研究了单电子晶体管 ( Single electron transistor,SET) I-V特性的一种简化分析方法 ,在此基础上设计了 SET积分器 ,并阐述了该积分器的工作条件、结构、性能、参数和特点。仿真结果表明 ,该积分器的传输特性与采用其它两种方法描述 SE...研究了单电子晶体管 ( Single electron transistor,SET) I-V特性的一种简化分析方法 ,在此基础上设计了 SET积分器 ,并阐述了该积分器的工作条件、结构、性能、参数和特点。仿真结果表明 ,该积分器的传输特性与采用其它两种方法描述 SET I-V特性所构成的积分器传输特性有着良好的一致性。文中所提出的简化分析方法同样适用于 SET在其它模拟和逻辑电路中的应用。展开更多
文摘研究了单电子晶体管 ( Single electron transistor,SET) I-V特性的一种简化分析方法 ,在此基础上设计了 SET积分器 ,并阐述了该积分器的工作条件、结构、性能、参数和特点。仿真结果表明 ,该积分器的传输特性与采用其它两种方法描述 SET I-V特性所构成的积分器传输特性有着良好的一致性。文中所提出的简化分析方法同样适用于 SET在其它模拟和逻辑电路中的应用。
