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静态随机存取存储器重离子单粒子翻转效应实验研究 被引量：9
1
作者 贺朝会 耿斌 +9 位作者 王燕萍 杨海亮 张正选 陈晓华 李国政 路秀琴 符长波 赵葵 郭继宇 张新 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2002年第2期155-157,142,共4页
应用重离子加速器和 2 52 Cf源进行单粒子翻转效应实验 ,测量得到 IDT系列和 HM系列静态随机存取存储器的单粒子翻转重离子 L ET阈值为 4～ 8Me V· cm2 /mg,单粒子翻转饱和截面为 10 -7cm2 · bit-1量级 ,位单粒子翻转截面随... 应用重离子加速器和 2 52 Cf源进行单粒子翻转效应实验 ,测量得到 IDT系列和 HM系列静态随机存取存储器的单粒子翻转重离子 L ET阈值为 4～ 8Me V· cm2 /mg,单粒子翻转饱和截面为 10 -7cm2 · bit-1量级 ,位单粒子翻转截面随集成度的提高而减小。实验结果表明 ,可以用 2 52 展开更多
关键词 静态随机存取存储器 重离子加速器 单粒子翻转效应 C5252 锎252 辐射源 实验研究
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脉冲激光模拟SRAM器件单粒子翻转效应的试验方法研究 被引量：3
2
作者 上官士鹏 封国强 +2 位作者 余永涛 姜昱光 韩建伟 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第11期2137-2141,共5页
针对0.13μm和0.35μm工艺尺寸的两款商用SRAM器件进行了脉冲激光背部单粒子翻转效应试验方法研究。单粒子翻转效应主要测试单粒子翻转阈值和单粒子翻转截面,本文主要研究了激光聚焦深度、激光脉冲注量、测试模式和芯片配置的数据对测... 针对0.13μm和0.35μm工艺尺寸的两款商用SRAM器件进行了脉冲激光背部单粒子翻转效应试验方法研究。单粒子翻转效应主要测试单粒子翻转阈值和单粒子翻转截面,本文主要研究了激光聚焦深度、激光脉冲注量、测试模式和芯片配置的数据对测试两者的影响。试验结果表明:只有聚焦到芯片有源区才可测得最低的翻转阈值和最大的翻转截面,此时的结果与重离子结果基本一致;注量对翻转阈值测试无影响,但注量增大时翻转截面会减小,测试时激光脉冲注量应小于1×107 cm-2;测试模式和存储数据对翻转阈值和翻转截面的影响不大,测试时可不考虑。 展开更多
关键词 SRAM 脉冲激光 单粒子翻转效应 激光聚焦深度 激光脉冲注量
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面向单粒子翻转效应的模拟故障注入技术 被引量：3
3
作者 于航 王晶 +2 位作者 周继芹 李亚 张伟功 《计算机工程与设计》 北大核心 2016年第1期107-111,131,共6页
通过分析基于VHDL模拟故障注入技术对SEU故障注入的不足,提出一种基于VHDL与C语言混合的注入方法。在此基础上,设计实现一款面向SEU的仿真故障注入平台,对该平台的结构及主要模块进行详细的描述。以LEON 2处理器为目标系统进行故障注入... 通过分析基于VHDL模拟故障注入技术对SEU故障注入的不足,提出一种基于VHDL与C语言混合的注入方法。在此基础上,设计实现一款面向SEU的仿真故障注入平台,对该平台的结构及主要模块进行详细的描述。以LEON 2处理器为目标系统进行故障注入实验,实验结果验证了该平台能够实现有效的故障注入。 展开更多
关键词 故障注入 单粒子翻转效应 标准硬件描述语言 C语言 可靠性验证
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片上存储器单粒子翻转效应诊断及修复 被引量：1
4
作者 杨卫涛 贺朝会 +1 位作者 杜雪成 申帅帅 《核电子学与探测技术》 北大核心 2017年第2期138-141,共4页
研究了Zynq-7000片上存储器(OCM)的单粒子翻转效应(SEU),进行了SEU的诊断设计,可以及时诊断出OCM中发生SEU的具体位置以及具体数据位,能够实现对发生于OCM中的单位翻转和多位翻转诊断;进行了SEU修复的设计,可以准确地修复OCM中发生的SE... 研究了Zynq-7000片上存储器(OCM)的单粒子翻转效应(SEU),进行了SEU的诊断设计,可以及时诊断出OCM中发生SEU的具体位置以及具体数据位,能够实现对发生于OCM中的单位翻转和多位翻转诊断;进行了SEU修复的设计,可以准确地修复OCM中发生的SEU。能够利用较少的空间资源占用和运行时间实现OCM中SEU百分之百的诊断和修复。 展开更多
关键词 ZYNQ-7000 片上存储器 单粒子翻转效应
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深亚微米SRAM器件单粒子效应的脉冲激光辐照试验研究 被引量：3
5
作者 上官士鹏 封国强 +1 位作者 马英起 韩建伟 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第8期1019-1024,共6页
利用脉冲激光模拟试验装置对IDT公司0.13μm工艺IDT71V416SSRAM的单粒子效应进行了试验研究。在3.3V正常工作电压下,试验测量了单粒子翻转阈值和截面、单粒子闩锁阈值和闩锁电流及其与写入数据和工作状态的关系。单粒子翻转试验研究表明... 利用脉冲激光模拟试验装置对IDT公司0.13μm工艺IDT71V416SSRAM的单粒子效应进行了试验研究。在3.3V正常工作电压下,试验测量了单粒子翻转阈值和截面、单粒子闩锁阈值和闩锁电流及其与写入数据和工作状态的关系。单粒子翻转试验研究表明,该器件对翻转极敏感,测得的翻转阈值与重离子、质子试验结果符合较好;该器件对多位翻转较敏感,其中2位翻转占绝大部分且其所占比例随辐照激光能量增加而增大,这与重离子试验结果也一致。单粒子闩锁试验分析了闩锁效应的区域性特点,发现了器件闩锁电流呈微小增大的现象,即表现出单粒子微闩锁效应,分析了这种现象对传统的抗闩锁电路设计可能造成的影响。 展开更多
关键词 脉冲激光 单粒子翻转效应 单粒子闩锁效应 单粒子微闩锁效应
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两种系统级单粒子效应容错方法性能仿真分析 被引量：2
6
作者 贺兴华 肖山竹 +2 位作者 张开锋 张路 卢焕章 《信号处理》 CSCD 北大核心 2010年第2期267-271,共5页
基于VLSI的信息处理系统空间应用时容易遭受单粒子翻转效应(SEU:Single Event Upset)的影响。基于结构冗余的三模冗余(TMR:Three Module Redundancy)和基于信息冗余的错误检纠错(EDAC:Error Detection and Correction)是两种常见的系统... 基于VLSI的信息处理系统空间应用时容易遭受单粒子翻转效应(SEU:Single Event Upset)的影响。基于结构冗余的三模冗余(TMR:Three Module Redundancy)和基于信息冗余的错误检纠错(EDAC:Error Detection and Correction)是两种常见的系统级抗单粒子翻转的容错方法,被广泛应用于空间信息处理系统中。从可靠性改进、存储资源占用、硬件实现代价以及实现延时等四个方面,对两种方法进行了性能分析和仿真实验。性能分析和仿真实验结果表明,EDAC方法适合应用于基本数据宽度较大、存储资源受限、实时性要求不高的应用中,结构TMR方法适合应用于基本数据宽度较小、存储资源充足、实时性要求较高的应用中。 展开更多
关键词 单粒子翻转效应 容错 失效率 仿真分析
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基于Geant4的三维半导体器件单粒子效应仿真 被引量：1
7
作者 国硕 毕津顺 +1 位作者 罗家俊 韩郑生 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2015年第8期592-595,625,共5页
在空间中,辐射粒子入射半导体器件,会在器件中淀积电荷。这些电荷被器件的敏感区域收集,造成存储器件(如静态随机存储器(SRAM))逻辑状态发生变化,产生单粒子翻转(SEU)效应。蒙特卡洛工具——Geant4能够针对上述物理过程进行计算机数值模... 在空间中,辐射粒子入射半导体器件,会在器件中淀积电荷。这些电荷被器件的敏感区域收集,造成存储器件(如静态随机存储器(SRAM))逻辑状态发生变化,产生单粒子翻转(SEU)效应。蒙特卡洛工具——Geant4能够针对上述物理过程进行计算机数值模拟,可以用于抗辐射器件的性能评估与优化。几何描述标示语言(GDML)能够在Geant4环境下对器件模型进行描述。通过使用GDML建立三维的器件结构模型,并使用Geant4进行不同能量质子入射三维器件模型的仿真。实验结果表明,在三维器件仿真中低能质子要比高能质子更容易引起器件的单粒子翻转效应。 展开更多
关键词 半导体器件 单粒子翻转(SEU)效应 三维模型 GEANT4 线性能量转移(LET)
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空间DSP信息处理系统存储器SEU加固技术研究 被引量：12
8
作者 贺兴华 肖山竹 +3 位作者 张路 张开锋 陶华敏 卢焕章 《宇航学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第2期472-477,共6页
当前以高性能DSP为核心的信息处理系统被广泛应用于空间飞行器电子系统中。DSP系统为实现大数据量信息处理,通常需要扩展其外部存储器。而存储器件在空间应用中容易发生单粒子翻转(SEU:SingleEventUpset),使得存储器件中数据发生改变,... 当前以高性能DSP为核心的信息处理系统被广泛应用于空间飞行器电子系统中。DSP系统为实现大数据量信息处理,通常需要扩展其外部存储器。而存储器件在空间应用中容易发生单粒子翻转(SEU:SingleEventUpset),使得存储器件中数据发生改变,从而导致系统计算结果错误,甚至可能导致系统功能失效。在介绍信息处理系统存储器件SEU机理的基础上,针对DSP信息处理系统存储器的结构特点,提出了一种基于"反熔丝型PROM+TMR加固设计FLASH+EDAC加固设计SRAM"结构的存储器SEU加固设计方案,并进行了原型实现。实验分析表明该设计具有较好的抗SEU性能和较强的实时性,可以为同类型的空间信息处理系统设计提供参考。 展开更多
关键词 空间信息处理系统 数字信号处理器 存储器 单粒子翻转效应 错误检测与纠正
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星载数据加密容错研究 被引量：1
9
作者 程晨 马恒太 郑刚 《计算机工程与设计》 CSCD 北大核心 2012年第1期51-55,共5页
在空间辐射环境中,单粒子反转效应(SEU)会导致星载系统存储器逻辑位发生翻转,且无法单纯依赖硬件措施完全消除,又由于卫星通信加密设备在大多数加密模式下具有错误扩散特性,星载数据加密设备的SEU软故障会导致批量数据不可用。针对星载... 在空间辐射环境中,单粒子反转效应(SEU)会导致星载系统存储器逻辑位发生翻转,且无法单纯依赖硬件措施完全消除,又由于卫星通信加密设备在大多数加密模式下具有错误扩散特性,星载数据加密设备的SEU软故障会导致批量数据不可用。针对星载数据加密过程的SEU影响问题,设计了基于奇偶校验码的星载数据加密过程检错算法和基于海明码的星载数据加密过程纠错算法,该容错方案可以有效降低SEU对星载数据加密过程的影响,提高星载数据加密的可靠性。通过大量图像数据仿真实验结果表明,提出的容错方案对星载数据加密过程可靠性的提高率与位出错概率成反比,有较好的空间适应性。 展开更多
关键词 单粒子翻转效应 星载数据 数据加密 数据容错 加密容错仿真
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SRAM型FPGA中SEM IP核的验证与自动注错方法 被引量：1
10
作者 张皓 裴玉奎 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2017年第3期223-228,240,共7页
星载设备长时间工作在空间环境中,宇宙中的带电粒子会造成器件功能异常,产生存储器软错误,严重时会损坏硬件电路。为模拟辐照环境对器件的影响,利用Xilinx公司的软错误缓解(SEM)控制器IP核,搭建了基于Xilinx Kintex-7的验证与测试平台,... 星载设备长时间工作在空间环境中,宇宙中的带电粒子会造成器件功能异常,产生存储器软错误,严重时会损坏硬件电路。为模拟辐照环境对器件的影响,利用Xilinx公司的软错误缓解(SEM)控制器IP核,搭建了基于Xilinx Kintex-7的验证与测试平台,完成对SEM IP核的功能验证。为提高测试效率,设计了基于上述平台的自动注错方法。经过验证,该方法能够达到预期的帧地址覆盖率。实验结果表明,SEM IP核具备软错误注入与缓解功能,自动注错方法有利于此IP核的实际应用。 展开更多
关键词 单粒子翻转(SEU)效应 静态随机存储器(SRAM) 现场可编程门阵列(FPGA) 软错误缓解(SEM)控制器IP核 自动注错
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