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无杂质空位扩散法造成InGaAsP/InP多量子阱结构带隙蓝移规律的研究
被引量：
1
1
作者
张晓丹
赵杰
+1 位作者
王永晨
金鹏
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第2期119-123,共5页
采用光荧光谱 (PL)和光调制反射谱 (PR)的方法 ,研究了由Si3 N4 、SiO2 电介质盖层引起的无杂质空位(IFVD)诱导的InGaAsP四元化合物半导体多量子阱 (MQWs)结构的带隙蓝移。实验中Si3 N4 、SiO2 作为电介质盖层 ,用来产生空位 ,再经过快...
采用光荧光谱 (PL)和光调制反射谱 (PR)的方法 ,研究了由Si3 N4 、SiO2 电介质盖层引起的无杂质空位(IFVD)诱导的InGaAsP四元化合物半导体多量子阱 (MQWs)结构的带隙蓝移。实验中Si3 N4 、SiO2 作为电介质盖层 ,用来产生空位 ,再经过快速热退火处理 (RTA)。实验结果表明 :多量子阱结构带隙蓝移和退火温度、复合盖层的组合有关。带隙蓝移随退火温度的升高而加大。InP、Si3 N4 复合盖层产生的带隙蓝移量大于InP、SiO2 复合盖层。而InGaAs、SiO2 复合盖层产生的带隙蓝移量则大于InGaAs、Si3 N4 复合盖层。同时 ,光调制反射谱的测试结果与光荧光测试的结果基本一致 ,因此 。
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关键词
无杂质空位诱导无序
光荧光谱
光调制反射谱
铟镓砷磷化合物
磷化铟
多量子阱结构
单片集成光电器件
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职称材料
题名
无杂质空位扩散法造成InGaAsP/InP多量子阱结构带隙蓝移规律的研究
被引量：
1
1
作者
张晓丹
赵杰
王永晨
金鹏
机构
天津师范大学物理与电子信息学院
南开大学物理系
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第2期119-123,共5页
基金
国家自然科学基金资助项目 ( 6 9886 0 0 1)
文摘
采用光荧光谱 (PL)和光调制反射谱 (PR)的方法 ,研究了由Si3 N4 、SiO2 电介质盖层引起的无杂质空位(IFVD)诱导的InGaAsP四元化合物半导体多量子阱 (MQWs)结构的带隙蓝移。实验中Si3 N4 、SiO2 作为电介质盖层 ,用来产生空位 ,再经过快速热退火处理 (RTA)。实验结果表明 :多量子阱结构带隙蓝移和退火温度、复合盖层的组合有关。带隙蓝移随退火温度的升高而加大。InP、Si3 N4 复合盖层产生的带隙蓝移量大于InP、SiO2 复合盖层。而InGaAs、SiO2 复合盖层产生的带隙蓝移量则大于InGaAs、Si3 N4 复合盖层。同时 ,光调制反射谱的测试结果与光荧光测试的结果基本一致 ,因此 。
关键词
无杂质空位诱导无序
光荧光谱
光调制反射谱
铟镓砷磷化合物
磷化铟
多量子阱结构
单片集成光电器件
Keywords
impurity free vacancy disordering
photoluminescence
photoreflectance
分类号
O472.3 [理学—半导体物理]
TN36 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
无杂质空位扩散法造成InGaAsP/InP多量子阱结构带隙蓝移规律的研究
张晓丹
赵杰
王永晨
金鹏
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002
1
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