330 GHz砷化镓单片集成分谐波混频器 被引量：3

1

作者 刘戈 张波 +3 位作者 张立森 王俊龙 邢东 樊勇 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2017年第2期252-256,共5页

在太赫兹频段,二极管尺寸与波长相比已不能忽略,二极管的封装会引入很大的寄生参量,因此需建立二极管三维模型提取寄生参数.同时人工装配难度增大,会增加电路不确定性.采用12μm砷化镓单片集成悬置微带线结构,基于电子科技大学与中国电... 在太赫兹频段,二极管尺寸与波长相比已不能忽略,二极管的封装会引入很大的寄生参量,因此需建立二极管三维模型提取寄生参数.同时人工装配难度增大,会增加电路不确定性.采用12μm砷化镓单片集成悬置微带线结构,基于电子科技大学与中国电子科技集团第十三研究所自主联合设计的肖特基二极管研制330 GHz砷化镓单片集成分谐波混频器.实测结果显示在5 mW本振功率的驱动下,在328 GHz可得到最小变频损耗10.4 dB,在320~340 GHz范围内,单边带变频损耗小于14.7 dB. 展开更多

关键词 太赫兹 单片集成分谐波混频器 肖特基二极管 砷化镓 变频损耗

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220GHz GaAs单片集成分谐波混频器 被引量：3

2

作者 杨大宝 赵向阳 +2 位作者 刘波 邢东 冯志红 《半导体技术》 CAS 北大核心 2022年第11期886-890,共5页

基于在30μm厚的GaAs衬底上开发的平面肖特基二极管,设计了220 GHz GaAs单片集成分谐波混频器。考虑了二极管外形结构对电磁波传输的影响,采用场路结合联合仿真的经典方法建立二极管模型来仿真其电性能,并利用这一模型在非线性电路仿真... 基于在30μm厚的GaAs衬底上开发的平面肖特基二极管,设计了220 GHz GaAs单片集成分谐波混频器。考虑了二极管外形结构对电磁波传输的影响,采用场路结合联合仿真的经典方法建立二极管模型来仿真其电性能,并利用这一模型在非线性电路仿真软件中对混频器的性能进行仿真和优化。制作的220 GHz分谐波混频器模块在本振频率为110 GHz、输入功率为6 dBm的条件下进行测试。结果表明,在射频频率210~220 GHz内,混频器模块的单边带变频损耗小于11 dB,在220 GHz处具有最小变频损耗,为7.2 dB。 展开更多

关键词 单片集成电路 分谐波混频器 肖特基二极管 建模 变频损耗

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330 GHz单片集成分谐波混频器 被引量：3

3

作者 杨大宝 王俊龙 +2 位作者 张立森 梁士雄 冯志红 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2019年第2期259-263,共5页

根据反向并联二极管的外围结构和材料构成,以四端口S参数包的形式建立了二极管结外围无源结构的三维电磁模型,与非线性仿真软件中的肖特基结模型结合起来建立太赫兹二极管对的完整模型,这样的处理方法提高了计算机仿真的准确性。分谐波... 根据反向并联二极管的外围结构和材料构成,以四端口S参数包的形式建立了二极管结外围无源结构的三维电磁模型,与非线性仿真软件中的肖特基结模型结合起来建立太赫兹二极管对的完整模型,这样的处理方法提高了计算机仿真的准确性。分谐波混频电路制作在12μm厚度的砷化镓基片上,单片电路悬置安装在本振和射频中间剖开的减高波导腔体内。在本振5 mW功率注入时混频单片在330 GHz的频带范围内最小插损为10 dB。因为单片集成电路以四个梁式引线与波导外壁柔性连接,一端固定在波导壁上,混频单片电路能够释放腔体随温度变化而产生的机械应力。 展开更多

关键词 反向并联 单片集成 谐波混频器

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基于HEMT新型结构的140 GHz单片次谐波混频器

4

作者 王晓宇 周静涛 《微波学报》 CSCD 北大核心 2024年第S1期310-313,共4页

在太赫兹收发系统中传统的混频器与放大器由于其不同的外延结构会导致集成难度增加并引入较大的损耗,而本文基于已有的InP HEMT工艺利用反向并联二极管(APDP)结构进行140 GHz频段单片次谐波混频器的设计,相较于传统的APDP结构的混频器... 在太赫兹收发系统中传统的混频器与放大器由于其不同的外延结构会导致集成难度增加并引入较大的损耗,而本文基于已有的InP HEMT工艺利用反向并联二极管(APDP)结构进行140 GHz频段单片次谐波混频器的设计,相较于传统的APDP结构的混频器更加便于与接收系统中的HEMT放大器进行单片集成,极大的减少了混频器与放大器集成的损耗误差。本文根据已有的SBD等效模型对源漏短接结构的HEMT器件进行建模和提参,通过采用HFSS与ADS联合仿真的方式进行混频器的设计,最终仿真结果为在130 GHz-150 GHz范围内,变频损耗为24.6 dB到26.2 dB,本振功率为20 dBm,中频带宽为1 GHz。 展开更多

关键词 HEMT二极管 APDP 单片次谐波混频器

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基于InP HEMT的太赫兹分谐波混频器芯片设计

5

作者 何锐聪 王亚冰 +1 位作者 何美林 胡志富 《半导体技术》 北大核心 2024年第2期151-157,共7页

基于70 nm InP高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺,研制了一款175~205 GHz分谐波混频器太赫兹单片集成电路(TMIC)。使用三线耦合Marchand巴伦实现本振信号的平衡-不平衡转换。在射频端口设计了紧凑型耦合线结构的带通滤波器,实现对射频信号... 基于70 nm InP高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺,研制了一款175~205 GHz分谐波混频器太赫兹单片集成电路(TMIC)。使用三线耦合Marchand巴伦实现本振信号的平衡-不平衡转换。在射频端口设计了紧凑型耦合线结构的带通滤波器,实现对射频信号低损耗带通传输的同时缩小了芯片尺寸。测试结果表明混频器在175~205 GHz频率范围内,单边带(SSB)变频损耗小于15 dB,典型值14 dB。混频器中频频带为DC~25 GHz,射频端口对本振二次谐波信号的隔离度大于20 dB。芯片尺寸为1.40 mm×0.97 mm,能够与相同工艺的功率放大器、低噪声放大器实现片上集成,从而满足太赫兹通信等不同领域的应用需求。 展开更多

关键词 INP 高电子迁移率晶体管(HEMT) 太赫兹单片集成电路 分谐波混频器 带通滤波器 Marchand巴伦

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0.825 THz砷化镓单片集成二次谐波混频器(英文) 被引量：2

6

作者 刘锶钰 张德海 +4 位作者 孟进 纪广玉 朱皓天 侯晓翔 张青峰 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2021年第6期749-753,共5页

基于国内的GaAs单片集成电路产线,研制了一款中心频率在0.825 THz的二次谐波单片混频器。针对肖特基二极管在太赫兹频段的高频效应详细分析了反向并联肖特基二极管的寄生参数以完善单片电路的设计。单片电路集成度高和装配误差小的特性... 基于国内的GaAs单片集成电路产线,研制了一款中心频率在0.825 THz的二次谐波单片混频器。针对肖特基二极管在太赫兹频段的高频效应详细分析了反向并联肖特基二极管的寄生参数以完善单片电路的设计。单片电路集成度高和装配误差小的特性更适用于太赫兹频段器件的设计。梁氏引线形式电路设计既可以降低介质基板带来的损耗,减小安装的位置偏移。实测结果表明,0.825 THz单片混频器最佳单边带的插损值为28 dB,0.81到0.84 THz频率范围内插损小于33 dB。 展开更多

关键词 反向并联肖特基二极管 插入损耗 集成单片电路 太赫兹混频器

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宽带微波单片正交混频器的设计 被引量：3

7

作者 罗光 徐锐敏 《微波学报》 CSCD 北大核心 2016年第S1期287-290,共4页

本文采用WIN 0.15um GaAs PHEMT工艺设计了一款6~10GHz的微波无源单片集成正交混频器。由于在本振端和射频端都采用了螺旋型的Marehand巴伦结构,从而使芯片面积得到了极大的改善,芯片的总面积为1.5mm×1.15mm。在所要求的频率范围之... 本文采用WIN 0.15um GaAs PHEMT工艺设计了一款6~10GHz的微波无源单片集成正交混频器。由于在本振端和射频端都采用了螺旋型的Marehand巴伦结构,从而使芯片面积得到了极大的改善,芯片的总面积为1.5mm×1.15mm。在所要求的频率范围之内,ADS仿真结果表明:变频损耗小于10d B,典型值为7d B;镜频抑制大于25d B,典型值是35d B;LO到RF的隔离度大于40d B,本振到中频的隔离度大于20d B,射频到中频的隔离度大于30d B。 展开更多

关键词 正交混频器 镜频抑制 变频损耗 单片微波集成电路

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一种2.8～6GHz单片双平衡无源混频器 被引量：3

8

作者 李垚 朱晓维 《微波学报》 CSCD 北大核心 2019年第6期26-30,共5页

采用WIN 0.15μm GaAs pHEMT工艺研制了2.8~6 GHz的片上双平衡无源混频器。混频器在本振端和射频端均采用不同尺寸的螺旋型Marchand巴伦结构,不仅大大缩小了芯片尺寸,并且在没有外加补偿电路的情况下,在2.8~6 GHz频带范围内均取得良好... 采用WIN 0.15μm GaAs pHEMT工艺研制了2.8~6 GHz的片上双平衡无源混频器。混频器在本振端和射频端均采用不同尺寸的螺旋型Marchand巴伦结构,不仅大大缩小了芯片尺寸,并且在没有外加补偿电路的情况下,在2.8~6 GHz频带范围内均取得良好匹配。测试结果表明,混频器的变频损耗小于8 dB,射频端口反射系数小于-10 dB,LO到RF的隔离度大于40 dB,输入1 dB压缩点大于10 dBm,输入三阶交调阻断点大于17 dBm。仿真与实测结果对应良好,芯片总面积为1.4 mm×1.1 mm。 展开更多

关键词 无源双平衡混频器 单片微波集成电路 宽带

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Ku波段无耗型MESFET混频器单片电路研究

9

作者 孙迎新 高葆新 林金庭 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第8期28-32,共5页

本文对无耗型ＭＥＳＦＥＴＮ极注入混频器电路工作原理进行了分析，在对这种混频器进行ＣＡＤ研究中，提出了ＭＥＳＦＥＴ模型扩展技术，在此基础上进行了Ｋｕ波段无耗型ＭＥＳ－ＦＥＴ混频器单片集成电路的设计与研制，混频器电路的测... 本文对无耗型ＭＥＳＦＥＴＮ极注入混频器电路工作原理进行了分析，在对这种混频器进行ＣＡＤ研究中，提出了ＭＥＳＦＥＴ模型扩展技术，在此基础上进行了Ｋｕ波段无耗型ＭＥＳ－ＦＥＴ混频器单片集成电路的设计与研制，混频器电路的测试结果与计算相符，性能达到：变频增益－２ｄＢ，，噪声系数７～８ｄＢ． 展开更多

关键词 MESFET 混频器 单片 微波集成电路 CAD

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用单平面技术设计5.8GHz的双相调制器/混频器

10

作者 周霞 颜新 李英 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第2期137-141,共5页

根据单平面技术将多功能子系统分为基本块和简单电路模型的设计方法 ,用于设计单平面的双相调制器 /混频器 .主要用于智能交通收费系统的微波非接触式ID卡中 ,其工作频率为 5 8GHz.采用电磁场计算与传统传输线及计算机辅助设计相结合... 根据单平面技术将多功能子系统分为基本块和简单电路模型的设计方法 ,用于设计单平面的双相调制器 /混频器 .主要用于智能交通收费系统的微波非接触式ID卡中 ,其工作频率为 5 8GHz.采用电磁场计算与传统传输线及计算机辅助设计相结合的方法分析设计了该子系统的主要部件 ,使其具有尺寸小、集成度高、结构紧凑、性能好、成本低。 展开更多

关键词 设计 单片集成电路 单平面技术 共面波导 CPW 双相调制器/混频器

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2．5Gb／s0．35μmCMOS单片集成光接收机电路设计与实现

11

作者 黄璐 冯军 +2 位作者 王欢 盛志伟 王志功 《高技术通讯》 CAS CSCD 北大核心 2005年第7期49-52,共4页

采用0.35μm CMOS工艺设计并实现了单片集成光接收机电路.该芯片能将光电检测器检测到的速率为2.5Gb/s的信号进行放大,进行时钟恢复、数据判决,并通过一到四路分接输出四路速率为622Mb/s的信号.恢复出的经过四分频的时钟抖动以及最后分... 采用0.35μm CMOS工艺设计并实现了单片集成光接收机电路.该芯片能将光电检测器检测到的速率为2.5Gb/s的信号进行放大,进行时钟恢复、数据判决,并通过一到四路分接输出四路速率为622Mb/s的信号.恢复出的经过四分频的时钟抖动以及最后分接输出的四路数据抖动的均方值分别为1.9ps和13ps.芯片在标准的5V电源电压下,功耗为2.05W,整个芯片面积为1600μm×870μm. 展开更多

关键词 接收机电路 单片集成 设计与实现 2.5GB/S 光电检测器 工艺设计 CMOS 时钟恢复 MB/S 时钟抖动 芯片面积 均方值 信号 速率 数据 输出 分接 分频 电源

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一款GaAs PHEMT超宽带无源双平衡混频器MMIC 被引量：7

12

作者 王贵德 范举胜 《半导体技术》 CAS 北大核心 2021年第6期451-455,共5页

混频器是微波系统关键部件之一。微波通信系统的宽带化和小型化发展趋势对混频器性能提出更高要求。基于GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺设计了一款超宽带无源双平衡混频器单片微波集成电路(MMIC)。该混频器采用环形肖特基二极... 混频器是微波系统关键部件之一。微波通信系统的宽带化和小型化发展趋势对混频器性能提出更高要求。基于GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺设计了一款超宽带无源双平衡混频器单片微波集成电路(MMIC)。该混频器采用环形肖特基二极管结构和两个新颖的螺旋式平行耦合微带线巴伦结构,大大提高了混频器工作带宽,减小了芯片尺寸,提高了本振(LO)到射频(RF)端口的隔离度。在片探针测试结果显示该芯片在上、下变频模式下RF和LO工作频率均为2~22 GHz,中频工作频率为0~4 GHz,变频损耗≤11.5 dB,LO到RF端口隔离度≥37 dB,LO输入功率为15 dBm。芯片尺寸为1.7 mm×1.0 mm。 展开更多

关键词 GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT) 单片微波集成电路(MMIC) 无源双平衡混频器 超宽带 高隔离度

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基于薄膜工艺的1030GHz混频器和750~1100GHz倍频器研制 被引量：2

13

作者 孟进 张德海 +5 位作者 牛斌 朱皓天 刘锶钰 范道雨 陈胜堂 周明 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2022年第5期871-878,共8页

基于南京电子器件研究所砷化镓工艺线,自主完成了750~1100 GHz全频带三倍频器以及中心频率为1030 GHz的低损耗二次谐波混频器的研制。为了提升模块的性能,将传统的场路结合的设计方法进行了扩展,引入器件的参数优化,并建立起两者互为反... 基于南京电子器件研究所砷化镓工艺线,自主完成了750~1100 GHz全频带三倍频器以及中心频率为1030 GHz的低损耗二次谐波混频器的研制。为了提升模块的性能,将传统的场路结合的设计方法进行了扩展,引入器件的参数优化,并建立起两者互为反馈的关系,从而达到整个设计过程的闭环。研制出的单片电路厚度为3μm,并通过梁氏引线支撑悬置于腔体结构中。测试结果表明宽带倍频器在790~1100 GHz频率范围内输出功率为-23~-11 dBm。以上述倍频源作为射频信号对二次谐波混频器进行测试,在1020~1044 GHz频率范围内变频损耗优于17.5 dB,在1030 GHz处测得的最小变频损耗为14.5 dB。 展开更多

关键词 太赫兹 单片电路 谐波混频器 宽带倍频

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肖特基二极管太赫兹混频器研究进展 被引量：7

14

作者 何婷婷 李少甫 +2 位作者 Nahid-Al Mahmud 马得原 唐家轩 《传感器与微系统》 CSCD 2020年第5期4-6,10,共4页

太赫兹混频器是太赫兹应用邻域中十分重要的一种器件,通常它将太赫兹高频段信号下变频到低频段实现频谱下搬移,或将低频段信号上变频到高频段实现频谱上搬移。肖特基二极管太赫兹混频器是混频器中一种重要的类型,研究该类混频器对于推... 太赫兹混频器是太赫兹应用邻域中十分重要的一种器件,通常它将太赫兹高频段信号下变频到低频段实现频谱下搬移,或将低频段信号上变频到高频段实现频谱上搬移。肖特基二极管太赫兹混频器是混频器中一种重要的类型,研究该类混频器对于推动太赫兹技术及太赫兹混频器的发展具有潜在价值。重点介绍了肖特基二极管发展现状及肖特基二极管太赫兹混频器的研究进展,归纳了该类器件常用的应用场景,并总结了其研究难点和未来发展方向。 展开更多

关键词 太赫兹 谐波混频器 肖特基二极管 单片集成

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K波段单片接收机设计 被引量：1

15

作者 汪江涛 吴永辉 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第3期172-175,共4页

基于0.15μm GaAs PHEMT工艺,设计了一款K波段MMIC接收机,频率覆盖19～26 GHz。在单个芯片内集成了平衡式低噪声放大器、本振驱动放大器、镜像抑制次谐波混频器等电路。在19～26 GHz射频输入带宽内的转换增益为7 dB;噪声系数典型值为4 ... 基于0.15μm GaAs PHEMT工艺,设计了一款K波段MMIC接收机,频率覆盖19～26 GHz。在单个芯片内集成了平衡式低噪声放大器、本振驱动放大器、镜像抑制次谐波混频器等电路。在19～26 GHz射频输入带宽内的转换增益为7 dB;噪声系数典型值为4 dB;输入回波损耗-12 dB;镜像抑制15 dB;本振-射频隔离度55 dB。为了降低了芯片成本,采用电磁场仿真软件对电路面积做优化设计,使得芯片面积仅为2 mm×4 mm。此接收机MMIC具有集成度高、可靠性高、体积小等特点,可广泛应用于各种微波通信系统和雷达系统。 展开更多

关键词 接收机 平衡式低噪声放大器 镜像抑制次谐波混频器 微波单片集成电路

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X波段宽带单片驱动功率放大器 被引量：1

16

作者 曾志 徐全胜 高学邦 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第6期424-428,共5页

基于4英寸(1英寸=2.54 cm)GaAs PHEMT工艺,设计和制作了一款X波段驱动功率放大器单片集成电路。详细介绍了微波单片集成电路(MMIC)的设计方法,并对芯片进行了测试,测试结果为:在8～12 GHz频带内,功率放大器的增益大于20 dB、1 dB压缩点... 基于4英寸(1英寸=2.54 cm)GaAs PHEMT工艺,设计和制作了一款X波段驱动功率放大器单片集成电路。详细介绍了微波单片集成电路(MMIC)的设计方法,并对芯片进行了测试,测试结果为:在8～12 GHz频带内,功率放大器的增益大于20 dB、1 dB压缩点输出功率大于21 dBm、输入输出驻波比小于1.6∶1,单电源8 V供电,电流小于80 mA。采用具有谐波抑制作用的输出匹配电路,获得了较好的谐波抑制指标,在1 dB压缩点输出功率大于21 dBm时,全频带的二次谐波抑制比均小于-40 dBc。单片电路的最终面积为2.0 mm×1.4 mm×0.1 mm,可广泛应用于各种微波系统。 展开更多

关键词 砷化镓 宽带 谐波抑制 微波单片集成电路(MMIC) 赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)

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带有四次谐波回路的110GHz二倍频器

17

作者 刘志成 周静涛 +3 位作者 王晓宇 柴凯龙 金智 贾锐 《微波学报》 CSCD 北大核心 2024年第S1期105-108,共4页

在本文中,基于肖特基二极管和单片集成技术,设计了一款带有四次谐波回路的110GHz二倍频器。该倍频器基于平衡式二倍频器的电路拓扑结构,引入了额外的四次谐波回路,以提高输出效率。为了减少电路的长度,降低损耗和装配难度,采用改进型CS... 在本文中,基于肖特基二极管和单片集成技术,设计了一款带有四次谐波回路的110GHz二倍频器。该倍频器基于平衡式二倍频器的电路拓扑结构,引入了额外的四次谐波回路,以提高输出效率。为了减少电路的长度,降低损耗和装配难度,采用改进型CSMRs滤波器替代了传统的高低阻抗滤波器,同时引入波导谐振腔用来调节四次谐波回路的相位。测试结果表明,在120mW的输入功率下,倍频器在111.5GHz处达到最大输出功率20.86mW,对应的效率为17.4%,在107.5-113GHz内的范围内,输出功率大于4mW。 展开更多

关键词 二倍频器 谐波回收 单片集成 肖特基二极管 太赫兹电路

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Q波段高线性高效率GaN功率放大器MMIC 被引量：1

18

作者 邬佳晟 蔡道民 +1 位作者 高学邦 陈晓宇 《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第7期600-604,616,共6页

针对卫星通信和5G毫米波通信应用,基于深亚微米GaN工艺,开发了一款高功率、高线性和高效率的功率放大器单片微波集成电路(MMIC)。根据器件的最大增益和负载牵引特性确定末级晶体管的总栅宽;根据增益要求采用4级放大器级联,前级、次前级... 针对卫星通信和5G毫米波通信应用,基于深亚微米GaN工艺,开发了一款高功率、高线性和高效率的功率放大器单片微波集成电路(MMIC)。根据器件的最大增益和负载牵引特性确定末级晶体管的总栅宽;根据增益要求采用4级放大器级联,前级、次前级、末前级和末级的栅宽比为1∶2∶4∶8;通过对末级和前三级栅极偏置电压分别加电,实现对各级电路增益分别调节,以提高放大器的线性度;输出匹配网络中包含了二次谐波调谐电路,以降低谐波分量,提高放大器的效率,并结合片外模拟预失真电路实现线性度提升。功率放大器MMIC芯片尺寸为2.6 mm×2.1 mm。测试结果表明,在37~42 GHz,放大器的饱和输出功率大于40 dBm,功率附加效率大于30%,功率增益大于18 dB,三阶交调失真(IMD3)@36 dBm小于-30 dBc。 展开更多

关键词 Q波段 线性度 功率放大器 谐波调谐 预失真 单片微波集成电路(MMIC)

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W波段四通道接收前端MMIC的设计与实现 被引量：1

19

作者 张贞鹏 方园 孟范忠 《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第9期675-680,共6页

研发了一款W波段四通道接收前端微波单片集成电路(MMIC)。该接收前端包括低噪声放大器、混频器和本振功分电路。低噪声放大器采用五级共源放大拓扑,混频器采用场效应晶体管进行阻性三次谐波混频;通道之间采用电阻隔离,以抑制信号泄露。... 研发了一款W波段四通道接收前端微波单片集成电路(MMIC)。该接收前端包括低噪声放大器、混频器和本振功分电路。低噪声放大器采用五级共源放大拓扑,混频器采用场效应晶体管进行阻性三次谐波混频;通道之间采用电阻隔离,以抑制信号泄露。对低噪声放大器和谐波混频器两个关键电路进行了设计和仿真,接收前端芯片面积为5.50 mm×4.50 mm,采用标准GaAs PHEMT工艺进行了流片并对其性能进行了测试。在片测试结果表明,在88~104 GHz频段内,通道增益为5.0~7.5 dB,噪声系数小于5.2 dB,射频端口电压驻波比约为2.0;功耗约为0.48 W。该接收前端芯片可广泛应用于W波段阵列电路中。 展开更多

关键词 微波单片集成电路(MMIC) GaAs PHEMT W波段接收前端 场效应晶体管(FET) 三次谐波混频

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基于RC-CR多相网络的镜频抑制接收机MMIC

20

作者 王宗成 黄红云 +1 位作者 赵宇 付兴昌 《半导体技术》 CSCD 北大核心 2017年第7期499-504,共6页

基于RC-CR多相网络技术研制了一款S波段镜频抑制接收机单片微波集成电路(MMIC),在MMIC芯片上集成S波段低噪声放大器(LNA)、差分IQ混频器、本振(LO)驱动放大器、RC-CR多相网络滤波器等电路单元,实现了S波段单片镜频抑制接收机,解决了镜... 基于RC-CR多相网络技术研制了一款S波段镜频抑制接收机单片微波集成电路(MMIC),在MMIC芯片上集成S波段低噪声放大器(LNA)、差分IQ混频器、本振(LO)驱动放大器、RC-CR多相网络滤波器等电路单元,实现了S波段单片镜频抑制接收机,解决了镜频接收机小型化的问题。电路、电磁场软件仿真以及采用Ga As赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺流片后的结果表明,在S波段实现了噪声系数小于1.8 dB,增益大于12 dB,中频(150±5)MHz带内镜频抑制大于35 dBc的技术指标。MMIC的芯片尺寸为4.8 mm×2.5 mm×0.07 mm。此镜频抑制接收机MMIC具有指标优异、体积小、集成度高的特点,可广泛用于各种需小型化的相控阵雷达和通信系统中。 展开更多

关键词 单片微波集成电路(MMIC) GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT) 镜频抑制 多相网络 差分IQ混频器

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