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基于微分平坦理论的双有源桥式变换器的单移相控制 被引量:10
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作者 宋平岗 钟润金 谭景辉 《电测与仪表》 北大核心 2019年第11期115-121,共7页
针对双有源桥式(Dual Active Bridge,DAB)变换器系统受到扰动时动态响应速度慢,基于微分平坦理论,结合单移相控制,提出了一种平坦控制策略。设计DAB变换器平坦控制系统,包括前馈控制和非线性误差反馈控制两部分:前馈控制利用期望输出来... 针对双有源桥式(Dual Active Bridge,DAB)变换器系统受到扰动时动态响应速度慢,基于微分平坦理论,结合单移相控制,提出了一种平坦控制策略。设计DAB变换器平坦控制系统,包括前馈控制和非线性误差反馈控制两部分:前馈控制利用期望输出来规划状态变量轨迹;非线性误差反馈对平坦输出进行校正,消除误差。证明了平坦控制的稳定性,最后在仿真平台上分别对DAB变换器平坦控制和PI控制进行仿真,结果表明:在DAB变换器输出电压给定值改变、输入电压波动以及负载突变时,平坦控制策略下DAB系统可以更快达到输出稳定,系统具有更好的动态性能。 展开更多
关键词 双有源全桥变换器 微分平坦理论 前馈控制 误差反馈控制 单移相控制
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考虑模块输入阻抗影响的ISOP-DAB变换器系统输入均压控制策略 被引量:1
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作者 李善寿 夏虎 +2 位作者 方潜生 叶伟 王浩 《电力自动化设备》 北大核心 2025年第3期124-130,154,共8页
针对输入串联输出并联双有源全桥(ISOP-DAB)直流变换器系统的子模块元器件参数不一致所导致的输出功率不均分问题,提出一种基于输入阻抗的ISOP-DAB直流变换器系统输入均压控制策略。通过改进传统单移相控制方法,得到一种能够减小回流功... 针对输入串联输出并联双有源全桥(ISOP-DAB)直流变换器系统的子模块元器件参数不一致所导致的输出功率不均分问题,提出一种基于输入阻抗的ISOP-DAB直流变换器系统输入均压控制策略。通过改进传统单移相控制方法,得到一种能够减小回流功率的新型单移相(NSPS)控制方法;进一步,基于NSPS分析ISOP-DAB直流变换器系统的输入电压均分、输出功率均分与各模块输入阻抗之间的关系,通过调节NSPS的内移相比,使各模块输入阻抗幅值相等,实现系统输入电压均分以及模块输出功率相等,同时减小双有源全桥变换器的回流功率,提高系统工作功率。通过仿真和实验验证了所提控制策略的正确性和有效性。 展开更多
关键词 双有源全桥变换器 单移相控制 输入串联输出并联 输入电压均分 输出功率均分
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双向全桥DC-DC变换器单移相闭环控制研究 被引量:7
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作者 杨小康 李鹤群 +1 位作者 高巧梅 程红 《工矿自动化》 北大核心 2014年第4期63-67,共5页
针对基于传统单移相控制的双向全桥DC-DC变换器存在效率低的问题,提出了一种基于单移相闭环控制的双向全桥DC-DC变换器设计方案;分析了双向全桥DC-DC变换器稳态特性,详细介绍了基于单移相闭环控制的双向全桥DC-DC变换器的建模实现。仿... 针对基于传统单移相控制的双向全桥DC-DC变换器存在效率低的问题,提出了一种基于单移相闭环控制的双向全桥DC-DC变换器设计方案;分析了双向全桥DC-DC变换器稳态特性,详细介绍了基于单移相闭环控制的双向全桥DC-DC变换器的建模实现。仿真与实验结果表明,基于单移相闭环控制的双向全桥DC-DC变换器效率高、损耗小。 展开更多
关键词 双向全桥DC—DC变换器 单移相控制 闭环控制 软开关 回流功率
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单移相输入串联输出并联的功率预测控制 被引量:2
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作者 赵一佳 王允建 +1 位作者 王要东 张伟 《浙江大学学报(工学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第1期160-168,共9页
针对直流变换器在交直流微网应用中输入电压脉动或负载变动情况下的动态性能较差和鲁棒性能较低的问题,选择由双有源全桥构成输入串联输出并联(ISOP)结构变换器为研究对象,提出基于功率均分的功率预测控制方法.采用单移相控制思想,通过... 针对直流变换器在交直流微网应用中输入电压脉动或负载变动情况下的动态性能较差和鲁棒性能较低的问题,选择由双有源全桥构成输入串联输出并联(ISOP)结构变换器为研究对象,提出基于功率均分的功率预测控制方法.采用单移相控制思想,通过分析ISOP功率控制原理,建立ISOP控制模型,对功率进行预测并构建评价函数以对移相量进行优化.相比于传统电压闭环控制,该方法在输入电压和负载发生变化时,显著地提高系统动态响应速度,增强系统抗干扰能力并保证各模块功率均衡.搭建两单元ISOP系统的MATLAB仿真模型及RTLAB半实物实验平台,仿真和实验结果验证了该方法的正确性与有效性. 展开更多
关键词 输入串联输出并联(ISOP) 双有源全桥 功率预测控制 单移相控制 动态响应
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双有源桥DC-DC变换器虚拟直接功率控制策略 被引量:9
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作者 宋平岗 朱维昌 《电测与仪表》 北大核心 2018年第5期125-131,共7页
动态响应特性是双有源桥(Dual Active Bridge,DAB)DC-DC变换器的一个关键指标。为了提高DAB DC-DC变换器在系统发生扰动时的动态响应速度,在单移相控制的基础上,结合直接功率前馈控制(Direct Power Feed-Forward Control,DPFFC)策略,提... 动态响应特性是双有源桥(Dual Active Bridge,DAB)DC-DC变换器的一个关键指标。为了提高DAB DC-DC变换器在系统发生扰动时的动态响应速度,在单移相控制的基础上,结合直接功率前馈控制(Direct Power Feed-Forward Control,DPFFC)策略,提出了一种虚拟直接功率控制(Virtual Direct Power Control,VDPC)策略,并建立了VDPC策略下系统发生扰动时的小信号模型,该控制方法无电感、无变压器变比等电路参数参与控制,提高了控制方法的兼容性。最后,在Matlab/Simulink仿真平台上,对虚拟直接功率控制和直接功率前馈控制进行了对比仿真,仿真结果表明:在DAB DC-DC变换器输入电压和负载发生扰动时,虚拟直接功率控制方法具有更快的动态响应性能,且能保证输出电压基本不变。 展开更多
关键词 动态响应 双有源桥DC-DC变换器 单移相控制 直接功率前馈控制 虚拟直接功率控制
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基于IGCT串并联的大容量直流变压器设计 被引量:1
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作者 陆翌 马已青 +3 位作者 陈骞 张雪垠 裘鹏 赵彪 《高电压技术》 CSCD 北大核心 2024年第12期5449-5456,I0004,共9页
直流变压器(DC transformer,DCT)是可再生能源直流汇集的关键设备。双主动桥(dualactive bridge,DAB)具有双向功率流通特性,可满足海上风电直流汇集等应用需求。面向兆瓦级DCT,基于DAB,该文提出了一种基于集成门极换流晶闸管(integrated... 直流变压器(DC transformer,DCT)是可再生能源直流汇集的关键设备。双主动桥(dualactive bridge,DAB)具有双向功率流通特性,可满足海上风电直流汇集等应用需求。面向兆瓦级DCT,基于DAB,该文提出了一种基于集成门极换流晶闸管(integrated gate-commutated thyristor,IGCT)的直流变压器(DC transformer based on IGCT,IGCT-DCT)。首先分析了兆瓦级DCT的频率选择;然后综合考虑关断延时、损耗限制以及驱动误差时间,详细分析了均压条件与均流条件,设计了均压RC电路与均流磁环,并且给出了均压电阻、均压电容以及差模电感的计算方法;最后,搭建了一台10 kV/1.5 kV/3 MW的IGCT-DCT样机,验证了所提方案的可行性和理论分析的正确性。所提IGCT-DCT高压侧采用IGCT器件串联技术,低压侧采用IGCT桥臂并联技术,显著提升了DCT单机容量及功率密度;通过单移相控制,可实现IGCT在大功率下的零电压开通,降低了系统损耗。 展开更多
关键词 大容量直流变压器 IGCT-DCT DAB 单移相控制 零电压开通
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双有源桥轻载下的软开关研究 被引量:17
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作者 侯川川 仇志丽 刘建华 《电力系统保护与控制》 EI CSCD 北大核心 2017年第8期23-29,共7页
通过分析双有源桥单移相控制下的软开关实现条件,得出电压不匹配时在双有源桥轻载范围内不能实现软开关。为此在单移相控制基础上引入单PWM控制,并从理论上分析了轻载时软开关的实现条件,分析表明单PWM控制可以扩大软开关的实现范围,但... 通过分析双有源桥单移相控制下的软开关实现条件,得出电压不匹配时在双有源桥轻载范围内不能实现软开关。为此在单移相控制基础上引入单PWM控制,并从理论上分析了轻载时软开关的实现条件,分析表明单PWM控制可以扩大软开关的实现范围,但在零输出功率附近仍然存在盲区。进一步提出双PWM控制,推导得出当双有源桥接近零输出功率时双PWM控制能够实现软开关。最后利用实验平台对轻载情况下的软开关进行分析研究,结果表明与单移相控制相比PWM控制实现软开关的范围增加。 展开更多
关键词 双有源桥 软开关 单移相控制 轻载 PWM控制
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串联谐振型双有源桥变换器的软开关特性研究 被引量:4
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作者 吴俊娟 李玉慈 +2 位作者 张震 文平辉 孙孝峰 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第11期3005-3011,共7页
基于传统单移相控制的串联谐振型双有源桥变换器在宽电压增益下的零电压开关(ZVS)工作范围较窄,为了扩展软开关范围,该文采用双重移相控制。分析双重移相控制下的串联谐振型双有源桥变换器的工作原理和稳态特性;详细分析移相角区域选择... 基于传统单移相控制的串联谐振型双有源桥变换器在宽电压增益下的零电压开关(ZVS)工作范围较窄,为了扩展软开关范围,该文采用双重移相控制。分析双重移相控制下的串联谐振型双有源桥变换器的工作原理和稳态特性;详细分析移相角区域选择对软开关条件难易程度的影响;并对ZVS特性进行深入分析,得出由输出功率标幺值与电压增益决定的ZVS软开关范围。研究表明当电压增益和负载宽范围变化时,双重移相控制可明显扩大软开关工作范围。实验验证双重移相控制在宽电压增益时的软开关优越性。 展开更多
关键词 双有源桥变换器 串联谐振 单移相控制 双重移相控制 ZVS
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基于GaN HEMT的双向DC-DC变换器系统损耗分析 被引量:5
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作者 高圣伟 祁树岭 +2 位作者 孙醒涛 贺琛 董晨名 《天津工业大学学报》 CAS 北大核心 2020年第2期61-68,共8页
为减小氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)的全桥双向DC-DC变换器(DAB)系统损耗模型与实际运行损耗所存在的偏差,考虑GaN HEMT中寄生参数对DAB系统动态开关过程的影响,建立了精细化DAB系统损耗模型;在单移相控制(SPS)工作模式下,分析了... 为减小氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)的全桥双向DC-DC变换器(DAB)系统损耗模型与实际运行损耗所存在的偏差,考虑GaN HEMT中寄生参数对DAB系统动态开关过程的影响,建立了精细化DAB系统损耗模型;在单移相控制(SPS)工作模式下,分析了GaN HEMT的开关损耗、通态损耗、隔离变压器以及电感损耗,给出了不同工作阶段GaN HEMT的通态损耗、变压器的铜损耗和铁损耗的计算方法;搭建了DAB系统损耗模型仿真系统。实验结果表明:所建立的精细化损耗模型较实验损耗仅差约0.71%,可用于系统实际损耗的分析。 展开更多
关键词 全桥双向DC-DC变换器 氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT) 寄生参数 单移相控制 损耗分析
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基于GaN全桥LLC谐振变换器交错并联系统的损耗分析 被引量:2
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作者 高圣伟 贺琛 +1 位作者 刘赫 董晨名 《天津工业大学学报》 CAS 北大核心 2021年第2期52-63,共12页
为提高全桥LLC谐振变换器交错并联(FBLLC-SP)系统的效率,且使其理论损耗与实际运行损耗更贴近,对比Cascode型GaN HEMT向系统引入单体增强型GaN HEMT,并将其寄生参数引入到损耗模型中,建立了一种适用于单移相(SPS)开环控制和三移相(TPS)... 为提高全桥LLC谐振变换器交错并联(FBLLC-SP)系统的效率,且使其理论损耗与实际运行损耗更贴近,对比Cascode型GaN HEMT向系统引入单体增强型GaN HEMT,并将其寄生参数引入到损耗模型中,建立了一种适用于单移相(SPS)开环控制和三移相(TPS)双闭环控制的FBLLC-SP系统精准损耗模型;给出最佳死区时间计算方法,并分析了FBLLC-SP系统在单移相(SPS)开环控制下的理论损耗,提出了不同模态GaN HEMT的暂态损耗和各种通态损耗的精准计算方法;搭建了FBLLC-SP系统损耗模型仿真系统。实验结果表明:本文损耗模型的损耗值比系统实际运行损耗最多高约0.6%,说明本文建立的精细化损耗模型可用于分析系统的实际运行损耗。 展开更多
关键词 单体增强型GaN HEMT 交错并联全桥LLC谐振变换器 寄生参数 单移相控制 三移相控制 损耗分析
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宽输出电压双有源桥变换器最小电流应力的磁性元件参数设计方法 被引量:4
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作者 张宏伟 刘增 +1 位作者 宋英 刘进军 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2022年第23期8675-8685,共11页
双有源桥(dual active bridge,DAB)变换器在宽输出电压工况下电流应力急剧升高,导致开关器件成本增加、寿命降低,针对此问题,该文提出一种磁性元件参数设计方法以降低并最小化电流应力。首先,综合考虑影响电流应力的所有关键因素,建立... 双有源桥(dual active bridge,DAB)变换器在宽输出电压工况下电流应力急剧升高,导致开关器件成本增加、寿命降低,针对此问题,该文提出一种磁性元件参数设计方法以降低并最小化电流应力。首先,综合考虑影响电流应力的所有关键因素,建立电流应力的数学模型,并结合单移相控制构建峰值电流的三维曲面,所提三维曲面能够全面准确地反映不同磁性元件参数对应的电流应力,便于直观地选取不同宽输出电压工况下最小电流应力的磁性元件参数,相较遍历法减少重复计算,并提高参数选取的准确性;然后,详细描述不同宽输出电压工况下最小电流应力的磁性元件参数选取方法。最后,搭建DAB变换器的实验平台,实验验证所提方法的正确性和有效性。 展开更多
关键词 双有源桥变换器 宽输出电压工况 电流应力 磁性元件参数 单移相控制
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