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题名抗单粒子辐射LVDS驱动器设计
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作者
赵金翔
周昕杰
郭业才
马艺珂
颜元凯
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机构
南京信息工程大学电子与信息工程学院
中国电子科技集团第五十八研究所
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出处
《中国集成电路》
2023年第10期46-51,共6页
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基金
江苏省自然科学基金项目(No.BK20211040)。
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文摘
为了减小单粒子效应对低电压差分信号(Low Voltage Differential Signal,LVDS)驱动器电路的影响,对LVDS内部模块电路进行单粒子脉冲仿真,找出电路中单粒子敏感节点,并进行单粒子加固设计。该电路基于0.18μm 1P5M CMOS工艺实现,传输速率为200Mbps,版图面积为464×351μm^(2),在3.3V电源电压下功耗为11.5mW。辐射试验采用Ge粒子试验,在入射能量为210MeV,线性能量转移LET为37.3MeV·cm^(2)/mg辐射情况下,该LVDS驱动器电路传输数据未发生错误。
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关键词
低电压差分信号
单粒子瞬态扰动
辐射加固
辐射效应
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Keywords
LVDS
single event transient
radiation hardened
radiation effect
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分类号
TN431
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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