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深亚微米SRAM器件单粒子效应的脉冲激光辐照试验研究
被引量：
3
1
作者
上官士鹏
封国强
+1 位作者
马英起
韩建伟
《原子能科学技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第8期1019-1024,共6页
利用脉冲激光模拟试验装置对IDT公司0.13μm工艺IDT71V416SSRAM的单粒子效应进行了试验研究。在3.3V正常工作电压下,试验测量了单粒子翻转阈值和截面、单粒子闩锁阈值和闩锁电流及其与写入数据和工作状态的关系。单粒子翻转试验研究表明...
利用脉冲激光模拟试验装置对IDT公司0.13μm工艺IDT71V416SSRAM的单粒子效应进行了试验研究。在3.3V正常工作电压下,试验测量了单粒子翻转阈值和截面、单粒子闩锁阈值和闩锁电流及其与写入数据和工作状态的关系。单粒子翻转试验研究表明,该器件对翻转极敏感,测得的翻转阈值与重离子、质子试验结果符合较好;该器件对多位翻转较敏感,其中2位翻转占绝大部分且其所占比例随辐照激光能量增加而增大,这与重离子试验结果也一致。单粒子闩锁试验分析了闩锁效应的区域性特点,发现了器件闩锁电流呈微小增大的现象,即表现出单粒子微闩锁效应,分析了这种现象对传统的抗闩锁电路设计可能造成的影响。
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关键词
脉冲激光
单
粒子
翻转
效应
单
粒子
闩锁效应
单粒子微闩锁效应
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职称材料
题名
深亚微米SRAM器件单粒子效应的脉冲激光辐照试验研究
被引量：
3
1
作者
上官士鹏
封国强
马英起
韩建伟
机构
中国科学院空间科学与应用研究中心
中国科学院研究生院
出处
《原子能科学技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第8期1019-1024,共6页
基金
国家自然科学基金资助项目(40974113)
基础科研计划资助项目(A132110028)
文摘
利用脉冲激光模拟试验装置对IDT公司0.13μm工艺IDT71V416SSRAM的单粒子效应进行了试验研究。在3.3V正常工作电压下,试验测量了单粒子翻转阈值和截面、单粒子闩锁阈值和闩锁电流及其与写入数据和工作状态的关系。单粒子翻转试验研究表明,该器件对翻转极敏感,测得的翻转阈值与重离子、质子试验结果符合较好;该器件对多位翻转较敏感,其中2位翻转占绝大部分且其所占比例随辐照激光能量增加而增大,这与重离子试验结果也一致。单粒子闩锁试验分析了闩锁效应的区域性特点,发现了器件闩锁电流呈微小增大的现象,即表现出单粒子微闩锁效应,分析了这种现象对传统的抗闩锁电路设计可能造成的影响。
关键词
脉冲激光
单
粒子
翻转
效应
单
粒子
闩锁效应
单粒子微闩锁效应
Keywords
pulsed laser
single event upset
single event latchup
micro single event latchup
分类号
TN4 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
深亚微米SRAM器件单粒子效应的脉冲激光辐照试验研究
上官士鹏
封国强
马英起
韩建伟
《原子能科学技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012
3
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