error
single node upset(SNU)
double node upsets(DNU)
high impedance state(HIS)
heterogeneous-input inverter(HI)
分类号
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
两种面向宇航应用的高可靠性抗辐射加固技术静态随机存储器单元
被引量：
1
3
作者
闫爱斌
李坤
黄正峰
倪天明
徐辉
机构
合肥工业大学微电子学院
安徽工程大学集成电路学院
安徽理工大学计算机科学与工程学院
出处
《电子与信息学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2024年第10期4072-4080,共9页
基金
国家自然科学基金(61974001)。
文摘
CMOS尺寸的大幅缩小引发电路可靠性问题。该文介绍了两种高可靠的基于设计的抗辐射加固(RHBD)10T和12T抗辐射加固技术(SRAM)单元,它们可以防护单节点翻转(SNU)和双节点翻转(DNU)。10T单元主要由两个交叉耦合的输入分离反相器组成,该单元可以通过其内部节点之间的反馈机制稳定地保持存储的值。由于仅使用少量晶体管,因此其在面积和功耗方面开销也较低。基于10T单元,提出了使用4个并行存取访问管的12T单元。与10T单元相比,12T单元的读/写访问时间更短,且具有相同的容错能力。仿真结果表明,所提单元可以从任意SNU和部分DNU中恢复。此外,与先进的加固SRAM单元相比,所提RHBD 12T单元平均可以节省16.8%的写访问时间、56.4%的读访问时间和10.2%的功耗,而平均牺牲了5.32%的硅面积。
关键词
CMOS
静态随机存储器
单
元
抗辐射加固
单节点翻转
双
节点
翻转
Keywords
CMOS
Static Random Access Memory(SRAM)cell
Radiation hardening
Single node upset
Double node upset
分类号
TN43 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
一种容忍单粒子双节点翻转的锁存器设计
黄正峰
张阳阳
李雪健
付俊超
徐秀敏
方祥圣
《合肥工业大学学报（自然科学版）》
CAS
北大核心
2019
3
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
一种高性能低功耗的双节点翻转加固锁存器
黄正峰
姚慧杰
李先东
王敏
《合肥工业大学学报（自然科学版）》
CAS
北大核心
2019
4
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
两种面向宇航应用的高可靠性抗辐射加固技术静态随机存储器单元
闫爱斌
李坤
黄正峰
倪天明
徐辉
《电子与信息学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2024
1
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职称材料
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