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低矫顽力GMR磁传感器及其单畴模型的研究
被引量：
2
1
作者
刘鹏
李伟
+2 位作者
叶双莉
任天令
刘理天
《微纳电子技术》
CAS
2007年第7期216-218,共3页
在硅片上制备结构为Ta/NiFeCr/NiFe/CoFe/Cu/CoFe/IrMn/Ta的IrMn顶钉扎自旋阀薄膜,并最终制成了一组基于此自旋阀结构的GMR磁传感器芯片。利用弱磁场下的退火工艺,改变薄膜易磁化轴的方向,当退火温度为150℃、外加磁场为120Oe时,GMR芯...
在硅片上制备结构为Ta/NiFeCr/NiFe/CoFe/Cu/CoFe/IrMn/Ta的IrMn顶钉扎自旋阀薄膜,并最终制成了一组基于此自旋阀结构的GMR磁传感器芯片。利用弱磁场下的退火工艺,改变薄膜易磁化轴的方向,当退火温度为150℃、外加磁场为120Oe时,GMR芯片的矫顽力可以降至0.2Oe以下。同时建立了一种自旋阀自由层的单畴模型,用以解释这一退火效应。利用Mat-lab计算GMR芯片的Meff-H曲线,所得到的计算结果与实验结果一致。所以,自旋阀自由层易磁化轴的方向与GMR磁传感器的性能有着密切的关系。
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关键词
巨磁电阻传感器
自旋阀
矫顽力
退火
单畴模型
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职称材料
题名
低矫顽力GMR磁传感器及其单畴模型的研究
被引量：
2
1
作者
刘鹏
李伟
叶双莉
任天令
刘理天
机构
清华大学微电子学研究所
出处
《微纳电子技术》
CAS
2007年第7期216-218,共3页
文摘
在硅片上制备结构为Ta/NiFeCr/NiFe/CoFe/Cu/CoFe/IrMn/Ta的IrMn顶钉扎自旋阀薄膜,并最终制成了一组基于此自旋阀结构的GMR磁传感器芯片。利用弱磁场下的退火工艺,改变薄膜易磁化轴的方向,当退火温度为150℃、外加磁场为120Oe时,GMR芯片的矫顽力可以降至0.2Oe以下。同时建立了一种自旋阀自由层的单畴模型,用以解释这一退火效应。利用Mat-lab计算GMR芯片的Meff-H曲线,所得到的计算结果与实验结果一致。所以,自旋阀自由层易磁化轴的方向与GMR磁传感器的性能有着密切的关系。
关键词
巨磁电阻传感器
自旋阀
矫顽力
退火
单畴模型
Keywords
GMR sensor
spin valve
coercivity
annealing
single domain model
分类号
TP212.13 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
低矫顽力GMR磁传感器及其单畴模型的研究
刘鹏
李伟
叶双莉
任天令
刘理天
《微纳电子技术》
CAS
2007
2
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