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256×256 Si微透镜阵列与红外焦平面阵列单片集成研究
被引量：
1
1
作者
陈四海
易新建
+2 位作者
王宏臣
孔令彬
马宏
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第5期340-342,共3页
基于标量衍射理论设计了 8位相菲涅尔衍射微透镜阵列 .利用多次曝光和离子束刻蚀技术在大规模面阵( 2 5 6× 2 5 6) Pt Si红外焦平面阵列的背面制作了单片集成微透镜阵列样品 (单元面积为 3 0μm× 4 0μm ) .测试结果表明 ,单...
基于标量衍射理论设计了 8位相菲涅尔衍射微透镜阵列 .利用多次曝光和离子束刻蚀技术在大规模面阵( 2 5 6× 2 5 6) Pt Si红外焦平面阵列的背面制作了单片集成微透镜阵列样品 (单元面积为 3 0μm× 4 0μm ) .测试结果表明 ,单片集成微透镜的红外焦平面阵列样品的信噪比提高了 2 .0倍 .
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关键词
PtSi红外焦平面阵列
微透镜阵列
单片集成技术
标量衍射
信噪比
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职称材料
硅光子器件及其集成技术的研究
被引量：
1
2
作者
蔡进
张慧娟
+1 位作者
王成丽
陶智勇
《光通信技术》
CSCD
北大核心
2012年第6期4-6,共3页
主要探讨了偏振分集光路、可调光衰减器、波导耦合型锗光电探测器等硅光器件的研究进展,分析了其结构及技术参数,随后探讨了VOA-PD单片集成技术以及VMUX单片集成技术两种硅基单片集成技术,指出硅光子器件的性能指标已经能满足现代光纤...
主要探讨了偏振分集光路、可调光衰减器、波导耦合型锗光电探测器等硅光器件的研究进展,分析了其结构及技术参数,随后探讨了VOA-PD单片集成技术以及VMUX单片集成技术两种硅基单片集成技术,指出硅光子器件的性能指标已经能满足现代光纤通信系统的要求。
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关键词
硅光器件
单片集成技术
光纤通信系统
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职称材料
基于GaN TMIC集成片上天线技术的太赫兹功率放大器（英文）
3
作者
王旭东
吕昕
+4 位作者
郭大路
李明迅
程功
刘嘉山
于伟华
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019年第6期683-689,共7页
介绍了一种由矩形微带贴片天线和功率放大器一体化集成设计的发射类型单片太赫兹集成电路.该电路采用GaN HEMT工艺制备,实现了高功率密度和高效集成.片上天线被设计为功率放大器输出端接的功率辐射器和频率相关的输出负载调谐器.采用负...
介绍了一种由矩形微带贴片天线和功率放大器一体化集成设计的发射类型单片太赫兹集成电路.该电路采用GaN HEMT工艺制备,实现了高功率密度和高效集成.片上天线被设计为功率放大器输出端接的功率辐射器和频率相关的输出负载调谐器.采用负载牵引技术实现了放大器与天线之间良好的阻抗匹配.在100~110 GHz的频带范围内,功率放大器的平均输出功率为25.2 dBm,平均功率附加效率(PAE)为5.83%,单片太赫兹集成电路具有良好的辐射特性,芯片的10 dB带宽为1.5 GHz,在109 GHz估算的等效各向同性辐射功率(EIRP)为25.5 dBm.
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关键词
单
片
太赫兹
集成
电路
技术
氮化镓高电子迁移率晶体管
有源
集成
天线
辐射方向图
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职称材料
题名
256×256 Si微透镜阵列与红外焦平面阵列单片集成研究
被引量：
1
1
作者
陈四海
易新建
王宏臣
孔令彬
马宏
机构
华中科技大学激光技术国家重点实验室
出处
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第5期340-342,共3页
基金
国家自然科学基金 (编号 60 0 860 0 3)~~
文摘
基于标量衍射理论设计了 8位相菲涅尔衍射微透镜阵列 .利用多次曝光和离子束刻蚀技术在大规模面阵( 2 5 6× 2 5 6) Pt Si红外焦平面阵列的背面制作了单片集成微透镜阵列样品 (单元面积为 3 0μm× 4 0μm ) .测试结果表明 ,单片集成微透镜的红外焦平面阵列样品的信噪比提高了 2 .0倍 .
关键词
PtSi红外焦平面阵列
微透镜阵列
单片集成技术
标量衍射
信噪比
Keywords
Infrared devices
Ion beams
Monolithic integrated circuits
Platinum
Silicon
分类号
TN215 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
硅光子器件及其集成技术的研究
被引量：
1
2
作者
蔡进
张慧娟
王成丽
陶智勇
机构
湖北第二师范学院
武汉邮电科学研究院
出处
《光通信技术》
CSCD
北大核心
2012年第6期4-6,共3页
文摘
主要探讨了偏振分集光路、可调光衰减器、波导耦合型锗光电探测器等硅光器件的研究进展,分析了其结构及技术参数,随后探讨了VOA-PD单片集成技术以及VMUX单片集成技术两种硅基单片集成技术,指出硅光子器件的性能指标已经能满足现代光纤通信系统的要求。
关键词
硅光器件
单片集成技术
光纤通信系统
Keywords
silicon photonic device
monolithically-integrated technology
optical fiber communication system
分类号
TN256 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
基于GaN TMIC集成片上天线技术的太赫兹功率放大器（英文）
3
作者
王旭东
吕昕
郭大路
李明迅
程功
刘嘉山
于伟华
机构
北京理工大学毫米波与太赫兹技术北京市重点实验室
河北半导体研究所
出处
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019年第6期683-689,共7页
基金
Supported by National Natural Science Foundation of China(61527805)
文摘
介绍了一种由矩形微带贴片天线和功率放大器一体化集成设计的发射类型单片太赫兹集成电路.该电路采用GaN HEMT工艺制备,实现了高功率密度和高效集成.片上天线被设计为功率放大器输出端接的功率辐射器和频率相关的输出负载调谐器.采用负载牵引技术实现了放大器与天线之间良好的阻抗匹配.在100~110 GHz的频带范围内,功率放大器的平均输出功率为25.2 dBm,平均功率附加效率(PAE)为5.83%,单片太赫兹集成电路具有良好的辐射特性,芯片的10 dB带宽为1.5 GHz,在109 GHz估算的等效各向同性辐射功率(EIRP)为25.5 dBm.
关键词
单
片
太赫兹
集成
电路
技术
氮化镓高电子迁移率晶体管
有源
集成
天线
辐射方向图
Keywords
TMIC technology
GaN HEMT
active integrated antenna
radiation pattern
分类号
O43 [机械工程—光学工程]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
256×256 Si微透镜阵列与红外焦平面阵列单片集成研究
陈四海
易新建
王宏臣
孔令彬
马宏
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
硅光子器件及其集成技术的研究
蔡进
张慧娟
王成丽
陶智勇
《光通信技术》
CSCD
北大核心
2012
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
基于GaN TMIC集成片上天线技术的太赫兹功率放大器（英文）
王旭东
吕昕
郭大路
李明迅
程功
刘嘉山
于伟华
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019
0
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