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NMOS晶体管电荷共享导致的SRAM单元单粒子翻转恢复效应研究
1
作者
高珊
李洋
+4 位作者
郝礼才
赵强
彭春雨
蔺智挺
吴秀龙
《中国集成电路》
2024年第6期48-55,共8页
基于Synopsys公司的三维器件模拟软件TCAD,本文研究了NMOS晶体管电荷共享导致SRAM单元的单粒子翻转恢复(SEUR)效应。分析了NMOS晶体管电荷共享导致SEUR效应的物理机制,系统研究了NMOS晶体管偏置(如电源电压、P阱偏置电压)和工艺参数(如P...
基于Synopsys公司的三维器件模拟软件TCAD,本文研究了NMOS晶体管电荷共享导致SRAM单元的单粒子翻转恢复(SEUR)效应。分析了NMOS晶体管电荷共享导致SEUR效应的物理机制,系统研究了NMOS晶体管偏置(如电源电压、P阱偏置电压)和工艺参数(如P+深阱掺杂浓度、P阱接触距离)对线性能量传输翻转恢复阈值(LETrec)以及单粒子翻转脉冲宽度(PWrec)的影响。研究发现:PWrec随着电源电压的增大而增大;PWrec和LETrec随着P阱偏置电压的增大而减小;LETrec随着P+深阱掺杂浓度的增大而增大;PWrec随着P阱接触与NMOS晶体管之间距离的增大而增大,而LETrec随着P阱接触与NMOS晶体管之间距离增大而减小。本文研究结论有助于优化SRAM单元抗单粒子效应设计,尤其是基于SEUR效应的SRAM单元的抗辐照加固设计提供了理论指导。
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关键词
单粒子翻转恢复效应
SRAM
电荷共享
工艺参数
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职称材料
题名
NMOS晶体管电荷共享导致的SRAM单元单粒子翻转恢复效应研究
1
作者
高珊
李洋
郝礼才
赵强
彭春雨
蔺智挺
吴秀龙
机构
安徽大学
安徽省高性能集成电路工程研究中心
出处
《中国集成电路》
2024年第6期48-55,共8页
基金
国家自然科学基金(62274001)
国家自然科学基金(62104002)
+2 种基金
安徽省省高校科研重点项目(2023AH040011)
安徽省重点研发项目(2022a05020044)
国家自然科学基金(62104001)。
文摘
基于Synopsys公司的三维器件模拟软件TCAD,本文研究了NMOS晶体管电荷共享导致SRAM单元的单粒子翻转恢复(SEUR)效应。分析了NMOS晶体管电荷共享导致SEUR效应的物理机制,系统研究了NMOS晶体管偏置(如电源电压、P阱偏置电压)和工艺参数(如P+深阱掺杂浓度、P阱接触距离)对线性能量传输翻转恢复阈值(LETrec)以及单粒子翻转脉冲宽度(PWrec)的影响。研究发现:PWrec随着电源电压的增大而增大;PWrec和LETrec随着P阱偏置电压的增大而减小;LETrec随着P+深阱掺杂浓度的增大而增大;PWrec随着P阱接触与NMOS晶体管之间距离的增大而增大,而LETrec随着P阱接触与NMOS晶体管之间距离增大而减小。本文研究结论有助于优化SRAM单元抗单粒子效应设计,尤其是基于SEUR效应的SRAM单元的抗辐照加固设计提供了理论指导。
关键词
单粒子翻转恢复效应
SRAM
电荷共享
工艺参数
Keywords
Single event upset recovery effect
Static random access memory
Charge sharing
Process parameter
分类号
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
NMOS晶体管电荷共享导致的SRAM单元单粒子翻转恢复效应研究
高珊
李洋
郝礼才
赵强
彭春雨
蔺智挺
吴秀龙
《中国集成电路》
2024
0
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职称材料
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