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VA140的单粒子闩锁试验研究 被引量:1
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作者 张云龙 崔兴柱 +12 位作者 龚依民 彭文溪 王焕玉 张飞 樊瑞睿 梁晓华 高旻 龚珂 王钇心 杨彦佶 祝贵阳 刘彦良 祝晓龙 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第12期1518-1519,1523,共3页
专用集成电路是为特定用户或特定电子系统制作的集成电路,具有高性能、高可靠性等优点。专用集成电路VA140是中国暗物质卫星有效载荷硅微条探测器的关键器件。为测试VA140的抗单粒子闩锁特性,设计了简单的测试系统。应用兰州近代物理研... 专用集成电路是为特定用户或特定电子系统制作的集成电路,具有高性能、高可靠性等优点。专用集成电路VA140是中国暗物质卫星有效载荷硅微条探测器的关键器件。为测试VA140的抗单粒子闩锁特性,设计了简单的测试系统。应用兰州近代物理研究所重离子加速器进行测试,得到了有效试验数据。对试验数据进行处理,得到了VA140的闩锁截面与线性能量传输值的关系曲线、VA140的闩锁阈值及饱和截面,为其航天应用提供必要试验依据。 展开更多
关键词 粒子(sel) 专用集成电路(ASIC) 线性能量传输(LET) 重离子
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存储单元抗TID/SEL电路加固技术面积代价研究
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作者 王文 桑红石 沈绪榜 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2014年第6期25-29,共5页
在太空辐射环境中,总剂量辐射(Total Ionizing Dose,TID)效应和单粒子闩锁(Single Event Latch,SEL)效应严重影响存储器的可靠性.由此讨论了存储单元TID效应和SEL效应的原理,探讨了基于电路的加固技术(RHBD),设计了4种新的抗TID/SEL存... 在太空辐射环境中,总剂量辐射(Total Ionizing Dose,TID)效应和单粒子闩锁(Single Event Latch,SEL)效应严重影响存储器的可靠性.由此讨论了存储单元TID效应和SEL效应的原理,探讨了基于电路的加固技术(RHBD),设计了4种新的抗TID/SEL存储单元加固方案,并和现有几种方案进行对比,研究了这些加固方案的面积代价.研究结果表明,抗TID/SEL RHBD方案普遍会使存储单元的版图面积增加87.5%以上.提出了一种加固方案,可以在加固性能和面积代价上得到较好的折衷. 展开更多
关键词 总剂量效应(TID) 粒子(sel) 辐射加固设计 面积代价
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一种抗辐射的低功耗14 bit 20MS/s流水线型ADC 被引量:2
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作者 周晓丹 刘涛 +3 位作者 付东兵 李强 刘杰 郭刚 《半导体技术》 CAS 北大核心 2022年第7期570-576,共7页
基于0.35μm CMOS工艺设计实现了一款抗辐射模数转换器(ADC)。通过分析每级流水线分辨率对整体性能和功耗的影响,确定了2 bit/级的流水线结构;同时,针对宇航应用环境,分析了主要的辐射机理,并对ADC进行了抗辐射加固设计。测试结果显示,... 基于0.35μm CMOS工艺设计实现了一款抗辐射模数转换器(ADC)。通过分析每级流水线分辨率对整体性能和功耗的影响,确定了2 bit/级的流水线结构;同时,针对宇航应用环境,分析了主要的辐射机理,并对ADC进行了抗辐射加固设计。测试结果显示,在2.5 V电源电压、20 MS/s转换速率以及奈奎斯特输入频率条件下,该ADC信噪比(SNR)达到69.9 dB,无杂散动态范围(SFDR)达到84.9 dBc,功耗为60.2 mW,面积为1.988 mm^(2)。在抗辐射性能方面,该ADC的抗稳态总剂量(TID)能力达到100 krad(Si),单粒子闩锁(SEL)阈值达到75 MeV·cm^(2)/mg,非常适用于轨道辐射环境中。 展开更多
关键词 模数转换器(ADC) 流水线 低功耗 总剂量(TID) 粒子(sel)
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面向宇航应用的高性能多核处理器S698PM芯片的设计 被引量:4
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作者 颜军 蒋晓华 +3 位作者 唐芳福 龚永红 颜志宇 黄小虎 《航天控制》 CSCD 北大核心 2016年第4期89-94,共6页
综述了面向宇航应用的SPARC架构嵌入式处理器芯片的发展历程及技术产品,介绍了新一代SPARC架构多核处理器SOC芯片(S698PM芯片)的设计,阐述了其在性能优化和可靠性优化方面的设计方法。S698PM芯片架构采用SMP对称多处理架构,配置四核高性... 综述了面向宇航应用的SPARC架构嵌入式处理器芯片的发展历程及技术产品,介绍了新一代SPARC架构多核处理器SOC芯片(S698PM芯片)的设计,阐述了其在性能优化和可靠性优化方面的设计方法。S698PM芯片架构采用SMP对称多处理架构,配置四核高性能SPARC V8处理器,具备二级缓存控制,数据吞吐能力大;芯片具备丰富的片上外设及宇航总线接口;支持多款嵌入式实时操作系统(EOS)。 展开更多
关键词 SPARC V8处理器 四核SOC处理器 RISC处理器 SMP对称多处理架构 宇航抗辐照芯片 检错纠错(EDAC) 三模冗余(TMR) 总剂量(TID) 粒子翻转(SEU) 粒子(sel)
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