检索结果-维普期刊中文期刊服务平台

静态随机存取存储器重离子单粒子翻转效应实验研究被引量：9: 1; 作者贺朝会耿斌 +9 位作者王燕萍杨海亮张正选陈晓华李国政路秀琴符长波赵葵郭继宇张新《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2002年第2期155-157,142,共4页; 应用重离子加速器和 2 52 Cf源进行单粒子翻转效应实验 ,测量得到 IDT系列和 HM系列静态随机存取存储器的单粒子翻转重离子 L ET阈值为 4～ 8Me V· cm2 /mg,单粒子翻转饱和截面为 10 -7cm2 · bit-1量级 ,位单粒子翻转截面随... 展开更多; 关键词静态随机存取存储器重离子加速器单粒子翻转效应 C5252 锎252 辐射源实验研究; 在线阅读下载PDF 职称材料

脉冲激光模拟SRAM器件单粒子翻转效应的试验方法研究被引量：3: 2; 作者上官士鹏封国强 +2 位作者余永涛姜昱光韩建伟《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第11期2137-2141,共5页; 针对0.13μm和0.35μm工艺尺寸的两款商用SRAM器件进行了脉冲激光背部单粒子翻转效应试验方法研究。单粒子翻转效应主要测试单粒子翻转阈值和单粒子翻转截面,本文主要研究了激光聚焦深度、激光脉冲注量、测试模式和芯片配置的数据对测... 展开更多; 关键词 SRAM 脉冲激光单粒子翻转效应激光聚焦深度激光脉冲注量; 在线阅读下载PDF 职称材料

片上存储器单粒子翻转效应诊断及修复被引量：1: 3; 作者杨卫涛贺朝会 +1 位作者杜雪成申帅帅《核电子学与探测技术》北大核心 2017年第2期138-141,共4页; 研究了Zynq-7000片上存储器(OCM)的单粒子翻转效应(SEU),进行了SEU的诊断设计,可以及时诊断出OCM中发生SEU的具体位置以及具体数据位,能够实现对发生于OCM中的单位翻转和多位翻转诊断;进行了SEU修复的设计,可以准确地修复OCM中发生的SE... 展开更多; 关键词 ZYNQ-7000 片上存储器单粒子翻转效应; 在线阅读下载PDF 职称材料

NMOS晶体管电荷共享导致的SRAM单元单粒子翻转恢复效应研究: 4; 作者高珊李洋 +4 位作者郝礼才赵强彭春雨蔺智挺吴秀龙《中国集成电路》 2024年第6期48-55,共8页; 基于Synopsys公司的三维器件模拟软件TCAD,本文研究了NMOS晶体管电荷共享导致SRAM单元的单粒子翻转恢复(SEUR)效应。分析了NMOS晶体管电荷共享导致SEUR效应的物理机制,系统研究了NMOS晶体管偏置(如电源电压、P阱偏置电压)和工艺参数(如P... 展开更多; 关键词单粒子翻转恢复效应 SRAM 电荷共享工艺参数; 在线阅读下载PDF 职称材料

深亚微米SRAM器件单粒子效应的脉冲激光辐照试验研究被引量：3: 5; 作者上官士鹏封国强 +1 位作者马英起韩建伟《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第8期1019-1024,共6页; 利用脉冲激光模拟试验装置对IDT公司0.13μm工艺IDT71V416SSRAM的单粒子效应进行了试验研究。在3.3V正常工作电压下,试验测量了单粒子翻转阈值和截面、单粒子闩锁阈值和闩锁电流及其与写入数据和工作状态的关系。单粒子翻转试验研究表明... 展开更多; 关键词脉冲激光单粒子翻转效应单粒子闩锁效应单粒子微闩锁效应; 在线阅读下载PDF 职称材料

基于Geant4的三维半导体器件单粒子效应仿真被引量：1: 6; 作者国硕毕津顺 +1 位作者罗家俊韩郑生《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2015年第8期592-595,625,共5页; 在空间中,辐射粒子入射半导体器件,会在器件中淀积电荷。这些电荷被器件的敏感区域收集,造成存储器件(如静态随机存储器(SRAM))逻辑状态发生变化,产生单粒子翻转(SEU)效应。蒙特卡洛工具——Geant4能够针对上述物理过程进行计算机数值模... 展开更多; 关键词半导体器件单粒子翻转(SEU)效应三维模型 GEANT4 线性能量转移(LET); 在线阅读下载PDF 职称材料

空间DSP信息处理系统存储器SEU加固技术研究被引量：12: 7; 作者贺兴华肖山竹 +3 位作者张路张开锋陶华敏卢焕章《宇航学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第2期472-477,共6页; 当前以高性能DSP为核心的信息处理系统被广泛应用于空间飞行器电子系统中。DSP系统为实现大数据量信息处理,通常需要扩展其外部存储器。而存储器件在空间应用中容易发生单粒子翻转(SEU:SingleEventUpset),使得存储器件中数据发生改变,... 展开更多; 关键词空间信息处理系统数字信号处理器存储器单粒子翻转效应错误检测与纠正; 在线阅读下载PDF 职称材料

低轨卫星微电子器件SER仿真分析被引量：2: 8; 作者王京杨波《电子质量》 2005年第7期34-35,33,共3页; 本文首先介绍了空间辐照环境和高能单粒子及其对飞行器微电子器件可靠性的影响,然后综合国外文献,给出了器件软错误率(SER)相对空间粒子辐射强度仿真计算模型,并在此基础上对低轨卫星微电子器件SER进行了仿真分析。; 关键词低轨卫星微电子器件单粒子翻转效应 SER; 在线阅读下载PDF 职称材料

SRAM型FPGA中SEM IP核的验证与自动注错方法被引量：1: 9; 作者张皓裴玉奎《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2017年第3期223-228,240,共7页; 星载设备长时间工作在空间环境中,宇宙中的带电粒子会造成器件功能异常,产生存储器软错误,严重时会损坏硬件电路。为模拟辐照环境对器件的影响,利用Xilinx公司的软错误缓解(SEM)控制器IP核,搭建了基于Xilinx Kintex-7的验证与测试平台,... 展开更多; 关键词单粒子翻转(SEU)效应静态随机存储器(SRAM) 现场可编程门阵列(FPGA) 软错误缓解(SEM)控制器IP核自动注错; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名静态随机存取存储器重离子单粒子翻转效应实验研究被引量：9: 1; 作者贺朝会耿斌王燕萍杨海亮张正选陈晓华李国政路秀琴符长波赵葵郭继宇张新; 机构西北核技术研究所中国原子能研究院; 出处《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2002年第2期155-157,142,共4页; 文摘应用重离子加速器和 2 52 Cf源进行单粒子翻转效应实验 ,测量得到 IDT系列和 HM系列静态随机存取存储器的单粒子翻转重离子 L ET阈值为 4～ 8Me V· cm2 /mg,单粒子翻转饱和截面为 10 -7cm2 · bit-1量级 ,位单粒子翻转截面随集成度的提高而减小。实验结果表明 ,可以用 2 52; 关键词静态随机存取存储器重离子加速器单粒子翻转效应 C5252 锎252 辐射源实验研究; Keywords SRAM heavy ion accelerator 252 Cf source single event upset effects; 分类号 O571.33 [理学—粒子物理与原子核物理] O572.21 [理学—粒子物理与原子核物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名脉冲激光模拟SRAM器件单粒子翻转效应的试验方法研究被引量：3: 2; 作者上官士鹏封国强余永涛姜昱光韩建伟; 机构中国科学院空间科学与应用研究中心中国科学院大学; 出处《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第11期2137-2141,共5页; 基金国家自然科学基金资助项目(40974113) 基础科研计划资助项目(A1320110028); 文摘针对0.13μm和0.35μm工艺尺寸的两款商用SRAM器件进行了脉冲激光背部单粒子翻转效应试验方法研究。单粒子翻转效应主要测试单粒子翻转阈值和单粒子翻转截面,本文主要研究了激光聚焦深度、激光脉冲注量、测试模式和芯片配置的数据对测试两者的影响。试验结果表明:只有聚焦到芯片有源区才可测得最低的翻转阈值和最大的翻转截面,此时的结果与重离子结果基本一致;注量对翻转阈值测试无影响,但注量增大时翻转截面会减小,测试时激光脉冲注量应小于1×107 cm-2;测试模式和存储数据对翻转阈值和翻转截面的影响不大,测试时可不考虑。; 关键词 SRAM 脉冲激光单粒子翻转效应激光聚焦深度激光脉冲注量; Keywords SRAM pulsed laser single event upset laser focusing depth laser pulsefluence; 分类号 TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名片上存储器单粒子翻转效应诊断及修复被引量：1: 3; 作者杨卫涛贺朝会杜雪成申帅帅; 机构西安交通大学; 出处《核电子学与探测技术》北大核心 2017年第2期138-141,共4页; 基金国家自然科学基金资助项目(11575138); 文摘研究了Zynq-7000片上存储器(OCM)的单粒子翻转效应(SEU),进行了SEU的诊断设计,可以及时诊断出OCM中发生SEU的具体位置以及具体数据位,能够实现对发生于OCM中的单位翻转和多位翻转诊断;进行了SEU修复的设计,可以准确地修复OCM中发生的SEU。能够利用较少的空间资源占用和运行时间实现OCM中SEU百分之百的诊断和修复。; 关键词 ZYNQ-7000 片上存储器单粒子翻转效应; Keywords Zynq - 7000 On - Chip - Memory Single Event Upset; 分类号 TN407 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名NMOS晶体管电荷共享导致的SRAM单元单粒子翻转恢复效应研究: 4; 作者高珊李洋郝礼才赵强彭春雨蔺智挺吴秀龙; 机构安徽大学安徽省高性能集成电路工程研究中心; 出处《中国集成电路》 2024年第6期48-55,共8页; 基金国家自然科学基金(62274001) 国家自然科学基金(62104002) +2 种基金国家自然科学基金(62104001)。; 文摘基于Synopsys公司的三维器件模拟软件TCAD,本文研究了NMOS晶体管电荷共享导致SRAM单元的单粒子翻转恢复(SEUR)效应。分析了NMOS晶体管电荷共享导致SEUR效应的物理机制,系统研究了NMOS晶体管偏置(如电源电压、P阱偏置电压)和工艺参数(如P+深阱掺杂浓度、P阱接触距离)对线性能量传输翻转恢复阈值(LETrec)以及单粒子翻转脉冲宽度(PWrec)的影响。研究发现:PWrec随着电源电压的增大而增大;PWrec和LETrec随着P阱偏置电压的增大而减小;LETrec随着P+深阱掺杂浓度的增大而增大;PWrec随着P阱接触与NMOS晶体管之间距离的增大而增大,而LETrec随着P阱接触与NMOS晶体管之间距离增大而减小。本文研究结论有助于优化SRAM单元抗单粒子效应设计,尤其是基于SEUR效应的SRAM单元的抗辐照加固设计提供了理论指导。; 关键词单粒子翻转恢复效应 SRAM 电荷共享工艺参数; Keywords Single event upset recovery effect Static random access memory Charge sharing Process parameter; 分类号 TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名深亚微米SRAM器件单粒子效应的脉冲激光辐照试验研究被引量：3: 5; 作者上官士鹏封国强马英起韩建伟; 机构中国科学院空间科学与应用研究中心中国科学院研究生院; 出处《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第8期1019-1024,共6页; 基金国家自然科学基金资助项目(40974113) 基础科研计划资助项目(A132110028); 文摘利用脉冲激光模拟试验装置对IDT公司0.13μm工艺IDT71V416SSRAM的单粒子效应进行了试验研究。在3.3V正常工作电压下,试验测量了单粒子翻转阈值和截面、单粒子闩锁阈值和闩锁电流及其与写入数据和工作状态的关系。单粒子翻转试验研究表明,该器件对翻转极敏感,测得的翻转阈值与重离子、质子试验结果符合较好;该器件对多位翻转较敏感,其中2位翻转占绝大部分且其所占比例随辐照激光能量增加而增大,这与重离子试验结果也一致。单粒子闩锁试验分析了闩锁效应的区域性特点,发现了器件闩锁电流呈微小增大的现象,即表现出单粒子微闩锁效应,分析了这种现象对传统的抗闩锁电路设计可能造成的影响。; 关键词脉冲激光单粒子翻转效应单粒子闩锁效应单粒子微闩锁效应; Keywords pulsed laser single event upset single event latchup micro single event latchup; 分类号 TN4 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于Geant4的三维半导体器件单粒子效应仿真被引量：1: 6; 作者国硕毕津顺罗家俊韩郑生; 机构中国科学院微电子研究所; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2015年第8期592-595,625,共5页; 基金国家自然科学基金资助项目(11179003 61176095); 文摘在空间中,辐射粒子入射半导体器件,会在器件中淀积电荷。这些电荷被器件的敏感区域收集,造成存储器件(如静态随机存储器(SRAM))逻辑状态发生变化,产生单粒子翻转(SEU)效应。蒙特卡洛工具——Geant4能够针对上述物理过程进行计算机数值模拟,可以用于抗辐射器件的性能评估与优化。几何描述标示语言(GDML)能够在Geant4环境下对器件模型进行描述。通过使用GDML建立三维的器件结构模型,并使用Geant4进行不同能量质子入射三维器件模型的仿真。实验结果表明,在三维器件仿真中低能质子要比高能质子更容易引起器件的单粒子翻转效应。; 关键词半导体器件单粒子翻转(SEU)效应三维模型 GEANT4 线性能量转移(LET); Keywords semiconductor device single event upset （SEU） effect 3D model Geant4 linear energy transfer （LET）; 分类号 TN302 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名空间DSP信息处理系统存储器SEU加固技术研究被引量：12: 7; 作者贺兴华肖山竹张路张开锋陶华敏卢焕章; 机构国防科学技术大学ATR国防重点实验室中国人民解放军; 出处《宇航学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第2期472-477,共6页; 基金 "863"高技术计划基金资助课题(2008AA801106); 文摘当前以高性能DSP为核心的信息处理系统被广泛应用于空间飞行器电子系统中。DSP系统为实现大数据量信息处理,通常需要扩展其外部存储器。而存储器件在空间应用中容易发生单粒子翻转(SEU:SingleEventUpset),使得存储器件中数据发生改变,从而导致系统计算结果错误,甚至可能导致系统功能失效。在介绍信息处理系统存储器件SEU机理的基础上,针对DSP信息处理系统存储器的结构特点,提出了一种基于"反熔丝型PROM+TMR加固设计FLASH+EDAC加固设计SRAM"结构的存储器SEU加固设计方案,并进行了原型实现。实验分析表明该设计具有较好的抗SEU性能和较强的实时性,可以为同类型的空间信息处理系统设计提供参考。; 关键词空间信息处理系统数字信号处理器存储器单粒子翻转效应错误检测与纠正; Keywords Space information processing system DSP Memory SEU EDAC; 分类号 TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名低轨卫星微电子器件SER仿真分析被引量：2: 8; 作者王京杨波; 机构国防科技大学机电工程与自动化学院; 出处《电子质量》 2005年第7期34-35,33,共3页; 文摘本文首先介绍了空间辐照环境和高能单粒子及其对飞行器微电子器件可靠性的影响,然后综合国外文献,给出了器件软错误率(SER)相对空间粒子辐射强度仿真计算模型,并在此基础上对低轨卫星微电子器件SER进行了仿真分析。; 关键词低轨卫星微电子器件单粒子翻转效应 SER; Keywords LEO satellite microelectronic devices SEU effects SER; 分类号 TP391.9 [自动化与计算机技术—计算机应用技术]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名SRAM型FPGA中SEM IP核的验证与自动注错方法被引量：1: 9; 作者张皓裴玉奎; 机构清华大学电子工程系清华大学宇航中心; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2017年第3期223-228,240,共7页; 基金国家自然科学基金资助项目(61301079 91338103 91538202); 文摘星载设备长时间工作在空间环境中,宇宙中的带电粒子会造成器件功能异常,产生存储器软错误,严重时会损坏硬件电路。为模拟辐照环境对器件的影响,利用Xilinx公司的软错误缓解(SEM)控制器IP核,搭建了基于Xilinx Kintex-7的验证与测试平台,完成对SEM IP核的功能验证。为提高测试效率,设计了基于上述平台的自动注错方法。经过验证,该方法能够达到预期的帧地址覆盖率。实验结果表明,SEM IP核具备软错误注入与缓解功能,自动注错方法有利于此IP核的实际应用。; 关键词单粒子翻转(SEU)效应静态随机存储器(SRAM) 现场可编程门阵列(FPGA) 软错误缓解(SEM)控制器IP核自动注错; Keywords single event upset（SEU） effect static random access memory（SRAM） field programmable gate array（FPGA） soft error mitigation（SEM） controller IP core automatic error injection; 分类号 TN407 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	静态随机存取存储器重离子单粒子翻转效应实验研究	贺朝会耿斌王燕萍杨海亮张正选陈晓华李国政路秀琴符长波赵葵郭继宇张新	《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心	2002	9	在线阅读下载PDF 职称材料
2	脉冲激光模拟SRAM器件单粒子翻转效应的试验方法研究	上官士鹏封国强余永涛姜昱光韩建伟	《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心	2013	3	在线阅读下载PDF 职称材料
3	片上存储器单粒子翻转效应诊断及修复	杨卫涛贺朝会杜雪成申帅帅	《核电子学与探测技术》北大核心	2017	1	在线阅读下载PDF 职称材料
4	NMOS晶体管电荷共享导致的SRAM单元单粒子翻转恢复效应研究	高珊李洋郝礼才赵强彭春雨蔺智挺吴秀龙	《中国集成电路》	2024	0	在线阅读下载PDF 职称材料
5	深亚微米SRAM器件单粒子效应的脉冲激光辐照试验研究	上官士鹏封国强马英起韩建伟	《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心	2012	3	在线阅读下载PDF 职称材料
6	基于Geant4的三维半导体器件单粒子效应仿真	国硕毕津顺罗家俊韩郑生	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2015	1	在线阅读下载PDF 职称材料
7	空间DSP信息处理系统存储器SEU加固技术研究	贺兴华肖山竹张路张开锋陶华敏卢焕章	《宇航学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2010	12	在线阅读下载PDF 职称材料
8	低轨卫星微电子器件SER仿真分析	王京杨波	《电子质量》	2005	2	在线阅读下载PDF 职称材料
9	SRAM型FPGA中SEM IP核的验证与自动注错方法	张皓裴玉奎	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2017	1	在线阅读下载PDF 职称材料