采用PIN二极管反馈的射频可变增益放大器 被引量：4

1

作者 张良浩 谢红云 +3 位作者 赵彦晓 张万荣 江之韵 刘硕 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第1期206-210,共5页

射频可变增益放大器大多基于CMOS工艺和砷化镓工艺,通过改变晶体管的偏置电压或建立衰减器增益控制结构实现增益可调.本文采用高性能的射频锗硅异质结双极晶体管,设计并制作了一款射频可变增益放大器.放大器的增益可控性通过改变负反馈... 射频可变增益放大器大多基于CMOS工艺和砷化镓工艺,通过改变晶体管的偏置电压或建立衰减器增益控制结构实现增益可调.本文采用高性能的射频锗硅异质结双极晶体管,设计并制作了一款射频可变增益放大器.放大器的增益可控性通过改变负反馈支路中PIN二极管的正向偏压来实现.基于带有PIN二极管反馈的可变增益放大器的高频小信号等效电路,本文详细分析了增益可控机制,设计并制作完成了1.8GHz的可变增益放大器.测试结果表明在频率为1.8GHz时,控制电压从0.6V到3.0V的变化范围内,增益可调范围达到15d B;噪声系数低于5.5d B,最小噪声系数达到2.6d B.整个控制电压变化范围内输入输出匹配均保持良好,线性度也在可接受范围内. 展开更多

关键词 可变增益放大器 PIN二极管 小信号等效电路 锗硅异质结双极晶体管 射频

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2～ 8 GHz微波单片可变增益低噪声放大器 被引量：2

2

作者 彭龙新 林金庭 +3 位作者 魏同立 陈效建 刘军霞 贺文彪 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2004年第1期26-30,43,19,共7页

报道了一种微波宽带 Ga As单片可变增益低噪声放大器芯片。该芯片采用南京电子器件研究所 76mm圆片 0 .5μm PHEMT标准工艺制作而成。工作频率范围为 2～ 8GHz,在零衰减时 ,整个带内增益大于 2 5d B,噪声系数最大为 3 .5 d B,增益平坦... 报道了一种微波宽带 Ga As单片可变增益低噪声放大器芯片。该芯片采用南京电子器件研究所 76mm圆片 0 .5μm PHEMT标准工艺制作而成。工作频率范围为 2～ 8GHz,在零衰减时 ,整个带内增益大于 2 5d B,噪声系数最大为 3 .5 d B,增益平坦度小于± 0 .75 d B,输入驻波小于 2 .0 ,输出驻波小于 2 .5 ,输出功率大于 1 0d Bm。放大器增益可控大于 3 0 d B。实验发现 ,芯片具有良好的温度特性。该芯片面积为 3 .6mm× 2 .2 mm。 展开更多

关键词 可变增益 低噪声放大器 微波单片集成电路 GaAs MMIC 高电子迁移率晶体管

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S波段GaAs单片可变增益放大器

3

作者 叶禹康 茅经怀 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1992年第2期183-184,共2页

微波单片集成电路(MMIC)是新一代微波产品。它把有源和无源元件,采用可批量生产的集成技术制作在同一GaAs衬底上完成一定微波功能,具有成本低、产量高、可靠性高、体积小、重量轻等突出的优点。南京电子器件研究所1991年研制的MMIC产品W... 微波单片集成电路(MMIC)是新一代微波产品。它把有源和无源元件,采用可批量生产的集成技术制作在同一GaAs衬底上完成一定微波功能,具有成本低、产量高、可靠性高、体积小、重量轻等突出的优点。南京电子器件研究所1991年研制的MMIC产品WD64型S波段GaAs单片可变增益放大器如图1所示。其芯片尺寸为4.5mm×1.6mm×0.15mm。 展开更多

关键词 放大器 S波段 单片 可变增益

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可变增益的功率放大器单片微波集成电路

4

作者 刁睿 赵瑞华 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第4期264-267,共4页

根据电压控制增益电路理论及放大器设计原理，设计制作了一种基于GaAs工艺的可变增益功率放大器单片微波集成电路（MMIC）。采用电路仿真ADS软件进行了原理图及版图仿真，研究了增益控制电路在放大器中的位置对性能的影响。最终实现了在... 根据电压控制增益电路理论及放大器设计原理，设计制作了一种基于GaAs工艺的可变增益功率放大器单片微波集成电路（MMIC）。采用电路仿真ADS软件进行了原理图及版图仿真，研究了增益控制电路在放大器中的位置对性能的影响。最终实现了在6～9GHz频率范围内，1dB压缩点输出功率大于33dBm，当控制电压在-1～0V之间变化时，放大器的增益在5～40dB之间变化，增益控制范围达到了35dB。将功率放大器与增益控制电路制作在同一个单片集成电路上，面积仅为3．5mm×2．3mm，具有灵活易用、集成度高和成本低的特点，可广泛应用于卫星通信和数字微波通信等领域。 展开更多

关键词 功率放大器 可变增益 单片微波集成电路(MMIC) ADS软件 砷化镓

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一款适用于WCDMA标准的大动态范围SiGe HBT可变增益放大器设计 被引量：1

5

作者 甘军宁 张万荣 +3 位作者 谢红云 金冬月 沈珮 李佳 《电子器件》 CAS 2009年第1期45-48,共4页

第三代移动通信标准WCDMA要求放大器增益可调,并且增益动态范围较大。根据这一要求给出了一种基于SiGeHBT具有高动态范围的可变增益放大器（VGA）设计。放大器为三级级联结构,第一级为输入缓冲级,第二级为增益控制级,最后为放大级。VGA... 第三代移动通信标准WCDMA要求放大器增益可调,并且增益动态范围较大。根据这一要求给出了一种基于SiGeHBT具有高动态范围的可变增益放大器（VGA）设计。放大器为三级级联结构,第一级为输入缓冲级,第二级为增益控制级,最后为放大级。VGA的增益控制通过调整第二级的偏置实现。VGA在1.95 GHz频率下,在0～2.7 V增益控制电压变化下,具有44 dB增益变化范围,最大增益49 dB。在最大增益处最小噪声系数为2.584 dB,输入输出电压驻波比低于2,性能良好。 展开更多

关键词 射频放大器 可变增益 电路设计 WCDMA SIGEHBT ADS

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Ka频段平衡式GaN射频功率放大器芯片

6

作者 王海龙 崔亮 《通信电源技术》 2022年第10期26-28,共3页

基于0.15μm GaN赝配高电子迁移率晶体管(Pseudomorphic High Electron Mobility Transistor,PHEMT)工艺,设计研发了一款Ka频段平衡式功率放大器芯片。采用Lange耦合器进行功率合成,放大器使用四级级联放大拓扑结构,同时综合应用三维和... 基于0.15μm GaN赝配高电子迁移率晶体管(Pseudomorphic High Electron Mobility Transistor,PHEMT)工艺,设计研发了一款Ka频段平衡式功率放大器芯片。采用Lange耦合器进行功率合成,放大器使用四级级联放大拓扑结构,同时综合应用三维和平面场仿真技术,提高电路仿真精度。在33~37 GHz频率带宽、24 V偏置以及脉冲波使用条件下,该芯片饱和输出功率大于44 dBm,功率附加效率高于26%。 展开更多

关键词 KA频段 射频功率放大器 高功率 单片微波集成电路(MMIC)

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基于IFM的小型化线性射频放大器设计 被引量：2

7

作者 王青平 张晓发 +1 位作者 谭渊 袁乃昌 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第2期114-117,共4页

采用六级VMMK-2503高线性度增益方块级联,插入增益均衡与带通滤波模块,设计了一款小型化线性射频放大器,在5.8～8 GHz频带内,其小信号增益达70 dB,增益平坦度小于±1 dB,输入输出驻波比等技术指标优良。由于VMMK-2503采用晶片级封... 采用六级VMMK-2503高线性度增益方块级联,插入增益均衡与带通滤波模块,设计了一款小型化线性射频放大器,在5.8～8 GHz频带内,其小信号增益达70 dB,增益平坦度小于±1 dB,输入输出驻波比等技术指标优良。由于VMMK-2503采用晶片级封装技术与内匹配设计,电路设计简单,缩短了研发周期,降低了设计成本,提高了技术指标,有利于射频电路的小型化与集成化,放大器电路尺寸仅为92 mm×9 mm×1.2 mm。并对其进行了模块电磁兼容设计,以提高组件稳定性,最终满足用户要求,已成功用于某型号瞬时测频接收机中。 展开更多

关键词 瞬时测频接收机 射频放大器 增益均衡 小型化 单片微波集成电路

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GNSS接收机带有滤波功能可变增益放大器的设计 被引量：1

8

作者 张维佳 赵红东 +1 位作者 王博 申研 《电子设计工程》 2010年第3期101-103,共3页

传统GNSS前端接收机系统中,可变增益放大器(VGA)不具备滤波功能,大多数选用片外滤波,这样系统增益和集成度降低,而系统集成的波器选频性能有限。为此,设计一种具有滤波功能的可变增益放大器,采用0.5μmSiGe HBT工艺,可控增益单元与Gm-C... 传统GNSS前端接收机系统中,可变增益放大器(VGA)不具备滤波功能,大多数选用片外滤波,这样系统增益和集成度降低,而系统集成的波器选频性能有限。为此,设计一种具有滤波功能的可变增益放大器,采用0.5μmSiGe HBT工艺,可控增益单元与Gm-C滤波单元集成一体,并运用4晶体管回转器结构实现滤波。电路驱动电压为3.3 V,电流为11.7 mA,线性增益控制范围为-26～62 dB,且电压控制范围为0～1.8 V,最小增益下输入1 dB压缩点为-4 dBm。可变增益放大器电路不仅具备大的增益控制范围,而且中频46 MHz处滤波性能良好,提高芯片的集成度,降低系统功耗。 展开更多

关键词 微电子学与固体电子学 射频集成电路 SiGe HBT 可变增益放大器 GM-C滤波器

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安华高推出超小尺寸射频放大器VMMK-3xxx

9

《中国集成电路》 2011年第6期9-9,共1页

AvagoTechnologies近日宣布推出市场上最小射频放大器系列的新产品，这款新的VMMK-3xxx放大器使得AvagoWaferCap芯片级封装（CSP）技术可提供1．0x0．5x0．25毫米的超小尺寸。这款放大器为已有的AvagoVMMK—1xxx和VMMK-2xxx系列带来了... AvagoTechnologies近日宣布推出市场上最小射频放大器系列的新产品，这款新的VMMK-3xxx放大器使得AvagoWaferCap芯片级封装（CSP）技术可提供1．0x0．5x0．25毫米的超小尺寸。这款放大器为已有的AvagoVMMK—1xxx和VMMK-2xxx系列带来了许多新功能，包括正增益斜度低噪音放大器（LNA）、宽带LNA、可变增益放大器（VGA）、和四款方向检测器。 展开更多

关键词 射频放大器 小尺寸 可变增益放大器 芯片级封装 噪音放大器 LNA 检测器 宽带

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增益可控CMOS低噪声放大器 被引量：3

10

作者 胡嘉盛 李巍 任俊彦 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2007年第2期207-212,共6页

设计了采用SMIC0.18μm RF CMOS工艺的共源共栅NMOS结构的增益可变的差动式低噪声放大器。在考虑了ESD保护pad和封装寄生效应后,着重对低噪声放大器的输入阻抗匹配、增益以及共源共栅级联结构下的噪声系数、线性度等进行了一系列分析,... 设计了采用SMIC0.18μm RF CMOS工艺的共源共栅NMOS结构的增益可变的差动式低噪声放大器。在考虑了ESD保护pad和封装寄生效应后,着重对低噪声放大器的输入阻抗匹配、增益以及共源共栅级联结构下的噪声系数、线性度等进行了一系列分析,并提出了优化措施。芯片测试结果表明:在1.56GHz中心频率下,-3dB带宽约为150MHz,输出最大电压增益为27dB,此时噪声系数NF约为2.33dB,IIP3约为4.0dBm,可变增益范围为7dB。在3.3V电源电压下消耗电流8.2mA。此设计方法可以应用到诸如GSM、GPS等无线接收机系统中。 展开更多

关键词 互补金属氧化物半导体射频集成电路 低噪声放大器 可变增益控制

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ADI发布业界首款单片可变增益RF VGA

11

《电子产品世界》 2005年第02A期115-115,共1页

ADI推出业界首款单片射频(RF)可变增益放大器或衰减器(VGA)，它以RF功率水平工作用于无线基础设施设备。ADL5330也是首款能提供1MHz-3GHz宽频带，具有以dB为单位呈线性60dB增益控制范围的单片VGA。这些特点对于要求严格的无线电设计至... ADI推出业界首款单片射频(RF)可变增益放大器或衰减器(VGA)，它以RF功率水平工作用于无线基础设施设备。ADL5330也是首款能提供1MHz-3GHz宽频带，具有以dB为单位呈线性60dB增益控制范围的单片VGA。这些特点对于要求严格的无线电设计至关重要，而且从未在一颗单芯片集成电路(IC)中实现过。 展开更多

关键词 VGA 可变增益放大器 RF 无线基础设施 ADI 单片 宽频带 ADL MH GH

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Q波段氮化镓功率放大器芯片

12

作者 王海龙 崔亮 《通信电源技术》 2022年第8期66-68,共3页

在GaN高电子迁移率晶体管(High Electron Mobility Transistors,HEMT)工艺的基础上,成功开发设计了一款Q频段功率放大器芯片。电路使用4级级联放大拓扑,每一级均选定了合适的栅宽,结合Wilkinson功率分配及合成匹配网络来满足输出功率、... 在GaN高电子迁移率晶体管(High Electron Mobility Transistors,HEMT)工艺的基础上,成功开发设计了一款Q频段功率放大器芯片。电路使用4级级联放大拓扑,每一级均选定了合适的栅宽,结合Wilkinson功率分配及合成匹配网络来满足输出功率、增益以及功率附加效率(Power Added Efficiency,PAE)等性能指标要求。测试结果表明,该芯片在37~42 GHz频段内的输出功率大于40 dBm,功率附加效率大于30%。 展开更多

关键词 Q波段 射频(RF)功率放大器 功率附加效率(PAE) 微波单片集成电路(MMIC)

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C波段pHEMT单片Gilbert混频器 被引量：1

13

作者 王维波 张斌 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2007年第2期194-198,共5页

采用0.5μmpHEMT工艺研制了Gilbert式单片混频器,设计采用了电流注入技术及跨导级源端负反馈技术,在C波段测试表明:变频增益大于1.5dB,单边带噪声系数典型值为12.5dB,变频带宽约为DC～1GHz,所需本振功率实测值为1.6dBm。

关键词 微波单片集成电路 吉尔伯特 变频增益 单边带噪声系数 本振射频间隔离

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业界首款提供1MHz～3GHz宽带增益和功率控制的单片RF VGA

14

《中国数据通信》 2005年第1期123-123,共1页

美国模拟器件公司(Analog Devices，Inc．缩写ADI)推出业界首款单片射频(RF)可变增益放大器或衰减器(VGA)，它以RF功率水平工作用于无线基础设施设备。ADL5330也是首款能提供1MHz～3GHz宽频带具有以dB为单位呈线性60dB增益控制范围的单... 美国模拟器件公司(Analog Devices，Inc．缩写ADI)推出业界首款单片射频(RF)可变增益放大器或衰减器(VGA)，它以RF功率水平工作用于无线基础设施设备。ADL5330也是首款能提供1MHz～3GHz宽频带具有以dB为单位呈线性60dB增益控制范围的单片VGA。这些特点对于要求严格的无线电设计至关重要，而且从未在一颗单芯片集成电路(IC)中实现过。 展开更多

关键词 VGA 功率控制 RF 可变增益放大器 无线基础设施 宽带 单片 单芯片 美国模拟器件公司 设计

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无线传感器网络的2.4GHz低功耗低中频射频接收前端的设计 被引量：1

15

作者 张萌 李智群 沈董军 《高技术通讯》 CAS CSCD 北大核心 2013年第4期413-420,共8页

在0.18μm CMOS工艺下设计了一种用于无线传感器网络的具有低功耗、低中频特性的2.4GHz射频前端。该射频前端由一个共栅结构的可变增益低噪声放大器(VGLNA)和一个低功耗折叠正交吉尔伯特结构混频器构成,内部同时集成了一个给混频器提供I... 在0.18μm CMOS工艺下设计了一种用于无线传感器网络的具有低功耗、低中频特性的2.4GHz射频前端。该射频前端由一个共栅结构的可变增益低噪声放大器(VGLNA)和一个低功耗折叠正交吉尔伯特结构混频器构成,内部同时集成了一个给混频器提供IQ差分本振信号的二分频器以及一组缓冲器。其低噪声放大器具有高、低两个增益模式。为了弥补共栅低噪声放大器在增益和噪声等性能方面的不足,选取有一定增益的折叠吉尔伯特有源混频器结构。对共栅结构的低噪声放大器的设计过程、相关负载电感建模过程及混频器设计过程进行了详细分析,对整个射频前端芯片进行了测试,测试结果显示,射频前端核心电路在1.8V电源电压下工作电流为3.2mA,功耗为5.76mW;在高增益模式下,具有26dB的转化电压增益及8dB的噪声系数;在低增益模式下,输入1dB压缩点为-20dBm。 展开更多

关键词 射频前端 可变增益 低功耗 低噪声放大器(LNA) 折叠正交混频器 无线传感器网络(WSN)

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一种用于软件无线电的接收机射频前端电路设计与实现 被引量：7

16

作者 邓艾 葛利嘉 +2 位作者 徐自玲 朱林 双涛 《现代电子技术》 2010年第15期37-40,共4页

设计了一种用于软件无线电的射频前端电路,该电路可工作于短波、超短波频段(3～89MHz)。电路将天线接收的信号经过前端滤波、AGC、放大处理后,将输出信号稳定到2V,直接送给下级进行A/D采样及基带处理。设计的核心是宽带AGC电路,采用了... 设计了一种用于软件无线电的射频前端电路,该电路可工作于短波、超短波频段(3～89MHz)。电路将天线接收的信号经过前端滤波、AGC、放大处理后,将输出信号稳定到2V,直接送给下级进行A/D采样及基带处理。设计的核心是宽带AGC电路,采用了一种级联VGA的形式,较大地提高了AGC电路的动态范围和线性范围。经过硬件实测,该接收电路灵敏度能够达到-90dBm,动态范围为70dB,并且具有线性度高、噪声系数小等特点。 展开更多

关键词 软件无线电 射频前端 自动增益控制 可变增益放大器

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单片RF VGA ADL5330

17

《通讯世界》 2005年第1期69-69,共1页

美国模拟器件公司(Analog Devices)近日推出业界首款单片射频(RF)可变增益放大器或衰减器(VGA)，它以RF功率水平工作用于无线基础设施设备。ADL5330也是首款能提供1MHz～3GHz宽频带具有以dB为单位呈线性60dB增益控制范围的单片VGA。这... 美国模拟器件公司(Analog Devices)近日推出业界首款单片射频(RF)可变增益放大器或衰减器(VGA)，它以RF功率水平工作用于无线基础设施设备。ADL5330也是首款能提供1MHz～3GHz宽频带具有以dB为单位呈线性60dB增益控制范围的单片VGA。这些特点对于要求严格的无线电设计至关重要，而且从未在一颗单芯片集成电路(IC)中实现过。 展开更多

关键词 美国模拟器件公司 单片RF VGA ADL5330 单片射频可变增益放大器 衰减器 性能

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具有高可调增益范围的CMOS宽带中频调制器

18

作者 郑吉华 李永明 陈弘毅 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2004年第4期510-516,524,共8页

利用TSMC 0 .2 5 μmCMOS混合工艺 ,针对超外差结构的无线宽带收发器 ,实现了一个能够工作在 5 0～6 0 0MHz的中频调制器 ,并对该调制器进行了仿真和测试。由于该调制器在输出端采用了一个具有高可调增益范围而且鲁棒性能好的可变增益... 利用TSMC 0 .2 5 μmCMOS混合工艺 ,针对超外差结构的无线宽带收发器 ,实现了一个能够工作在 5 0～6 0 0MHz的中频调制器 ,并对该调制器进行了仿真和测试。由于该调制器在输出端采用了一个具有高可调增益范围而且鲁棒性能好的可变增益放大器 (VGA) ,从而使得该调制器具有超过 70dB的增益可调范围。测试结果表明 ,该调制器能够工作在 5 0～ 6 0 0MHz的频率上 ,输出功率为 - 81～ - 10dBm ,最小增益的输出噪声为 - 130dBm/ Hz,最大增益的输出P1dB点为 - 4 .3dBm ,在 3V的电源电压下 ,电流功耗为 32mA。 展开更多

关键词 CMOS射频集成电路 中频调制器 可变增益放大器 上变频混频器

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ADL5330：单片RFVGA

19

《世界电子元器件》 2005年第2期81-81,共1页

美国模拟器件公司推出一款单片射频(RF)可变增益放大器或衰减器(VGA)ADL5330，它以RF功率水平工作于无线基础设施设备。ADL5330也是首款能提供1MHz～3GHz宽频带，具有以dB为单位，呈线性60dB增益控制范围的单片VGA。

关键词 VGA 无线基础设施 可变增益放大器 RF 单片 宽频带 增益控制 ADL MH GH

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ADI为宽带通信设备开发提供具有突破性集成度的射频IC

20

《中国集成电路》 2010年第5期13-13,共1页

ADI最近发布了两款用于宽带通信系统的射频IC—ADRF6655和ADRF6510，在不降低性能的条件下可将组件数量减少75％以上。ADRF6655有源混频器或ADRF6510双通道可编程滤波器与VGA（可变增益放大器）将多种功能和分立器件集成在单个芯片中，... ADI最近发布了两款用于宽带通信系统的射频IC—ADRF6655和ADRF6510，在不降低性能的条件下可将组件数量减少75％以上。ADRF6655有源混频器或ADRF6510双通道可编程滤波器与VGA（可变增益放大器）将多种功能和分立器件集成在单个芯片中，与传统分立式射频设计相比，可使组件数量减少4倍。ADI是目前唯一能够提供具有这种集成度以及满足多种宽带通信市场需求的射频IC的供应商，应用市场包括点对点微波无线电、无线基站、有线电视基础设施、国防宽带和软件无线电、蜂窝中继器和转发器以及通信测试设备。 展开更多

关键词 宽带通信系统 射频设计 集成度 ADI IC 设备开发 突破性 可变增益放大器

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