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太空设备用单片集成电路筛选方案研究
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作者 武荣荣 任翔 +2 位作者 曹阳 庞明奇 刘净月 《现代电子技术》 北大核心 2024年第10期101-106,共6页
随着太空研究进程不断加速,空天优势已经成为现代竞争中取胜的重要环节。如果偶然失效或者有质量隐患的元器件上装应用,会导致太空设备整机早期故障率大大增加。装备对太空设备用元器件的质量与可靠性提出了战略需求。文中基于太空设备... 随着太空研究进程不断加速,空天优势已经成为现代竞争中取胜的重要环节。如果偶然失效或者有质量隐患的元器件上装应用,会导致太空设备整机早期故障率大大增加。装备对太空设备用元器件的质量与可靠性提出了战略需求。文中基于太空设备的典型应用环境,在充分调研国内外元器件标准体系及质量控制模式的基础上,利用FMEA技术分析元器件的敏感因素。基于薄弱环节建立分级分类的筛选方案,支撑太空设备用元器件可靠性保证工作,避免早期失效或有质量隐患的元器件上装应用,满足太空设备对元器件质量、成本及研制周期的要求,助力空天装备快速、高质量和可持续发展。 展开更多
关键词 太空设备 单片集成电路 元器件 可靠性评价 FMEA技术 温度传感器
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Ku波段微波单片集成电路6位数字衰减器设计 被引量:4
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作者 周守利 张景乐 +2 位作者 吴建敏 周赡成 程元飞 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第12期30-34,共5页
基于GaAs 0.25μm增强/耗尽型(E/D)赝配高电子迁移率晶体管(pHEMT)工艺,研制了一款Ku波段6位数字衰减器微波单片集成电路(MMIC)。该6位数字衰减器由6个基本衰减位级联组成,可实现最大衰减量为31.5 dB、步进为0.5 dB的衰减量控制。采用... 基于GaAs 0.25μm增强/耗尽型(E/D)赝配高电子迁移率晶体管(pHEMT)工艺,研制了一款Ku波段6位数字衰减器微波单片集成电路(MMIC)。该6位数字衰减器由6个基本衰减位级联组成,可实现最大衰减量为31.5 dB、步进为0.5 dB的衰减量控制。采用简化的T型衰减结构,实现了0.5 dB和1 dB的衰减位。16 dB衰减位采用开关型衰减拓扑,在提高衰减平坦度的同时,有效降低其附加相移。测试结果表明,在12~18 GHz的频率内,数字衰减器衰减64态均方根误差(RMS)小于0.25 dB,附加相移为-0.5°^+9.5°,插入损耗小于4.9 dB,输入输出驻波比均小于1.5∶1。芯片尺寸为3.00 mm×0.75 mm。该芯片电路具有宽频带、高衰减精度、小尺寸的特点,主要用于微波相控阵收发组件、无线通讯等领域。 展开更多
关键词 KU波段 砷化镓 数字衰减器 高衰减精度 微波单片集成电路
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微波单片集成电路常用结构的时域分析 被引量:1
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作者 戚颂新 杨铨让 薛建辉 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第5期112-114,共3页
本文通过多项式近似导出了一种可变网格的时域有限差分算法,其空间网格能沿任意轴向变化,而且具有高阶离散精度,从而节省了机时,提高了计算精度,并首次应用于微波单片集成电路(MMIC)常用结构的定模分析,具体研究了空气桥、... 本文通过多项式近似导出了一种可变网格的时域有限差分算法,其空间网格能沿任意轴向变化,而且具有高阶离散精度,从而节省了机时,提高了计算精度,并首次应用于微波单片集成电路(MMIC)常用结构的定模分析,具体研究了空气桥、通孔接地对电路性能的影响,其结果与有关文献相一致,验证了算法的正确性和有效性。 展开更多
关键词 时域 单片集成电路 空气桥 非均匀网络 微波
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DC~35GHz超宽带单刀四掷开关单片集成电路 被引量:5
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作者 谭超 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第8期576-580,共5页
设计了一款工作频率为DC~35 GHz的超宽带单刀四掷开关单片集成电路,其单片电路内部集成了驱动2∶4译码器。通过ADS软件对多种开关电路拓扑进行优化,设计出了一种合理的开关结构。采用先进的E/D PHEMT工艺进行版图设计并进行了版图电磁... 设计了一款工作频率为DC~35 GHz的超宽带单刀四掷开关单片集成电路,其单片电路内部集成了驱动2∶4译码器。通过ADS软件对多种开关电路拓扑进行优化,设计出了一种合理的开关结构。采用先进的E/D PHEMT工艺进行版图设计并进行了版图电磁场仿真验证,在GaAs PHEMT工艺线上进行了流片,对制作的芯片进行了在片测试,测试结果表明,在DC~35 GHz频率范围内,单刀四掷单片开关的插入损耗(IL)小于3.5 dB,隔离度大于30 dB,回波损耗小于-10 dB,易于控制,满足设计要求,在微波电路T/R组件中有很好的应用前景。目前未见同类超宽带单刀四掷单片开关的相关报道。 展开更多
关键词 超宽带 刀四掷(SP4T) 单片集成电路(MMIC) 2译码器 砷化镓
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中国电子科技集团公司研制出石墨烯低噪声放大器单片集成电路
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作者 蔚翠 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第8期624-624,共1页
日前,中国电子科技集团公司第十三研究所在石墨烯射频领域取得里程碑式的成果,在石墨烯放大器单片电路设计和电路关键工艺上取得突破,成功研制出石墨烯低噪声放大器单片集成电路(成果发表于IEEE Electron Dev.Lett.,37,2016)。该电路... 日前,中国电子科技集团公司第十三研究所在石墨烯射频领域取得里程碑式的成果,在石墨烯放大器单片电路设计和电路关键工艺上取得突破,成功研制出石墨烯低噪声放大器单片集成电路(成果发表于IEEE Electron Dev.Lett.,37,2016)。该电路工作于Ku波段,中心频率14.3 GHz,最大增益为3.4 d B,最小噪声系数为6.2 d B。此项工作对加速推动石墨烯在射频领域的应用具有里程碑式的意义。 展开更多
关键词 石墨烯 低噪声放大器 单片集成电路 噪声系数 ELECTRON 电路工作 电路设计 国际领先地位
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中国电子科技集团公司研制出石墨烯低噪声放大器单片集成电路
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作者 蔚翠 《半导体技术》 CSCD 北大核心 2016年第11期835-835,共1页
日前,中国电子科技集团公司第十三研究所在石墨烯射频领域取得里程碑式的成果,在石墨烯放大器单片电路设计和电路关键工艺上取得突破,成功研制出石墨烯低噪声放大器单片集成电路(成果发表于IEEE Electron Dev.Lett.,37,2016)。该电路... 日前,中国电子科技集团公司第十三研究所在石墨烯射频领域取得里程碑式的成果,在石墨烯放大器单片电路设计和电路关键工艺上取得突破,成功研制出石墨烯低噪声放大器单片集成电路(成果发表于IEEE Electron Dev.Lett.,37,2016)。该电路工作于Ku波段,中心频率14.3 GHz,最大增益为3.4 d B,最小噪声系数为6.2 d B。 展开更多
关键词 中国电子科技集团公司 单片集成电路 低噪声放大器 石墨 关键工艺 电路设计 IEEE KU波段
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国内外微波毫米波单片集成电路的现状和发展趋势 被引量:5
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作者 刘自明 李淑芳 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1992年第3期8-23,共16页
本文综述了美国、日本及西欧等国在微波、毫米波单片集成电路MMIC方面的研究现状及发展趋势;指出我国MMIC研制情况与差距,并提出了开发建议。
关键词 微波 集成电路 单片集成电路
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毫米波PHEMT功率单片集成电路研究 被引量:1
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作者 刘晨晖 张穆义 高学邦 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第3期194-198,共5页
介绍了膺配高电子迁移率材料结构和8mm PHEMT功率器件;利用窄脉冲高速Ⅰ-Ⅴ CAT系统测量系统,建立了8mm功率PHEMT非线性模型;应用设计软件来模拟和优化毫米波功率MMIC;通过解决研制过程中各关键工艺技术,使8mm功率PHEMT单片集成电路的... 介绍了膺配高电子迁移率材料结构和8mm PHEMT功率器件;利用窄脉冲高速Ⅰ-Ⅴ CAT系统测量系统,建立了8mm功率PHEMT非线性模型;应用设计软件来模拟和优化毫米波功率MMIC;通过解决研制过程中各关键工艺技术,使8mm功率PHEMT单片集成电路的投片一次成功,并给出了测得的功率单片集成电路性能为33-34GHz,Po>100mW。 展开更多
关键词 毫米波 膺配高电子迁移率晶体管 功率 单片集成电路
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Si基微波单片集成电路的发展 被引量:1
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作者 杨建军 刘英坤 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第3期205-208,281,共5页
随着半导体制造技术和材料技术的进步,Si基微波单片集成电路逐渐向高频、高线性、低噪声、低成本方向发展。介绍了近年国内外在Si基微波单片集成电路在制造工艺、电路结构和制作材料上的革新,阐述了三维Si微波单片集成电路技术、隔离槽... 随着半导体制造技术和材料技术的进步,Si基微波单片集成电路逐渐向高频、高线性、低噪声、低成本方向发展。介绍了近年国内外在Si基微波单片集成电路在制造工艺、电路结构和制作材料上的革新,阐述了三维Si微波单片集成电路技术、隔离槽技术、Si高阻衬底技术、SiGe技术等对Si基微波单片集成电路发展的影响,并列举了一些典型的应用。最后展望了Si基微波单片集成电路的发展前景。 展开更多
关键词 硅基微波单片集成电路 三维 隔离槽 硅高阻硅衬底 锗硅
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国产GaAs微波单片集成电路的氢中毒效应 被引量:1
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作者 丁有源 黄杰 席善斌 《半导体技术》 CAS 北大核心 2020年第12期976-981,共6页
对基于GaAs异质结外延材料、0.15μm PHEMT工艺制造的国产低噪声放大器(LNA)和驱动放大器(DA)各3种型号的GaAs微波单片集成电路(MMIC)进行了温度为150℃、H2体积分数为2%、时间为100 h的氢气氛暴露试验。试验结果表明,低噪声放大器和驱... 对基于GaAs异质结外延材料、0.15μm PHEMT工艺制造的国产低噪声放大器(LNA)和驱动放大器(DA)各3种型号的GaAs微波单片集成电路(MMIC)进行了温度为150℃、H2体积分数为2%、时间为100 h的氢气氛暴露试验。试验结果表明,低噪声放大器和驱动放大器对氢气氛较为敏感,试验后线性增益、1 dB压缩点输出功率和驱动电流均发生了不同程度的退化,表现出氢中毒效应。在试验过程中,一种型号的低噪声放大器的驱动电流表现出先小幅度波动后快速下降,最终稳定基本不再变化的趋势。对GaAs MMIC发生氢中毒的作用机理进行了详细地探讨和分析,认为H原子引起载流子浓度的减少和肖特基肖势垒高度的改变是导致参数退化的主要原因。最后,给出了几种降低电路因氢气氛暴露所引起的可靠性风险的方法。 展开更多
关键词 GaAs 微波单片集成电路(MMIC) 低噪声放大器(LNA) 驱动放大器(DA) 氢中毒 可靠性
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高性能GaAs微波单片集成电路负阻压控带通有源滤波器
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作者 田彤 罗晋生 吴顺君 《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第8期46-50,共5页
在前期对GaAs微波单片集成电路负阻压控带通有源滤波器进行理论及实验研究的基础上 ,针对国内工艺技术的特点 ,提出了提高其性能的电路结构及其设计技术 .该设计采用宽带放大器级联负阻压控带通有源滤波器 ,在输入端设计π型宽带匹配电... 在前期对GaAs微波单片集成电路负阻压控带通有源滤波器进行理论及实验研究的基础上 ,针对国内工艺技术的特点 ,提出了提高其性能的电路结构及其设计技术 .该设计采用宽带放大器级联负阻压控带通有源滤波器 ,在输入端设计π型宽带匹配电路 ,并采用经实验验证和优化设计的平面压控变容管 .模拟结果表明 ,该压控带通滤波器性能优越 ,有 1 0dB以上插入增益 ,通带宽度约 30MHz ,调频范围宽约 4 0 0MHz ,工作于 1 .4 4~ 1 .82GHz. 展开更多
关键词 负阻 压控 有源滤波器 微波单片集成电路 砷化镓
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单片集成电路高台面联线
12
作者 黄文英 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1997年第2期46-46,63,共2页
介绍了GaAsMMIC高台面刻蚀制备工艺方法,解决了高低台面联线问题,提高了单片集成电路性能。
关键词 单片集成电路 高台面刻蚀 光刻 联线
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Ku波段低相噪推-推式VCO单片集成电路
13
作者 汪江涛 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第6期433-436,共4页
基于InGaP-GaAs HBT工艺设计了一款Ku波段推-推式压控振荡器(VCO)微波单片集成电路(MMIC)。采用改进的虚地反馈法对基本振荡单元的奇偶模进行了分析,用谐波平衡法对相位噪声和输出功率进行了优化设计。用ADS软件完成了原理图和电磁场仿... 基于InGaP-GaAs HBT工艺设计了一款Ku波段推-推式压控振荡器(VCO)微波单片集成电路(MMIC)。采用改进的虚地反馈法对基本振荡单元的奇偶模进行了分析,用谐波平衡法对相位噪声和输出功率进行了优化设计。用ADS软件完成了原理图和电磁场仿真,用Candence Virtuoso完成了版图设计。此VCO MMIC频率覆盖14.5~15 GHz,在2.2 mm×1.2 mm的面积内集成了变容二极管、谐振电路、负阻产生电路,具有体积小、成本低、相位噪声低等特点。在4.2 V单电源电压下,其静态电流为150 mA,典型输出功率为10 dBm,频偏为100 kHz时的单边带相位噪声为-105 dBc/Hz。 展开更多
关键词 推-推式压控搌荡器 奇偶模 微波单片集成电路 相位噪声 S参数
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微波和毫米波单片集成电路(MIMIC)计划的追溯
14
作者 艾略特·科恩 《微波学报》 CSCD 北大核心 2013年第2期I0049-I0060,共12页
自美国国防部(DoD)微波和毫水波单片集成电路(microwave and millimeter—wave monolithic integrated circuits—MIMIC)计划开始至今,已经过去了四分之一个世纪。
关键词 毫米波单片集成电路 MIMIC 微波 integrated 美国国防部 WAVE DOD
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单片集成电路实现大功率开关稳压控制
15
作者 陈本竹 《电讯技术》 北大核心 1992年第4期48-53,共6页
脉冲宽度调制开关稳压集成电路TL494应用在大功率开关稳压器中,可以实现斩波和变换器等多种型式的调压及稳压电路的简化设计,本文介绍了这两种应用。
关键词 单片集成电路 大功率开关稳压器 脉宽调制稳压器
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宽带低噪声放大器单片微波集成电路 被引量:5
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作者 戴剑 要志宏 +2 位作者 赵瑞华 宋学峰 刘帅 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第4期259-263,共5页
从行波放大器设计理论出发,研制了一款基于低噪声GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺设计的2~20GHz单片微波集成电路(MMIC)宽带低噪声放大器。该款放大器由九级电路构成。为了进一步提高放大器的增益,采用了一个共源场效应... 从行波放大器设计理论出发,研制了一款基于低噪声GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺设计的2~20GHz单片微波集成电路(MMIC)宽带低噪声放大器。该款放大器由九级电路构成。为了进一步提高放大器的增益,采用了一个共源场效应管和一个共栅场效应管级联的拓扑结构,每级放大器采用自偏压技术实现单电源供电。测试结果表明,本款低噪声放大器在外加+5V工作电压下,能够在2~20GHz频率内实现小信号增益大于16dB,增益平坦度小于士0.5dB,输出P-1dB大于14dBm,噪声系数典型值为2.5dB,输入和输出回波损耗均小于-15dB,工作电流仅为63mA,低噪声放大器芯片面积为3.1mm×1.3mm。 展开更多
关键词 砷化镓赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT) 微波集成电路(MMIC) 低噪 声放大器 宽带 行波
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节约能源 从“芯”开始——IR2166新型单片荧光灯照明控制集成电路
17
作者 卢玥光 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2002年第9期63-63,共1页
假如有一天,当能源耗竭,黑暗包围着我们,伸手不见五指,生活失去了原有的色彩……人们大声疾呼:光明,请节约能耗!节能已成为全球性的问题,节约电能、保护环境成为光源及其附件今后发展的方向。1991年美国环保局提出了绿色照明和绿色照... 假如有一天,当能源耗竭,黑暗包围着我们,伸手不见五指,生活失去了原有的色彩……人们大声疾呼:光明,请节约能耗!节能已成为全球性的问题,节约电能、保护环境成为光源及其附件今后发展的方向。1991年美国环保局提出了绿色照明和绿色照明计划,也得到了世界各国的关注。欧洲也已通过立法禁止2005年以后使用电感型镇流器,我国也在逐步推行电子镇流器的使用。 展开更多
关键词 IR2166 荧光灯 照明控制 单片集成电路
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SiGe/Si HBT及其单片微波集成电路的研究
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作者 魏欢 陈建新 +6 位作者 邹德恕 徐晨 杜金玉 韩金茹 董欣 周静 沈光地 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2000年第4期31-35,共5页
SiGe/SiHBT作为单片微波集成电路中的有源元件,在截止频率、增益、噪声等方面相对于GaAs器件有很大的优势。本文结合本单位在SiGe材料和器件、电路等方面做过的工作,对实现SiGe单片微波集成电路的一些理论和技术要点作了阐述。
关键词 异质结双极晶体管 微波集成电路 锗化硅
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可变增益的功率放大器单片微波集成电路
19
作者 刁睿 赵瑞华 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第4期264-267,共4页
根据电压控制增益电路理论及放大器设计原理,设计制作了一种基于GaAs工艺的可变增益功率放大器单片微波集成电路(MMIC)。采用电路仿真ADS软件进行了原理图及版图仿真,研究了增益控制电路在放大器中的位置对性能的影响。最终实现了在... 根据电压控制增益电路理论及放大器设计原理,设计制作了一种基于GaAs工艺的可变增益功率放大器单片微波集成电路(MMIC)。采用电路仿真ADS软件进行了原理图及版图仿真,研究了增益控制电路在放大器中的位置对性能的影响。最终实现了在6~9GHz频率范围内,1dB压缩点输出功率大于33dBm,当控制电压在-1~0V之间变化时,放大器的增益在5~40dB之间变化,增益控制范围达到了35dB。将功率放大器与增益控制电路制作在同一个单片集成电路上,面积仅为3.5mm×2.3mm,具有灵活易用、集成度高和成本低的特点,可广泛应用于卫星通信和数字微波通信等领域。 展开更多
关键词 功率放大器 可变增益 微波集成电路(MMIC) ADS软件 砷化镓
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毫米波单片集成低噪声放大器电路
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作者 王闯 钱蓉 孙晓玮 《高技术通讯》 CAS CSCD 北大核心 2007年第1期11-14,共4页
基于0.25μm PHEMT(赝配高电子迁移率场效应晶体管)工艺,给出了一款毫米波MMIC(单片集成电路)低噪声放大器。放大器设计中采用了三级级联增加栅宽的电路结构,通过前级源极反馈电感的恰当选取获得了较好的输入驻波比和较低的噪声... 基于0.25μm PHEMT(赝配高电子迁移率场效应晶体管)工艺,给出了一款毫米波MMIC(单片集成电路)低噪声放大器。放大器设计中采用了三级级联增加栅宽的电路结构,通过前级源极反馈电感的恰当选取获得了较好的输入驻波比和较低的噪声;采用直流偏置上加电阻电容网络,用来消除低频增益和振荡;三级电路通过电阻共用一组正负电源,使用方便,且电路性能较好:输入输出驻波比小于2.0,增益大于15dB,噪声系数小于3.0dB。1dB压缩点输出功率大于15dBm,芯片尺寸为lmm×2mm×0.1mm。这是国内报导的面积最小、性能最好的毫米波低噪声放大器。 展开更多
关键词 PHEMT 毫米波 微波单片集成电路 低噪声放大器
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