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题名一款高精度大衰减量单片数控衰减器
被引量：9
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作者
刘志军
高学邦
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机构
中国电子科技集团公司第十三研究所
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2012年第1期59-62,共4页
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文摘
介绍了一款高精度大衰减量单片数控衰减器的主要技术指标和设计方法。电路设计基于Agilent ADS微波软件设计环境,采用GaAs HFET工艺技术实现。对开关器件建模流程和数控衰减器电路设计流程分别作了相应的描述。针对不同衰减值的基本衰减位,选择合适的衰减拓扑。通过采用创新的大衰减量衰减结构,既实现了63.5 dB的大衰减量,又满足其衰减精度的要求,还达到了整个单片数控衰减器低插入损耗和高衰减精度的目标。单片电路测试结果为:在3～100 MHz工作频率范围内,插入损耗≤2.2 dB,驻波比≤1.4∶1,衰减范围为0.5～63.5 dB。测试结果表明设计方法有效、可行。电路尺寸为3.5 mm×1.4 mm×0.1 mm,控制电压为0 V和-5 V。
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关键词
大衰减量
高精度
单片式微波集成电路
数控衰减器
砷化镓
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Keywords
large attenuation
high precise
monolithic microwave integrated circuit （MMIC）
digital attenuator
GaAs
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分类号
TN715
[电子电信—电路与系统]
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题名3mm波段低噪声放大器
被引量：3
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作者
刘永强
张力江
魏洪涛
刘会东
蔡树军
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机构
专用集成电路重点实验室
中国电子科技集团公司第十三研究所
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2014年第6期410-413,418,共5页
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文摘
基于InP HEMT在3 mm波段的优越的噪声性能，设计制作了一款3 mm波段InP HEMT低噪声放大器。通过合理设计外延材料结构和器件结构，提高器件性能。测试1～40 GHz器件的S参数和噪声参数以及75～110 GHz器件的S参数，并采用外推的方法建立了器件的噪声模型。电路设计采用ADS仿真软件，采用全版图电磁场仿真保证电路设计的准确性，最终实现了一款3 mm波段低噪声放大器。测试结果显示在92～96 GHz时，带内增益大于20 dB，噪声系数小于4．0 dB。芯片面积3．07 mm×1．75 mm，直流功耗60 mW。
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关键词
3mm波段
单片式微波集成电路(MMIC)
低噪声放大器(LNA)
InPHEMT
噪声模型
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Keywords
3 mm band
monolithic microwave integrated circuit （MMIC）
low-noise amplifier（LNA）
InP HEMT
noise model
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分类号
TN304.2
[电子电信—物理电子学]
TN722.3
[电子电信—电路与系统]
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