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0.18μm NMOS的重离子单粒子瞬态脉冲的仿真模拟
被引量：
2
1
作者
李飞
安海华
《电子器件》
CAS
2011年第5期558-561,共4页
为了详细地了解纳米MOS电路中单粒子瞬变电荷收集机理,利用ISETCAD软件仿真二维模拟0.18μm NMOS的单粒子瞬态脉冲。通过进行三种不同的电路连接方式和不同的粒子注入位置的仿真,得到了一系列单粒子瞬态电流脉冲(SET)与时间的关系曲线...
为了详细地了解纳米MOS电路中单粒子瞬变电荷收集机理,利用ISETCAD软件仿真二维模拟0.18μm NMOS的单粒子瞬态脉冲。通过进行三种不同的电路连接方式和不同的粒子注入位置的仿真,得到了一系列单粒子瞬态电流脉冲(SET)与时间的关系曲线。分析了不同电路连接方式和注入位置对SET的峰值和脉宽的影响。为下一步建立SET的精确模型进行SET效应的模拟做基础的研究。
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关键词
ISE仿真
NMOS
单
粒子
瞬态脉冲
单粒子注入位置
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职称材料
题名
0.18μm NMOS的重离子单粒子瞬态脉冲的仿真模拟
被引量：
2
1
作者
李飞
安海华
机构
西安卫光科技有限公司
出处
《电子器件》
CAS
2011年第5期558-561,共4页
文摘
为了详细地了解纳米MOS电路中单粒子瞬变电荷收集机理,利用ISETCAD软件仿真二维模拟0.18μm NMOS的单粒子瞬态脉冲。通过进行三种不同的电路连接方式和不同的粒子注入位置的仿真,得到了一系列单粒子瞬态电流脉冲(SET)与时间的关系曲线。分析了不同电路连接方式和注入位置对SET的峰值和脉宽的影响。为下一步建立SET的精确模型进行SET效应的模拟做基础的研究。
关键词
ISE仿真
NMOS
单
粒子
瞬态脉冲
单粒子注入位置
Keywords
ISE simulation
NMOS
Single Event Transient
Location of single ion implantation
分类号
TN783 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
0.18μm NMOS的重离子单粒子瞬态脉冲的仿真模拟
李飞
安海华
《电子器件》
CAS
2011
2
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