期刊导航
期刊开放获取
上海教育软件发展有限公..
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
4
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式:
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
VA140的单粒子闩锁试验研究
被引量:
1
1
作者
张云龙
崔兴柱
+12 位作者
龚依民
彭文溪
王焕玉
张飞
樊瑞睿
梁晓华
高旻
龚珂
王钇心
杨彦佶
祝贵阳
刘彦良
祝晓龙
《核电子学与探测技术》
CAS
CSCD
北大核心
2014年第12期1518-1519,1523,共3页
专用集成电路是为特定用户或特定电子系统制作的集成电路,具有高性能、高可靠性等优点。专用集成电路VA140是中国暗物质卫星有效载荷硅微条探测器的关键器件。为测试VA140的抗单粒子闩锁特性,设计了简单的测试系统。应用兰州近代物理研...
专用集成电路是为特定用户或特定电子系统制作的集成电路,具有高性能、高可靠性等优点。专用集成电路VA140是中国暗物质卫星有效载荷硅微条探测器的关键器件。为测试VA140的抗单粒子闩锁特性,设计了简单的测试系统。应用兰州近代物理研究所重离子加速器进行测试,得到了有效试验数据。对试验数据进行处理,得到了VA140的闩锁截面与线性能量传输值的关系曲线、VA140的闩锁阈值及饱和截面,为其航天应用提供必要试验依据。
展开更多
关键词
单
粒子
闩
锁
(
sel
)
专用集成电路(ASIC)
线性能量传输(LET)
重离子
在线阅读
下载PDF
职称材料
存储单元抗TID/SEL电路加固技术面积代价研究
2
作者
王文
桑红石
沈绪榜
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
2014年第6期25-29,共5页
在太空辐射环境中,总剂量辐射(Total Ionizing Dose,TID)效应和单粒子闩锁(Single Event Latch,SEL)效应严重影响存储器的可靠性.由此讨论了存储单元TID效应和SEL效应的原理,探讨了基于电路的加固技术(RHBD),设计了4种新的抗TID/SEL存...
在太空辐射环境中,总剂量辐射(Total Ionizing Dose,TID)效应和单粒子闩锁(Single Event Latch,SEL)效应严重影响存储器的可靠性.由此讨论了存储单元TID效应和SEL效应的原理,探讨了基于电路的加固技术(RHBD),设计了4种新的抗TID/SEL存储单元加固方案,并和现有几种方案进行对比,研究了这些加固方案的面积代价.研究结果表明,抗TID/SEL RHBD方案普遍会使存储单元的版图面积增加87.5%以上.提出了一种加固方案,可以在加固性能和面积代价上得到较好的折衷.
展开更多
关键词
总剂量效应(TID)
单
粒子
闩
锁
(
sel
)
辐射加固设计
面积代价
在线阅读
下载PDF
职称材料
一种抗辐射的低功耗14 bit 20MS/s流水线型ADC
被引量:
2
3
作者
周晓丹
刘涛
+3 位作者
付东兵
李强
刘杰
郭刚
《半导体技术》
CAS
北大核心
2022年第7期570-576,共7页
基于0.35μm CMOS工艺设计实现了一款抗辐射模数转换器(ADC)。通过分析每级流水线分辨率对整体性能和功耗的影响,确定了2 bit/级的流水线结构;同时,针对宇航应用环境,分析了主要的辐射机理,并对ADC进行了抗辐射加固设计。测试结果显示,...
基于0.35μm CMOS工艺设计实现了一款抗辐射模数转换器(ADC)。通过分析每级流水线分辨率对整体性能和功耗的影响,确定了2 bit/级的流水线结构;同时,针对宇航应用环境,分析了主要的辐射机理,并对ADC进行了抗辐射加固设计。测试结果显示,在2.5 V电源电压、20 MS/s转换速率以及奈奎斯特输入频率条件下,该ADC信噪比(SNR)达到69.9 dB,无杂散动态范围(SFDR)达到84.9 dBc,功耗为60.2 mW,面积为1.988 mm^(2)。在抗辐射性能方面,该ADC的抗稳态总剂量(TID)能力达到100 krad(Si),单粒子闩锁(SEL)阈值达到75 MeV·cm^(2)/mg,非常适用于轨道辐射环境中。
展开更多
关键词
模数转换器(ADC)
流水线
低功耗
总剂量(TID)
单
粒子
闩
锁
(
sel
)
在线阅读
下载PDF
职称材料
面向宇航应用的高性能多核处理器S698PM芯片的设计
被引量:
4
4
作者
颜军
蒋晓华
+3 位作者
唐芳福
龚永红
颜志宇
黄小虎
《航天控制》
CSCD
北大核心
2016年第4期89-94,共6页
综述了面向宇航应用的SPARC架构嵌入式处理器芯片的发展历程及技术产品,介绍了新一代SPARC架构多核处理器SOC芯片(S698PM芯片)的设计,阐述了其在性能优化和可靠性优化方面的设计方法。S698PM芯片架构采用SMP对称多处理架构,配置四核高性...
综述了面向宇航应用的SPARC架构嵌入式处理器芯片的发展历程及技术产品,介绍了新一代SPARC架构多核处理器SOC芯片(S698PM芯片)的设计,阐述了其在性能优化和可靠性优化方面的设计方法。S698PM芯片架构采用SMP对称多处理架构,配置四核高性能SPARC V8处理器,具备二级缓存控制,数据吞吐能力大;芯片具备丰富的片上外设及宇航总线接口;支持多款嵌入式实时操作系统(EOS)。
展开更多
关键词
SPARC
V8处理器
四核SOC处理器
RISC处理器
SMP对称多处理架构
宇航抗辐照芯片
检错纠错(EDAC)
三模冗余(TMR)
总剂量(TID)
单
粒子
翻转(SEU)
单
粒子
栓
锁
(
sel
)
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
VA140的单粒子闩锁试验研究
被引量:
1
1
作者
张云龙
崔兴柱
龚依民
彭文溪
王焕玉
张飞
樊瑞睿
梁晓华
高旻
龚珂
王钇心
杨彦佶
祝贵阳
刘彦良
祝晓龙
机构
吉林大学物理学院
中国科学院高能物理研究所
出处
《核电子学与探测技术》
CAS
CSCD
北大核心
2014年第12期1518-1519,1523,共3页
文摘
专用集成电路是为特定用户或特定电子系统制作的集成电路,具有高性能、高可靠性等优点。专用集成电路VA140是中国暗物质卫星有效载荷硅微条探测器的关键器件。为测试VA140的抗单粒子闩锁特性,设计了简单的测试系统。应用兰州近代物理研究所重离子加速器进行测试,得到了有效试验数据。对试验数据进行处理,得到了VA140的闩锁截面与线性能量传输值的关系曲线、VA140的闩锁阈值及饱和截面,为其航天应用提供必要试验依据。
关键词
单
粒子
闩
锁
(
sel
)
专用集成电路(ASIC)
线性能量传输(LET)
重离子
Keywords
Single-event latch-up(
sel
)
Application specific integrated circuit(ASIC)
Linear energy transfer(LET)
heavy ion
分类号
V433 [航空宇航科学与技术—航空宇航推进理论与工程]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
存储单元抗TID/SEL电路加固技术面积代价研究
2
作者
王文
桑红石
沈绪榜
机构
华中科技大学多谱信息处理技术国家级重点实验室
出处
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
2014年第6期25-29,共5页
文摘
在太空辐射环境中,总剂量辐射(Total Ionizing Dose,TID)效应和单粒子闩锁(Single Event Latch,SEL)效应严重影响存储器的可靠性.由此讨论了存储单元TID效应和SEL效应的原理,探讨了基于电路的加固技术(RHBD),设计了4种新的抗TID/SEL存储单元加固方案,并和现有几种方案进行对比,研究了这些加固方案的面积代价.研究结果表明,抗TID/SEL RHBD方案普遍会使存储单元的版图面积增加87.5%以上.提出了一种加固方案,可以在加固性能和面积代价上得到较好的折衷.
关键词
总剂量效应(TID)
单
粒子
闩
锁
(
sel
)
辐射加固设计
面积代价
Keywords
Total Ionizing Dose effect(TID)
Single Event Latch(
sel
)
Radiation Hardened by Design(RHBD)
Area Cost
分类号
TP333 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
一种抗辐射的低功耗14 bit 20MS/s流水线型ADC
被引量:
2
3
作者
周晓丹
刘涛
付东兵
李强
刘杰
郭刚
机构
电子科技大学电子科学与工程学院
重庆吉芯科技有限公司
中国科学院近代物理研究所
中国原子能科学研究院
出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2022年第7期570-576,共7页
文摘
基于0.35μm CMOS工艺设计实现了一款抗辐射模数转换器(ADC)。通过分析每级流水线分辨率对整体性能和功耗的影响,确定了2 bit/级的流水线结构;同时,针对宇航应用环境,分析了主要的辐射机理,并对ADC进行了抗辐射加固设计。测试结果显示,在2.5 V电源电压、20 MS/s转换速率以及奈奎斯特输入频率条件下,该ADC信噪比(SNR)达到69.9 dB,无杂散动态范围(SFDR)达到84.9 dBc,功耗为60.2 mW,面积为1.988 mm^(2)。在抗辐射性能方面,该ADC的抗稳态总剂量(TID)能力达到100 krad(Si),单粒子闩锁(SEL)阈值达到75 MeV·cm^(2)/mg,非常适用于轨道辐射环境中。
关键词
模数转换器(ADC)
流水线
低功耗
总剂量(TID)
单
粒子
闩
锁
(
sel
)
Keywords
analog-to-digital converter(ADC)
pipeline
low power dissipation
total ionizing dose(TID)
single event latchup(
sel
)
分类号
TN79 [电子电信—电路与系统]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
面向宇航应用的高性能多核处理器S698PM芯片的设计
被引量:
4
4
作者
颜军
蒋晓华
唐芳福
龚永红
颜志宇
黄小虎
机构
珠海欧比特控制工程股份有限公司
出处
《航天控制》
CSCD
北大核心
2016年第4期89-94,共6页
文摘
综述了面向宇航应用的SPARC架构嵌入式处理器芯片的发展历程及技术产品,介绍了新一代SPARC架构多核处理器SOC芯片(S698PM芯片)的设计,阐述了其在性能优化和可靠性优化方面的设计方法。S698PM芯片架构采用SMP对称多处理架构,配置四核高性能SPARC V8处理器,具备二级缓存控制,数据吞吐能力大;芯片具备丰富的片上外设及宇航总线接口;支持多款嵌入式实时操作系统(EOS)。
关键词
SPARC
V8处理器
四核SOC处理器
RISC处理器
SMP对称多处理架构
宇航抗辐照芯片
检错纠错(EDAC)
三模冗余(TMR)
总剂量(TID)
单
粒子
翻转(SEU)
单
粒子
栓
锁
(
sel
)
Keywords
SPARC V8
Quad-core SoC
RISC
SMP architecture
Rad - hardened processor
EDAC
TMR
SEU
TID
sel
分类号
TP332 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
VA140的单粒子闩锁试验研究
张云龙
崔兴柱
龚依民
彭文溪
王焕玉
张飞
樊瑞睿
梁晓华
高旻
龚珂
王钇心
杨彦佶
祝贵阳
刘彦良
祝晓龙
《核电子学与探测技术》
CAS
CSCD
北大核心
2014
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
存储单元抗TID/SEL电路加固技术面积代价研究
王文
桑红石
沈绪榜
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
2014
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
一种抗辐射的低功耗14 bit 20MS/s流水线型ADC
周晓丹
刘涛
付东兵
李强
刘杰
郭刚
《半导体技术》
CAS
北大核心
2022
2
在线阅读
下载PDF
职称材料
4
面向宇航应用的高性能多核处理器S698PM芯片的设计
颜军
蒋晓华
唐芳福
龚永红
颜志宇
黄小虎
《航天控制》
CSCD
北大核心
2016
4
在线阅读
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部