单片集成半导体激光器的阵发混沌特性（英文） 被引量：3

1

作者 林晓东 钟祝强 +4 位作者 王会苹 陆丹 赵玲娟 夏光琼 吴正茂 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第5期24-30,共7页

实验研究了一种由一个分布反馈半导体激光器、一个相位控制部分和一个半导体光放大器组成的三段式单片集成半导体激光器的动力学特性.采用常规的动力学分析方法,对不同相位控制电流下激光器输出的光谱、时间序列、相图及功率谱进行了分... 实验研究了一种由一个分布反馈半导体激光器、一个相位控制部分和一个半导体光放大器组成的三段式单片集成半导体激光器的动力学特性.采用常规的动力学分析方法,对不同相位控制电流下激光器输出的光谱、时间序列、相图及功率谱进行了分析,考察了其进入混沌的路径及阵发混沌的特性。研究结果表明,在适当的运行参数下,单片集成半导体激光器可呈现混沌态与稳定态随机交替出现的阵发混沌状态输出.在固定分布反馈半导体激光器电流和半导体光放大器电流不变的情况下,连续地增大相位区的电流I_P,单片集成半导体激光器将先后经历稳定态、单周期态、阵发混沌态,最后再回到稳定态的过程.在确定了激光器处于阵发混沌态时相位区电流I_P的取值范围之后,进一步的分析结果表明,随着相位区电流I_P的增加,平均层流时间先减小,达到一个极小值后再迅速增大. 展开更多

关键词 非线性光学 激光物理 实验研究 单片集成半导体激光器 阵发混沌 动力学态 平均层流时间

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单片集成正装结构的GaAlAs/GaAs激光器的热阻特性

2

作者 赵方海 胡礼中 +1 位作者 苏士昌 刘式墉 《吉林大学自然科学学报》 CAS CSCD 1989年第3期47-50,共4页

本文利用二维热流模型,计算了适于单片集成正装结构GaAlAs/GaAs激光器的热阻,讨论了各种参数对热阻的影响。此外,还采用正向压降法测量了不同腔长激光器的热阻,并与理论曲线进行了比较。

关键词 半导体激光器 热阻 单片集成 正装

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分布反馈激光器、调制器及其单片集成

3

作者 陈建新 邬祥生 《光通信研究》 1993年第1期14-21,共8页

本文评述了国内外分布反馈激光器、半导体光波导调制器及其单片集成器件的研究现状、发展趋势和应用情况。

关键词 反馈激光器 调制器 单片集成

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1.5-μm波段25-GHz重频亚皮秒脉冲输出半导体锁模激光器(特邀) 被引量：1

4

作者 刘宇翔 张瑞康 +2 位作者 王欢 陆丹 赵玲娟 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第2期110-115,共6页

针对高速光采样、光频梳以及光通信系统应用,研制了1.5μm波段高重频超短脉冲输出半导体锁模激光器。基于AlGaInAs/InP材料体系,采用两段式单片集成锁模结构,引入稀释波导结构,综合降低光限制因子、提升材料饱和能量、降低腔内损耗,从... 针对高速光采样、光频梳以及光通信系统应用,研制了1.5μm波段高重频超短脉冲输出半导体锁模激光器。基于AlGaInAs/InP材料体系,采用两段式单片集成锁模结构,引入稀释波导结构,综合降低光限制因子、提升材料饱和能量、降低腔内损耗,从而降低有源区色散对脉冲的影响并提升脉冲峰值功率,最终在1.5μm波段实现了重复频率24.3 GHz、脉冲宽度680 fs的亚皮秒光脉冲输出,脉冲光谱宽度为7.2 nm,脉冲峰值能量为525 mW。 展开更多

关键词 半导体激光器 锁模激光器 单片集成 超短脉冲 稀释波导

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绝缘体上硅功率半导体单芯片集成技术 被引量：1

5

作者 张龙 刘斯扬 +5 位作者 孙伟锋 马杰 盘成务 何乃龙 张森 苏巍 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第2期514-526,共13页

利用单芯片集成技术制造的智能功率芯片具有体积小、寄生小、损耗低等方面的优势,其技术难度远高于传统的多芯片、单封装形式的智能功率模块.本文首先介绍了单片智能功率芯片的架构与技术需求;然后,探讨了绝缘体上硅功率半导体单芯片集... 利用单芯片集成技术制造的智能功率芯片具有体积小、寄生小、损耗低等方面的优势,其技术难度远高于传统的多芯片、单封装形式的智能功率模块.本文首先介绍了单片智能功率芯片的架构与技术需求;然后,探讨了绝缘体上硅功率半导体单芯片集成的工艺流程和器件类型;接着,总结了高压横向IGBT器件技术、续流二极管器件技术、LDMOS器件技术的特征和效果;此外,还讨论了单片智能功率芯片的相关可靠性问题,包括高压互连线效应和低温雪崩不稳定.本课题组在功率半导体集成型器件的电流能力、关断速度、短路承受能力、反向恢复峰值电流、安全工作区、高压互连线屏蔽、低温可靠性等关键特性优化或可靠性提升方面进行了自主创新,构建了基于绝缘体上硅的功率半导体单芯片集成技术,并成功研制了单片智能功率芯片. 展开更多

关键词 功率半导体 绝缘体上硅 单片集成 功率集成电路 功率器件

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半导体激光器

6

《中国光学》 EI CAS 2000年第3期25-28,共4页

TN248.4 2000031660单量子阱半导体激光器模拟分析=Simulation analysisof quantum well semiconductor lasers[会,中]/张励,陈建平(上海交通大学光纤技术研究所)//全国第九次光纤通信暨第十届集成光学学术会议.—秦皇岛,99.08根据量子... TN248.4 2000031660单量子阱半导体激光器模拟分析=Simulation analysisof quantum well semiconductor lasers[会,中]/张励,陈建平(上海交通大学光纤技术研究所)//全国第九次光纤通信暨第十届集成光学学术会议.—秦皇岛,99.08根据量子阱激光器的工作原理和特点,提出一组较为完整的速率方程。 展开更多

关键词 微腔半导体激光器 应变量子阱激光器 外腔半导体激光器 集成光学 光纤通信 量子阱半导体激光器 学术会议 分别限制异质结构 分别限制单量子阱 载流子

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基于直接调制和外调制的高速半导体激光光源 被引量：11

7

作者 罗毅 徐建明 +3 位作者 黄缙 孙长征 熊兵 蔡鹏飞 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2008年第2期200-204,共5页

直接调制和外调制的半导体激光光源在现代光纤通信系统中有着重要的应用。首先介绍了应用于10 Gb/s接入网系统的直接调制AlGaInAs多量子阱DFB激光器。由于AlGaInAs量子阱的导带不连续性较大,因此基于该材料的半导体激光器具有良好的温... 直接调制和外调制的半导体激光光源在现代光纤通信系统中有着重要的应用。首先介绍了应用于10 Gb/s接入网系统的直接调制AlGaInAs多量子阱DFB激光器。由于AlGaInAs量子阱的导带不连续性较大,因此基于该材料的半导体激光器具有良好的温度特性,其特征温度达到了88 K。同时,该直接调制激光器的3 dB小信号调制响应带宽超过15 GHz。随后介绍面向40 Gb/s干线传输系统的高速DFB激光器/EA调制器集成光源。该集成光源采用同一外延层集成方案,并采用Al2O3高速微波热沉进行了管芯级封装,在3 V反向偏压下获得大于13 dB的静态消光比,3 dB小信号调制带宽超过40 GHz。 展开更多

关键词 直接调制 外调制 DFB激光器 EA调制器 同一外延层结构 单片集成

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3段式集成DFB激光器微波信号仿真

8

作者 孟洁 乔丽君 +2 位作者 张明江 张建忠 王涛 《深圳大学学报（理工版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第5期459-465,共7页

为研究集成激光器生成微波信号特性,基于光注入法设计面向微波信号生成的3段式单片集成分布反馈二极管激光器(distributed feedback laser diode,DFB-LD).基于麦克斯韦-布洛赫模型,构建DFB-LD的行波速率方程组,并搭建基于多段式单片集... 为研究集成激光器生成微波信号特性,基于光注入法设计面向微波信号生成的3段式单片集成分布反馈二极管激光器(distributed feedback laser diode,DFB-LD).基于麦克斯韦-布洛赫模型,构建DFB-LD的行波速率方程组,并搭建基于多段式单片集成激光器的仿真系统,研究3段式生成微波的时序、光谱及频谱特性,分析激光器偏置电流、波导偏置电流及波导失谐量对微波信号特性的影响.仿真结果表明,频谱在激光器偏置电流达到阈值电流的6倍时不再存在拍频分量,微波频率随着波导偏置电流的增大基本保持不变,通过调节波导失谐量可对微波信号实现14.29 GHz的调谐范围.研究结果为集成半导体器件产生微波信号提供新思路和方法. 展开更多

关键词 非线性光学 多段式半导体激光器 单片集成 麦克斯韦-布洛赫方程 行波速率方程 光互注入 微波信号

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单片集成式主振荡功率放大器研究进展 被引量：1

9

作者 谭满清 游道明 +1 位作者 郭文涛 刘维华 《中国光学（中英文）》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第1期61-75,共15页

单片集成式主振荡功率放大器(MOPA)具有体积小、功率大、光束质量高等优势,通过集成布拉格光栅,还能够实现窄线宽和动态单模,在倍频、泵浦、光通信和传感等领域具有重要应用价值,是近年来半导体光电子器件的研究热点。本文梳理了单片集... 单片集成式主振荡功率放大器(MOPA)具有体积小、功率大、光束质量高等优势,通过集成布拉格光栅,还能够实现窄线宽和动态单模,在倍频、泵浦、光通信和传感等领域具有重要应用价值,是近年来半导体光电子器件的研究热点。本文梳理了单片集成式MOPA的主流结构,包括锥形、脊型、布拉格光栅型和三段式MOPA,以各自的工作原理和性能特征为出发点,介绍其主要的研究方向,并结合它们各自面临的问题介绍最新的发展趋势。针对单片集成式MOPA中普遍存在的高功率下光束质量退化的问题,梳理了近年在外延层结构、腔面光学薄膜和电极设置等方面的优化设计,重点总结了单片集成式MOPA在提高光束质量及高功率、容线宽及高亮度方面的重要进展。围绕不同领域的应用需求,整理了具备高功率、窄线宽、高光束质量和高亮度等性能特征的单片集成式MOPA的研究进展,最后展望了单片集成式MOPA的发展趋势。 展开更多

关键词 主振荡功率放大器 单片集成结构 半导体激光器 半导体光放大器 优化设计

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单片全集成信道技术简述 被引量：2

10

作者 何刚 成斌 +3 位作者 余怀强 邓立科 毛繁 蒋创新 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2018年第2期280-282,共3页

数字化单片全集成是信道技术发展的必然趋势,也将推动新一代作战平台进一步小型化、轻薄化及多功能集成化。该文介绍了单片全集成信道技术概念及关键构成;综述并对比了单片全集成信道技术在模拟前端与数字信道两个方面国内、外的发展现... 数字化单片全集成是信道技术发展的必然趋势,也将推动新一代作战平台进一步小型化、轻薄化及多功能集成化。该文介绍了单片全集成信道技术概念及关键构成;综述并对比了单片全集成信道技术在模拟前端与数字信道两个方面国内、外的发展现状与最新进展;总结了信道技术在未来作战平台应用需求下的发展趋势。 展开更多

关键词 单片集成 收发(T/R)芯片 微波单片集成电路(MMIC) 互补金属氧化物半导体(CMOS) 模数转换器(ADC)

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美国半导体器件QML状况报告

11

作者 张素娟 胡睿 许桂芳 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第1期12-15,共4页

在目前国内的电子装备中,使用了大量的进口电子元器件,因此对进口元器件的采购一直影响着研制工作的进度、成本及可靠性。本文介绍了美国国防部供应中心最新公布的半导体器件(分立器件、混合集成电路、单片集成电路)QML厂商、生产线以... 在目前国内的电子装备中,使用了大量的进口电子元器件,因此对进口元器件的采购一直影响着研制工作的进度、成本及可靠性。本文介绍了美国国防部供应中心最新公布的半导体器件(分立器件、混合集成电路、单片集成电路)QML厂商、生产线以及产品的实际状况等。 展开更多

关键词 半导体器件 美国 QML 分立器件 混合集成电路 单片集成电路

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基于取样光栅的可调谐激光器的设计与研究

12

作者 吕向东 赵建宜 +2 位作者 熊永华 余思佳 马卫东 《光通信研究》 北大核心 2019年第6期47-51,共5页

针对可调谐激光器光栅加工灵活性低和成本昂贵的问题,文章研究并设计了一种基于取样光栅(SG)的新型可调谐分布式布拉格反射(DBR)激光器以降低可调谐激光器的制作成本。文章提出利用SG取代传统DBR激光器的均匀光栅,在采用与均匀光栅相同... 针对可调谐激光器光栅加工灵活性低和成本昂贵的问题,文章研究并设计了一种基于取样光栅(SG)的新型可调谐分布式布拉格反射(DBR)激光器以降低可调谐激光器的制作成本。文章提出利用SG取代传统DBR激光器的均匀光栅,在采用与均匀光栅相同的双光束干涉曝光工艺的情况下,可以在单片集成芯片中低成本并灵活地实现不同DBR激光器调谐范围的调整。通过对该结构DBR激光器的模拟研究发现,该激光器在工作范围内可以实现>45 dB的边模抑制比(SMSR),单个激光器可以实现10 nm以上的调谐,不同激光器调谐范围的取值可以实现40 nm以上的整体调整。 展开更多

关键词 半导体激光器 单片光子集成 可调谐激光器

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单片集成光学中继器

13

作者 程泰平 《四川激光》 1981年第2期44-45,共2页

美国加利福尼亚工学院M．Yust，N．Bar-Chaim，A．Yariv等人研制了一种适于光纤通信系统和高速电路转换的单片集成光学中继器。该中继器是将光学探测器、电流放大器和激光器制作在同一半绝缘衬底上，构成一个单片集成光路。这种光学中... 美国加利福尼亚工学院M．Yust，N．Bar-Chaim，A．Yariv等人研制了一种适于光纤通信系统和高速电路转换的单片集成光学中继器。该中继器是将光学探测器、电流放大器和激光器制作在同一半绝缘衬底上，构成一个单片集成光路。这种光学中继器，是一类具有光学输入输出，又有中间电子学处理的器件的“先驱者”。这种器件得益于现代半导体电子学，同时在光信号发射方面又具有自己独特的优点。 展开更多

关键词 集成光学 中继器 单片 半导体电子学 光纤通信系统 加利福尼亚 光学探测器 电流放大器 电路转换 绝缘衬底

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毫米波CMOS集成电路的现状与趋势 被引量：2

14

作者 夏立诚 王文骐 祝远渊 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第3期197-201,共5页

随着深亚微米和纳米CMOS工艺的成熟,设计和实现低成本的毫米波CMOS集成电路已成为可能。简述了毫米波CMOS技术的发展现状,介绍了毫米波CMOS集成电路的关键技术,即晶体管建模和传输线建模,并给出了毫米波CMOS电路的最新进展和发展趋势。

关键词 毫米波 集成电路 无线通信 建模 互补金属氧化物半导体 单片微波集成电路

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高速光器件封装技术发展趋势 被引量：3

15

作者 张一鸣 刘宇 张志珂 《中兴通讯技术》 2018年第4期46-50,共5页

针对5G应用场景,高速光模块起着重要的作用,其设计、制备和封装受多方面的因素限制。就封装这一因素对光模块高频特性的影响进行了详细分析,并提出了3种不同维度的设计方案。基于此,针对性地开发了3种符合应用标准的高速光模块。认为在... 针对5G应用场景,高速光模块起着重要的作用,其设计、制备和封装受多方面的因素限制。就封装这一因素对光模块高频特性的影响进行了详细分析,并提出了3种不同维度的设计方案。基于此,针对性地开发了3种符合应用标准的高速光模块。认为在未来大规模、高密度、高速率光电集成器件中,封装技术将会朝着多维度、多形态的方向发展。 展开更多

关键词 三维封装 高速直调激光器 单片集成外调激光器 多波长激光器

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用CMOS工艺实现VSR光电集成接收机的途径 被引量：1

16

作者 毛陆虹 韩建忠 +3 位作者 粘华 高鹏 李炜 陈永权 《高技术通讯》 EI CAS CSCD 2003年第7期101-105,共5页

介绍了 1 0Gbit/s速率的甚短距离光传输系统VSR(VeryShortReach)中的接收机。分析了几种有希望用于VSR系统的CMOS工艺兼容的光电探测器。提出用CMOS电路实现VSR光电集成 (OEIC)

关键词 CMOS电路 VSR光电集成接收机 甚短距离传输 同步光网络 多模光纤 光电探测器 单片集成方案 互补金属氧化物半导体

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集成光学 光电集成与器件

17

《中国光学》 EI CAS 2006年第6期41-42,共2页

TN252 2006065162非对称含左手材料平面波导的传输特性=Propagation properties of asymmetric metamaterial slab waveguides [刊,中]/沈陆发(上海大学通信与信息工程学院,上海(200072))．王子华//光电子·激光．—2006,17(6)．—6... TN252 2006065162非对称含左手材料平面波导的传输特性=Propagation properties of asymmetric metamaterial slab waveguides [刊,中]/沈陆发(上海大学通信与信息工程学院,上海(200072))．王子华//光电子·激光．—2006,17(6)．—688-692由Maxwell方程组讨论了3层非对称含左手材料平面波导,推导了衬底和覆盖层为左手材料而薄膜为右手材料的平面波导TE模的色散关系。通过求单位宽度TE模所承载的功率,得到了含左手材料平面波导的等效厚度。引入右手材料平面波导的相关方程、曲线并和含左手材料平面波导的方程进行对比分析,发现了非对称3层含左手材料平面波导的一些奇异特性。图6参11(严寒) 展开更多

关键词 平面波导 多模干涉 器件 合波器 可调谐 半导体 光电子 集成光学 单片集成 非对称

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S波段SiC MESFET微波功率MMIC 被引量：1

18

作者 柏松 陈刚 +8 位作者 冯忠 钱峰 陈征 吴鹏 任春江 李哲洋 郑惟彬 蒋幼泉 陈辰 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第S1期244-246,共3页

利用本实验室生长的半绝缘衬底上的4H-SiC外延材料开展了SiC MESFET和MMIC的工艺技术研究。在实现SiC衬底减薄和通孔技术的基础上,采用微带技术以及全套的无源器件,设计并研制了国内第一片SiC微波功率MMIC。研制的SiC MMIC工作频段为S波... 利用本实验室生长的半绝缘衬底上的4H-SiC外延材料开展了SiC MESFET和MMIC的工艺技术研究。在实现SiC衬底减薄和通孔技术的基础上,采用微带技术以及全套的无源器件,设计并研制了国内第一片SiC微波功率MMIC。研制的SiC MMIC工作频段为S波段,在1.8~3.4GHz的频带内小信号增益大于12dB,漏电压为32V时带内脉冲输出功率超过5W。SiCMMIC小信号特性达到了设计预期,但输出功率低于设计值。这是由于受到MI M电容耐压能力的限制,SiC MMIC的工作电压比较低。 展开更多

关键词 碳化硅 金属半导体场效应晶体管 微波功率 单片微波集成电路

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GaAs MESFET开关模型

19

作者 陈新宇 陈继义 +3 位作者 郝西萍 李拂晓 邵凯 杨乃彬 《微波学报》 CSCD 北大核心 2002年第2期85-87,共3页

本文提出了一种MESFET开关的模型———附加栅控开关模型 ,适用于MMIC电路的设计 ,其具有很好的宽带微波特性。开关单片的设计值与模型模拟值吻合较好。

关键词 开关 模型 金属半导体场效应晶体管 微波单片集成电路

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光电探测技术及器件

20

《中国光学》 EI CAS 1996年第4期74-75,共2页

TN29 96042616InP系波导和光电探测器单片集成=Monolithicintegration of InP optical waveguide and photodetector[刊,中]/杨易,陈兴国,程宗权,王惠民,吕章德,蒋惠英,王晨,施惠英,吴学海(中科院上海冶金所.上海(200233)),朱祖华(浙江... TN29 96042616InP系波导和光电探测器单片集成=Monolithicintegration of InP optical waveguide and photodetector[刊,中]/杨易,陈兴国,程宗权,王惠民,吕章德,蒋惠英,王晨,施惠英,吴学海(中科院上海冶金所.上海(200233)),朱祖华(浙江大学电信系.浙江,杭州(310008))∥半导体学报.—1996,17(1).—51— 展开更多

关键词 光电探测器 单片集成 光电头 位置敏感探测器 器件工艺 浙江大学 半导体 注入光敏器件 探测技术 测角系统

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